专利名称：应用于semix igbt模块的驱动电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种驱动电路，具体涉及一种应用于SEMIX IGBT模块的驱动电路的电气连接结构。
背景技术：
目前大量的IGBT驱动电路运用在IGBT模块中，但是目前的大多数驱动电路并没有针对SEMIX IGBT模块专门设计，电气结构不是特别合理，不能充分发挥SEMIX IGBT模块的器件优势。
实用新型内容本实用新型提供一种应用于SEMIX IGBT模块的驱动电路，克服现有技术中没有专门针对SEMIX IGBT模块设计的合理的驱动电路，而且驱动电路的电气连接结构也不是特别合理，连接复杂等技术问题。为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案一种应用于SEMIX IGBT模块的驱动电路，所述的驱动电路包括驱动电路板，IGBT 驱动电路固定安装在驱动电路板上，驱动电路板上面设有信号输出点直接与功率元件IGBT 的G、E端相连接，所述的IGBT模块为压接式IGBT模块，IGBT驱动电路和IGBT模块通过弹簧直接连接；IGBT模块还通过叠层母排与直流电解电容连接，IGBT模块下方还安装有散热
ο更进一步的技术方案是所述的叠层母排为复合多层结构，包括导电的正极板、导电的负极板，在导电的正极板和导电的负极板之间由串接板将两者隔开，在导电的正极板和导电的负极板的外表面还分别覆盖有绝缘层；绝缘层、导电的正极板、导电的负极板依次相叠粘接构成叠层母排。所述的驱动电路板上设计有故障反馈总线，并同外部控制单元通过光纤连接。所述的驱动电路板上还包括与弹簧座相接的焊盘，该焊盘由镀金的镍制作而成。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是根据SEMIX IGBT模块的结构，设计了合理的电气连接结构，此结构中IGBT与直流电容连接距离很短，极大的减小了杂散电抗；同时IGBT与直流电容的连接采用叠层母排，增加正负极间的叠层面积，从而增加了直流正负连接排的电容。这两方面的改进，极大减小了 IGBT开关过程中危害性最大的过电压现象，从而起到了保护IGBT作用，并且延长IGBT使用寿命。
图1为本实用新型整体结构示意图。
具体实施方式
3[0012]下面再来详细叙述本实用新型的具体实施例如图1所示，一种应用于SEMIX IGBT模块的驱动电路，应用于SEMIX IGBT模块的驱动电路包括驱动电路板，IGBT驱动电路4固定安装在驱动电路板上，驱动电路板上面设有信号输出点直接与功率元件IGBT的G、E端相连接，所述的IGBT模块3为压接式IGBT模块，IGBT驱动电路4和IGBT模块3通过弹簧直接连接；IGBT模块3还通过叠层母排2与直流电解电容1连接，IGBT模块3下方还安装有散热器5。叠层母排2为复合多层结构，包括导电的正极板、导电的负极板，在导电的正极板和导电的负极板之间由串接板将两者隔开， 在导电的正极板和导电的负极板的外表面还分别覆盖有绝缘层；绝缘层、导电的正极板、 导电的负极板依次相叠粘接构成叠层母排2。驱动电路板上还设计有故障反馈总线，并同外部控制单元通过光纤连接。驱动电路板上还包括与弹簧座相接的焊盘，该焊盘由镀金的镍制作而成。
权利要求1.一种应用于SEMIX IGBT模块的驱动电路，其特征在于所述的SEMIX IGBT模块的驱动电路包括驱动电路板，IGBT驱动电路(4)固定安装在驱动电路板上，驱动电路板上面设有信号输出点直接与功率元件IGBT的G、E端相连接，所述的IGBT模块( 为压接式IGBT 模块，IGBT驱动电路(4)和IGBT模块(3)通过弹簧直接连接；IGBT模块(3)还通过叠层母排(2)与直流电解电容(1)连接，IGBT模块C3)下方还安装有散热器(5)。
2.根据权利要求1所述的应用于SEMIXIGBT模块的驱动电路，其特征在于所述的叠层母排(2)为复合多层结构，包括导电的正极板、导电的负极板，在导电的正极板和导电的负极板之间由串接板将两者隔开，在导电的正极板和导电的负极板的外表面还分别覆盖有绝缘层；绝缘层、导电的正极板、导电的负极板依次相叠粘接构成叠层母排O)。
3.根据权利要求1所述的应用于SEMIXIGBT模块的驱动电路，其特征在于所述的驱动电路板上设计有故障反馈总线，并同外部控制单元通过光纤连接。
4.根据权利要求1所述的应用于SEMIXIGBT模块的驱动电路，其特征在于所述的驱动电路板上还包括与弹簧座相接的焊盘，该焊盘由镀金的镍制作而成。
专利摘要本实用新型公开了应用于SEMIX IGBT模块的驱动电路，所述的驱动电路包括驱动电路板，IGBT驱动电路固定安装在驱动电路板上，驱动电路板上面设有信号输出点直接与功率元件IGBT的G、E端相连接，所述的IGBT模块为无焊接压接式IGBT模块，IGBT驱动电路和IGBT模块通过弹簧直接连接，IGBT模块还通过叠层母排与直流电解电容连接，IGBT模块下方还安装有散热器。本实用新型根据SEMIX IGBT模块的结构，设计了合理的电气连接结构，IGBT与直流电容连接距离很短，极大的减小了杂散电抗；同时IGBT与直流电容的连接采用叠层母排，增加正负极间的叠层面积，从而增加了直流正负连接排的电容。
文档编号H02M1/08GK202150789SQ20112018410
公开日2012年2月22日 申请日期2011年6月2日 优先权日2011年6月2日
发明者郑卫平 申请人:杭州晨星电力科技有限公司