一种新型led芯片的互联结构的制作方法
【技术领域】
[0001 ]本实用新型涉及LED领域，具体涉及一种新型LED芯片的互联结构。
【背景技术】
[0002]LED发光芯片具有体积小、能耗低、寿命长以及环保等优点，广泛应用于照明领域。LED芯片的主体是一个发光PN结，主要由N型半导体、发光层和P型半导体组成，所述N型半导体和P型半导体上分别设置有金属电极。现有的LED芯片一般在发光PN结外覆盖一层钝化层(S12层)，起保护作用，光阻层(由光刻胶形成)设置在钝化层外。由于现有的LED芯片在制作过程中需要分别添加钝化层和光阻层，之后还需对金属电极上方的光阻层和钝化层分别进行蚀刻，使金属电极外露，工序繁琐，制作麻烦，增加成本，同时，当多个LED芯片通过金属导线连接时，串联用的金属导线蒸镀在钝化层上，由于S12的附着力低，容易使金属导线脱离并断开，影响LED芯片之间的连接;此外，由于S12是硬性材料，抗冲击、抗压的能力较差，钝化层不能很好起到保护作用。
【发明内容】
[0003]为克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种新型LED芯片的互联结构，利用软性材料的光刻胶取代钝化层对LED芯片的主体进行保护，同时承托蒸镀的金属导线层。
[0004]本实用新型为解决其技术问题采用的技术方案是:
[0005]—种新型LED芯片的互联结构，包括衬底，所述衬底上设置有至少两块LED芯片，所述LED芯片包括依次设置在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，其中N型半导体层部分暴露在发光层外，所述N型半导体层的暴露区上设置有N电极，P型半导体层表面设置有P电极，所述衬底上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶，并通过光刻工艺形成光阻层，所述光阻层上设置有使P电极和N电极外露的缺口，所述光阻层表面蒸镀有金属导线层，所述金属导线层两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
[0006]作为上述技术方案的进一步改进，所述金属导线层一端连接P电极，另一端连接N电极。
[0007]作为上述技术方案的进一步改进，所述衬底上方设置有用于分隔LED芯片的绝缘的芯片隔离带，所述芯片隔离带用绝缘光刻胶填充，起到分隔LED芯片的作用。
[0008]本实用新型的有益效果是:
[0009]本实用新型采用透明绝缘的光阻层直接覆盖LED芯片，金属导线层蒸镀在光阻层上，由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，易填充在LED芯片之间的空间，形成良好的支撑面，能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高，且具备一定的粘附力，能很好的粘附金属导线层。此外，光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的S12更为优秀，光阻层取代钝化层能更好的起到保护作用;光阻层取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了 LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
【附图说明】
[0010]以下结合附图和实例作进一步说明。
[0011]图1是本实用新型的LED芯片的互联结构的示意图。
【具体实施方式】
[0012]参照图1，本实用新型提供的一种新型LED芯片的互联结构，包括衬底10，所述衬底10上设置有至少两块LED芯片，所述LED芯片包括依次设置在衬底10上的N型半导体层20、发光层30和P型半导体层40，其中N型半导体层20部分暴露在发光层30外，所述N型半导体层20的暴露区上设置有N电极52，P型半导体层40表面设置有P电极51，所述衬底10上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶，并通过光刻工艺形成光阻层60，所述光阻层60上设置有使P电极51和N电极52外露的缺口，所述光阻层60表面蒸镀有金属导线层70，所述金属导线层70两端分别连接不同的LED芯片上的电极，其中一端连接P电极51，另一端连接N电极52。
[0013]此外，本发明提供了一种制作上述LED芯片互联结构的方法，包括以下步骤:S1、准备一衬底10，在衬底10上方依次设置N型半导体层20、发光层30、P型半导体层40，通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层20和形成绝缘的芯片隔离带，芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底10表面，得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片;S2、在N型半导体层20暴露区设置N电极52，P型半导体层40上表面设置P电极51 ;S3、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底10、芯片隔离带和LED芯片外，形成光阻层60，采用显影液把P电极51和N电极52上方的光阻层60刻蚀，使P电极51和N电极52暴露出来;S4、在光阻层60上蒸镀金属导线层70，金属导线层70的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
[0014]进一步，上述方法中的步骤S2和S3还可以进行互换，形成另一种制备方法，包括以下步骤:T1、准备一衬底10，在衬底10上方依次设置N型半导体层20、发光层30、P型半导体层40，通过刻蚀工艺暴露部分N型半导体层20和形成绝缘的芯片隔离带，芯片隔离带通过干刻腐蚀到衬底10表面，得到多个由芯片隔离带分隔的LED芯片;T2、通过光刻工艺将透明绝缘的光刻胶直接覆盖在衬底10、芯片隔离带和LED芯片外，形成光阻层60，采用显影液把N型半导体层20暴露区和P型半导体层40上表面的部分光阻层60刻蚀掉，使N型半导体层20和P型半导体层40暴露出来;T3、在暴露出来的N型半导体层20上设置N电极52，P型半导体层40上设置P电极51 ;T4、在光阻层60上蒸镀金属导线层70，金属导线层70的两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
[0015]本实用新型采用透明绝缘的光阻层60直接覆盖LED芯片，金属导线层70蒸镀在光阻层60上，由于光阻层60是采用软性的光刻胶制作而成，易填充在LED芯片之间的空间，形成良好的支撑面，能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高，且具备一定的粘附力，能很好的粘附金属导线层70。此外，光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的S12更为优秀，光阻层60取代钝化层能更好的起到保护作用；光阻层60取代钝化层还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了 LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
[0016]以上所述，只是本实用新型的较佳实施例而已，本实用新型并不局限于上述实施方式，只要其以相同的手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种新型LED芯片的互联结构，其特征在于:包括衬底(10)，所述衬底(10)上设置有至少两块LED芯片，所述LED芯片包括依次设置在衬底(10)上的N型半导体层(20)、发光层(30)和P型半导体层(40)，其中N型半导体层(20)部分暴露在发光层(30)外，所述N型半导体层(20)的暴露区上设置有N电极(52)，P型半导体层(40)表面设置有P电极(51)，所述衬底(10)上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶，并通过光刻工艺形成光阻层(60)，所述光阻层(60)上设置有使P电极(51)和N电极(52)外露的缺口，所述光阻层(60)表面蒸镀有金属导线层(70)，所述金属导线层(70)两端分别连接不同的LED芯片上的电极。2.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片的互联结构，其特征在于:所述金属导线层(70)一端连接P电极(51)，另一端连接N电极(52)。3.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片的互联结构，其特征在于:所述衬底(10)上方设置有用于分隔LED芯片的绝缘的芯片隔离带。
【专利摘要】本实用新型公开了一种新型LED芯片的互联结构，并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯片进行保护，同时对连接LED芯片的金属导线层进行支撑和粘附，使其不易断裂。由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成，易填充在LED芯片之间的空间，形成良好的支撑面，能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高，且具备一定的粘附力，能很好的粘附金属导线层，此外，光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀，使光阻层能起到保护作用；本设计还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序，提高了LED芯片的生产效率，并降低制造成本。
【IPC分类】H01L33/62, H01L33/44, H01L27/15
【公开号】CN205231062
【申请号】CN201520984662
【发明人】易翰翔, 郝锐, 刘洋, 许徳裕
【申请人】广东德力光电有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年11月30日