专利名称：一种单相多绕组变压器耦合型固态限流器的制作方法
技术领域：
本发明涉及高压电网的故障限流装置，尤其是一种单相多绕组变压器耦合型固态限流器。
背景技术：
应用于电力系统的短路限流器，一般须满足以下几点要求
I正常运行时低阻抗或零阻抗，对系统影响很小或可忽略不计；
2能快速响应短路故障；
3故障限流时能通过限流阻抗将短路电流限制在预设值以内；
4体积小,重量轻,成本低。在中低压电网，目前常见的几款限流器，如饱和式限流器、固态限流器及超导限流器都有一定的应用前景，但在高压电网中，较高的电压等级及短路容量，则对以上限流器的应用造成技术或经济方面的瓶颈。目前在高压电网限流领域，较有应用前景的为串联谐振式限流器，其拓扑结构如图I所示，为防止过电压，避雷器I与电容器2并联，正常运行时， 与电容器2并联的晶闸管3关断，电容器2与电感4发生串联谐振，限流器等效阻抗接近于零；线路发生短路故障时，晶闸管3被触发开通，电容器2通过阻尼电路5被旁路，电感4串入线路限制短路电流。该限流器的优点在于正常运行时，由于电容与电感发生串联谐振，串入线路的阻抗基本接近于零短路故障时，，对系统几乎无影响，且晶闸管处于关断状态，损耗较小，无需散热装置。但其缺点也很显著系统发生要求晶闸管尽快触发开通，否则在电容与晶闸管之间会形成较大的电压与电流振荡，电容与晶闸管的工况将十分恶劣，这对控制系统提出了很高的要求；晶闸管需要在故障时的恶劣环境下可靠开通，但开通可靠性却不能保证。中国专利200420022582. 5公开的一种新型电力电子型短路限流器，如图2所示， 则很好的解决了以上串联谐振式限流器所存在的问题，正常运行时与耦合变压器TR2副边并联的由晶闸管Tl、T2、T3及T4组成的桥路全开通，副边等效于“短接”，限流器等效阻抗仅为变压器原边漏抗，对系统影响很小；系统发生短路故障时，直流电抗器Ld无延时自动插入，限制短路电流，当控制器监测到线路故障后，在半个周波内关断副边桥路，副边绕组开路，此时限流器等效于一电抗器串入线路限制故障电流。在限流过程中，限流器快速响应故障，且不会发生大幅电磁振荡，能确保可靠限流。但若该限流器用于高压系统，短路故障发生后，限流器需要承担全部或部分系统电源电压，虽然限流时由于耦合变压器工作于深饱和状态，副边电压低于原边电压，但由于系统本身电压等级较高，副边桥路所须承担的电压等级也是相当可观的，这导致限流器成本较高，直接影响到其在高压电网中的工程应用。
发明内容
本发明针对现有技术的不足，提出了一种单相多绕组变压器耦合型固态限流器。本发明提出的单相多绕组变压器耦合固态限流器由单相多绕组变压器及单相限流桥路组成。所述的单相多绕组变压器由多层绕组同轴安装而成，可采用铁芯式或空心式两种结构。单相限流桥路包括单相整流桥及一个直流电抗器，单相整流桥由四个晶闸管组成，上桥臂的两个晶闸管组成共阴极，下桥臂的两个晶闸管组成共阳极，直流电抗器并接于单相整流桥共阴极和共阳极之间。单相多绕组变压器的最外层和最内层绕组均与一个单相限流桥路相并接。根据单相多绕组变压器的不同绕组连接方式，单相多绕组变压器耦合固态限流器可分为单相自耦式多绕组变压器耦合固态限流器和单相磁耦合式多绕组变压器耦合固态限流器，
单相自耦式多绕组变压器从最外层绕组到最内层绕组依次顺向串联，并串联于系统电源与负荷之间，最外层绕组和最内层绕组两端各并接一个单相限流桥路，此外可根据需要， 在处于最外层和最内层绕组之间，与最外层和最内层不相邻且彼此相互间隔的某几层绕组两端并接一个单相限流桥路；
单相磁耦合式多绕组变压器的最外层绕组与次外层绕组及最内层绕组与次内层绕组通过磁场耦合，而无电气连接，从次外层绕组到次内层绕组依次顺向串联，构成主回路绕组，并串接于系统电源和线路负荷之间，最外层绕组和最内层绕组各并接一个单相限流桥路。本发明的有益效果
I、作为限流器核心器件的单相多绕组变压器，在系统正常运行时电压降很低，对系统影响可以忽略。2、由于绕组采用分层结构，系统故障时桥路中晶闸管的电压等级可得到有效降低，绕组层数越多，则桥路晶闸管电压等级越低，这十分有利于该限流器在高压电网中的应用。3、限流器中若采用空心结构变压器，内侧桥路中晶闸管电压等级可进一步得到降低，桥路中直流电抗器的容量也随最内侧绕组电压-时间面积积分的减小而大大减小，这十分有利用降低限流器的成本。
图I串联谐振式限流器拓扑结构；
图2为新型电力电子型短路限流器；
图3为方案I的多绕组变压器耦合桥式固态限流器拓扑结构；
图4为方案2的多绕组变压器耦合桥式固态限流器拓扑结构。
具体实施例方式本发明的具体实施方法如下
如图3所示，单相自耦式多绕组变压器耦合固态限流器，由单相自耦式多绕组变压器及第一单相限流桥路和第二单相限流桥路组成。单相自耦式多绕组变压器由多层绕组同轴安装而成，可采用铁心式或空心式两种结构，各绕组由外到内依次顺向串联，串联之后的绕组串接于系统电源Us和负荷Zload之间；
第一单相限流桥路包括由晶闸管Tl、T2、T3及T4组成的单相整流桥及一个直流电抗器Ldl，单相整流桥中，位于上桥臂的晶闸管Tl、T3共阴极连接，位于下桥臂的晶闸管T2、 T4共阳极连接，各桥臂中间分别于最外层绕组的两个端点相连，直流电抗器Ldl并接于单相整流桥的共阴极与共阳极之间。第二单相限流桥路与第一单相限流桥路结构相同。如图4所示，单相磁耦合式多绕组变压器耦合固态限流器，由单相磁耦合式多绕组变压器及第三单相限流桥路和第四单相限流桥路组成。单相磁耦合式多绕组变压器由多层绕组同轴安装而成，可采用铁心式或空心式两种结构，最外层绕组与最内层绕组分别与次外层和次内层绕组磁耦合，而无电气连接，从次外层绕组到次内层绕组依次顺向串联，构成主回路绕组，主回路绕组串接于系统电源Us和负荷Zload之间。第三单相限流桥路和第四单相限流桥路与第一单相限流桥路结构相同。第三单相限流桥路和第四单相限流桥路的各桥臂中间分别与单相磁耦合式多绕组变压器最外层绕组的两个端点相连。本发明中的单相多绕组变压器耦合固态限流器，当系统正常运行时，限流器中所有桥路全开通，与桥路相并接的绕组等效为“短接”，绕组两端压降可视为零，对于单相自耦式多绕组变压器耦合固态限流器，单相自耦式多绕组变压器中与单相整流桥并接的最外层绕组、最内层绕组及中间某几层绕组等效为“短接”，其余绕组由于处于“短接”的绕组之间， 各自所产生的磁场被两侧“短接”的绕组所屏蔽，漏磁通及绕组漏抗很小，对应漏抗压降很低；对于单相磁耦合式多绕组变压器耦合固态限流器，单相磁耦合式多绕组变压器中与整流桥并接的最外层绕组和最内层绕组可等效为“短接”，同样由于最内和最层绕组对于中间绕组的磁屏蔽作用，中间绕组的漏抗及漏抗压降很低。当系统发生短路故障后，限流器中所有桥路中的直流电抗器无延时自动插入线路，限制短路电流的上升率及其幅值，当控制系统监测到系统短路故障后，同步封锁桥路所有晶闸管触发脉冲，并在半个周波内关断所有桥路，此时限流器等效于由多绕组串联而成的电抗器，通过它将短路电流稳态值限制在预设值以内。与此同时，当系统发生短路故障后，系统电源电压全部或部分加至限流器端部，待所有桥路关断，限流器处于稳态限流阶段时，多绕组变压器中串接于线路的各绕组则按各自电抗值分担电压。设限流器端部所承担电压为U，若变压器由n层绕组串联，且各绕组电抗值相等，则每层绕组的电压为U/n，对于单相自耦式多绕组变压器耦合固态限流器，各桥路中晶闸管的电压等级则为U/n。对于单相磁耦合式多绕组变压器耦合固态限流器，假设其最外层与次外层绕组匝数相等且最内层与次内层绕组匝数相等，若采用铁心结构，内、外两侧桥路中晶闸管电压等级均为U/n ;若采用空心结构，外侧桥路中晶闸管的电压等级约为U/n,而内侧桥路中晶闸管的电压等级远小于U/n，其原因在于最内层绕组与次内层绕组间为空气耦合，穿过最内层绕组的磁通量小于次内层绕组，因此以上两绕组间耦合度较低，最内层绕组电压远小于次内层绕组。
权利要求
1. 一种单相多绕组变压器耦合型固态限流器，其特征在于包括单相多绕组变压器和单相限流桥路；所述的单相多绕组变压器由多层绕组同轴安装而成，可采用铁芯式或空心式两种结构；单相限流桥路包括单相整流桥及一个直流电抗器，单相整流桥由四个晶闸管组成，上桥臂的两个晶闸管组成共阴极，下桥臂的两个晶闸管组成共阳极，直流电抗器并接于单相整流桥共阴极和共阳极之间；单相多绕组变压器的最外层和最内层绕组均与一个单相限流桥路相并接；根据单相多绕组变压器的不同绕组连接方式，单相多绕组变压器耦合固态限流器可分为单相自耦式多绕组变压器耦合固态限流器和单相磁耦合式多绕组变压器耦合固态限流器；单相自耦式多绕组变压器从最外层绕组到最内层绕组依次顺向串联，并串联于系统电源与负荷之间，最外层绕组和最内层绕组两端各并接一个单相限流桥路，此外可根据需要， 在处于最外层和最内层绕组之间，与最外层和最内层不相邻且彼此相互间隔的某几层绕组两端并接一个单相限流桥路；单相磁耦合式多绕组变压器的最外层绕组与次外层绕组及最内层绕组与次内层绕组通过磁场耦合，而无电气连接，从次外层绕组到次内层绕组依次顺向串联，构成主回路绕组，并串接于系统电源和线路负荷之间，最外层绕组和最内层绕组各并接一个单相限流桥路。
全文摘要
本发明公开了一种单相多绕组变压器耦合型固态限流器，采用自耦式或磁耦合式多绕组变压器作为限流器接入电网主电路的接口器件。正常运行时接于最外层和最内层绕组的桥路全开通，最外层和最内层绕组等效于“短接”，对中间层绕组形成磁屏蔽，从而将限流器电压降限制在很低的水平，限流器对系统的影响可以忽略；故障时，多绕组变压器各层绕组按各自电抗值分压，可有效降低整流桥路中晶闸管的电压等级及限流器整体成本。本发明所公开的固态限流器更适于在高压电网中进行工业化应用。
文档编号H02H9/02GK102611089SQ201210087239
公开日2012年7月25日 申请日期2012年3月29日 优先权日2012年3月29日
发明者吴兆麟, 江道灼, 莫育杰 申请人:浙江大学