栅极驱动器的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种栅极驱动器及其操作方法。所述栅极驱动器放大输入的控制信号以驱动高侧和低侧晶体管的栅极。高侧驱动芯片放大用于控制高侧晶体管的高侧控制信号并将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极。低侧驱动芯片放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极。所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子。所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备。所述低侧驱动芯片包括死区时间控制单元和输出驱动器，所述死区时间控制单元对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号，所述输出驱动器放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并输出被放大的信号。
【专利说明】栅极驱动器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.119和35U.S.C.365要求于2013年9月2日递交的第10-2013-0104937号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
【技术领域】
[0003]本公开涉及栅极驱动器，并由其涉及一种用于诸如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的高性能功率器件的栅极的栅极驱动器。
【背景技术】
[0004]在工业领域中使用的高电压3相电动机驱动装置使用电压型逆变器，电压型逆变器使用6个诸如场效应晶体管(FET)和IGBT的功率开关器件。这种类型的逆变器主要由脉宽调制(PWM)驱动方法来控制。典型地，PWM驱动方法是:通过保持电压恒定并且施加脉冲类型的电流来控制平均电流。这里，PWM控制是控制脉宽的比率。
[0005]此外，栅极驱动器用于驱动IGBT。栅极驱动器的IC本质上指用于诸如工业逆变器或车辆电动机的多种工业的半导体芯片。典型地，栅极驱动器包括在一个芯片上的所有高侧和低侧，这具有很多限制。
【发明内容】
[0006]实施例提供一种驱动例如绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的高功率3相栅极的栅极驱动器，并且其能够使由于高电压而引起的相位之间的干扰最小化。
[0007]在一个实施例中，栅极驱动器放大输入的控制信号以驱动高侧和低侧晶体管的栅极，所述栅极驱动器包括:高侧驱动芯片，其放大用于控制高侧晶体管的高侧控制信号并将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极；以及低侧驱动芯片，其放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极，其中高侧晶体管的发射极端子连接至低侧晶体管的集电极端子，高侧驱动芯片独立于低侧驱动芯片而制备，且低侧驱动芯片包括死区时间控制单元和输出驱动器，所述死区时间控制单元对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号，所述输出驱动器放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并输出被放大的信号。
[0008]死区时间控制器可以基于所述高侧控制信号来对所述低侧控制信号进行死区时间控制。
[0009]在另一实施例中，一种操作栅极驱动器的方法，所述栅极驱动器包括:高侧驱动芯片，其放大输入的控制信号并驱动高侧晶体管的栅极；以及低侧驱动芯片，其驱动低侧晶体管的栅极，所述方法包括:放大用于控制所述高侧晶体管的高侧控制信号并且将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极；放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极；对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号；以及放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并且输出经放大的所述经死区时间控制的低侧控制信号，其中所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子，且所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备。
[0010]所述低侧控制信号的所述死区时间控制可以包括基于所述高侧控制信号来对所述低侧控制信号进行死区时间控制。
[0011]在附图中和在下文描述中阐明一个或多个实施例的细节。从说明书和附图中，以及从权利要求书中，其他特征将是显而易见的。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1示出根据实施例的栅极驱动器。
[0013]图2是示出根据实施例的栅极驱动器的框图。
[0014]图3是示出根据实施例的栅极驱动器的操作的流程图。
[0015]图4示出根据另一实施例的栅极驱动器。
[0016]图5是示出根据另一实施例的栅极驱动器的框图。
[0017]图6是示出根据另一实施例的栅极驱动器的操作的流程图。
【具体实施方式】
[0018]现在将对本公开的实施例做出详细参照，实施例的示例在附图中示出。本发明可以以多种方式实行并且不限制为在此描述的实施例。图中，省略了与说明书不相关的部分以清楚地阐明本公开，并且相似的元件始终在本说明书中用相似的附图标记来表示。
[0019]将进一步理解的是，当术语〃包括(comprises) 〃和/或〃包括有(comprising) ”在本说明书中使用时，指定所阐明的元件的存在但不排除其一个或多个元件的存在或增加。
[0020]将参照附图来详细描述根据实施例的栅极驱动器。然而，本发明可以以多种不同形式体现并不应被解释为对在此阐述的实施例的限制；而是，在其他退步的发明中包括的或落入本公开的精神和范围之内的替换实施例可以通过增加、修改和变更而容易地达到，并且将对本领域技术人员完全表达本发明的概念。
[0021]在下文中，将关于图1至图3而描述栅极驱动器。
[0022]图1示出根据实施例的栅极驱动器。
[0023]根据实施例的栅极驱动器100的输入端包括:Vcc ;HINB1、2、3 ;LINB1、2、3 ;故障TB ;FLT_CLRB ;SD ;ITRIP ;以及SGND端子。Vcc端子是dc电压输入端子。HINB1，2，3端子是用于高侧栅极驱动器输出的逻辑输入端子。LINB1，2，3端子是用于低侧栅极驱动器输出的逻辑输入端子。故障TB端子标明由于过电流或欠压状态而引起的关闭。FLT_CLRB端子是用于在由于过电流或欠压状态而弓I起的关闭之后重新操作的输入端子。SD端子是用于软关闭的信号接地端子。SGND端子是作为所有信号电压的参考端子的信号接地端子。
[0024]根据实施例的栅极驱动器100的输出端包括:VB1、2、3 ;H01、H02、H03 ;VS1、2、3 ；L01、L02、L03 ;以及COM端子。VB1、2、3端子是不接地的浮空供应电压端子。H01、H02以及H03端子是栅极驱动器100的第一、第二、以及第三高侧输出端子。L01、L02、以及L03端子是栅极驱动器100的第一、第二、以及第三低侧输出端子。VS1、2、3端子是高电压浮空供应返回端子。COM端子是制动(brake)和低侧栅极驱动器的返回端子。
[0025]3相栅极驱动器可以具有与其连接的总共6个绝缘栅双极晶体管(IGBT)。IGBT分别连接到第一至第三高侧输出端子H01、H02、以及H03，和第一至第三低侧输出端子L01、L02、以及L03。详细地，栅极驱动器的第一至第三高侧输出端子HO1、H02、以及H03和第一至第三低侧输出端子L01、L02、以及L03分别连接到电阻器R0N1、R0N2、R0N3、ROM、R0N5、以及R0N6的一端。电阻器R0N1、R0N2、R0N3、R0N4、R0N5、以及R0N6的另一端分别连接到各IGBT 即 IGBTl、IGBT2、IGBT3、IGBT4、IGBT5、以及 IGBT6 的栅极端子。
[0026]图2是示出根据实施例的栅极驱动器的框图。
[0027]栅极驱动器100包括输入控制单元101、死区时间控制单元103、电平转换器105、第一锁存和保护电路107、第二锁存和保护电路109、以及输出驱动器111。
[0028]输入控制单元101控制脉冲类型的控制信号输入以使得控制信号具有恒定的幅度并且输入控制单元101传送该控制信号。输入控制单元101可以是施密特(Schmitt)触发电路。Schmitt触发电路是通过当脉冲输入的幅度大于预定值时突然操作、且当脉冲输入的幅度等于或小于预定值时立即停止操作而输出恒定输出的电路。
[0029]死区时间控制单元103对所接收的低侧和高侧控制信号进行死区时间控制以使得不同时传送所接收的低侧和高侧控制信号并且传送经死区时间控制的低侧和高侧控制信号。死区时间控制是为了防止由于同时施加高侧和低侧控制信号而引起的非常大的电流流经元件并破坏元件。详细地，死区时间控制是为了控制高侧和低侧控制信号以使得在足够的时间间隔内放大高侧和低侧控制信号并将其传送到栅极。
[0030]电平转换器105将经死区时间控制的高侧控制信号电平转换成600v或更高的高电平电压。由于基准电压源是通过dc电压Vcc来控制的，低侧控制信号不需要通过电平转换器105的电平转换。
[0031]第一锁存和保护电路107包括锁存器和保护电路。当接收到经电平转换的信号时，该锁存器存储经电平转换的信号，并且，当未接收到信号时，该锁存器传送所存储的经电平转换的信号。保护电路对栅极驱动器100执行软关闭，以用于当栅极电压非常低或栅极处在去饱和状态时保护栅极。栅极电压是否为低可以通过确定栅极电压是否低于预定参考电压来确定。当栅极电压为低时，IGBT会在有源区中操作并且快速过热。因而，需要对栅极驱动器100执行软关闭以保护栅极。此外，在去饱和状态的情况下，发射极端子电压为大约5至8v，栅极端子电压为高，并且穿过IGBT的电流极其大于IGBT的在正常操作中的电流。因而，需要通过对栅极驱动器100执行软关闭来保护栅极。
[0032]第二锁存和保护电路109与第一锁存和保护电路107同等地操作。然而，第二保护电路109接收未经电平转换的低侧控制信号。因而，第二锁存和保护电路109接收并传送低侧控制信号。当栅极电压非常低或处在去饱和状态时，第二锁存和保护电路109对栅极驱动器100执行软关闭以用于保护栅极。
[0033]输出驱动器111放大所接收的信号并输出经放大的信号。
[0034]图3是示出根据实施例的栅极驱动器的操作的流程图。
[0035]输入控制单元101控制以脉冲类型输入的控制信号以使得控制信号具有恒定的幅度并且传送该控制信号(操作S101)。特别是，Schmitt触发电路可以控制以脉冲类型输入的控制信号。
[0036]死区时间控制单元103进行死区时间控制以不允许同时传送所接收的低侧和高侧控制信号并且传送经死区时间控制的低侧和高侧控制信号(操作S103)。详细地，死区时间控制单元103可以在从高侧控制信号被传送时起经过恒定时间之后传送低侧控制信号。
[0037]电平转换器105将经死区时间控制的高侧控制信号的电平转换为600v或更高的高电平电压(操作S105)。
[0038]当接收到经电平转换的信号时，第一锁存和保护电路107存储所接收的信号，并且，当未接收到信号时，传送所存储的信号(操作S107)。这里，当栅极电压非常低或栅极处在去饱和状态时，第一锁存和保护电路107对栅极驱动器100执行软关闭。栅极电压是否为低可以通过栅极电压是否低于预定参考电压来确定。
[0039]当接收到经电平转换的信号时，第二锁存和保护电路109存储所接收的信号，并且，当未接收到信号时，传送所存储的信号(操作S109)。这里，当栅极电压非常低或处在去饱和状态时，第二锁存和保护电路109对栅极驱动器100执行软关闭。
[0040]输出驱动器111放大所接收的信号并输出经放大的信号(操作S111)。栅极根据经放大的信号而操作。
[0041]以这种方式，当栅极驱动器100的高侧和低侧被包括在一个芯片中时，对于U、V、以及W相的各相位，在相位之间可能发生对高电压信号的同时操作和干扰。因而，可能发生故障并且需要用于应对上述限制的栅极驱动器100。
[0042]图4示出根据另一实施例的栅极驱动器。
[0043]根据另一实施例的栅极驱动器200包括高侧驱动芯片500和低侧驱动芯片700，各芯片是独立地制备的。
[0044]根据另一实施例栅极驱动器200的高侧驱动芯片500的输入端包括Vcc和HINBl、2、3端子。HINB1、2、3端子是用于栅极驱动器的输出的逻辑输入端子。Vcc端子是dc电压输入端子。
[0045]根据另一实施例的栅极驱动器200的高侧驱动芯片500的输出端包括:VB1、2、3 ；H01、H02、H03 ;以及VS1、2、3端子。VB1、2、3端子是浮空供应电压端子，其供应不接地的电压。H01、H02、以及H03端子是栅极驱动器200的高侧驱动芯片500的第一、第二、以及第三输出端子。
[0046]此外，根据另一实施例的栅极驱动器200的高侧驱动芯片500包括在其一侧上的HINB1、2、3输出端子。作为通过HINB1、2、3输入端子接收的高侧控制信号通过HINB1、2、3输出端子输出。通过FAULTI端子接收来自低侧驱动芯片700的根据次电压或过电流状态而引起的异常操作的关闭信号，FAULTI端子是高侧驱动芯片500的一侧上的输入端子。
[0047]根据实施例的栅极驱动器200的低侧驱动芯片700的输入端包括:LINB1、2、3 ；FAULTTB, FLT_CLRB、SD、ITRIP、以及SGND端子。LINB1、2、3端子是用于低侧驱动芯片700的栅极驱动器输出的逻辑输入端子。FAULTTB端子标明由于过电流或欠压状态而引起的关闭。FLT_CLRB端子是用于在由于过电流或欠压状态而引起的关闭之后重新操作的输入端子。SD端子是用于软关闭的输入端子。ITRIP端子是用于在发生过电流状态时软关闭的输入端子。SGND端子是作为所有信号电压的参考端子的信号接地端子。
[0048]根据另一实施例的栅极驱动器200的低侧驱动芯片700的输出端包括:L01、L02、L03、以及COM端子。L01、L02、以及L03端子分别代表栅极驱动器200的第一、第二、以及第三低侧输出端子。VS1、2、3端子是高电压浮空供应返回端子。COM端子是制动和低侧栅极驱动返回端子。
[0049]根据另一实施例的栅极驱动器200的低侧驱动芯片700包括在其一侧上的INB1、2、3输入端子。HINB1、2、3输入端子侧接收来自高侧驱动芯片500的高侧控制信号。此外，低侧驱动芯片700包括在其一侧上的FAULTO输出端子。从FALUTO输出端子中输出由于根据欠电压或过电流状态的异常操作而引起的关闭信号。
[0050]根据实施例的3相栅极驱动器可以包括总共6个IGBT。各IGBT连接到栅极驱动器的高侧驱动芯片500的第一至第三输出端子H01、H02以及H03并且连接到栅极驱动器的低侧驱动芯片700的第一至第三输出端子L01、L02、以及L03。详细地，第一至第六电阻器R0N1、R0N2、R0N3、R0N4、R0N5以及R0N6的一端分别连接到栅极驱动器的高侧驱动芯片500的第一至第三输出端子H01、H02、以及H03和栅极驱动器的低侧驱动芯片700的第一至第三输出端子L01、L02、以及L03。第一至第六电阻器R0N1、R0N2、R0N3、ROM、R0N5以及R0N6的另一端分别连接到第一至第六IGBT即IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4、IGBT5以及IGBT6的栅极端子。
[0051]图5是示出根据另一实施例的栅极驱动器的框图。
[0052]栅极驱动器200包括高侧驱动芯片500和低侧驱动芯片700。高侧驱动芯片500包括输入控制单元501、电平转换器503、第一锁存器505、低电压感测单元507以及输出驱动器509。
[0053]输入控制单元501控制以脉冲类型输入的控制信号以使得其幅值是恒定的，并且传送该控制信号。输入控制单元501可以是Schmitt触发电路。Schmitt触发电路是用于通过当脉冲输入的幅度大于预定值时突然操作、且当脉冲输入的幅度等于或小于预定值时立即停止操作而获得恒定输出的电路。
[0054]电平转换器503将经控制的高侧控制信号电平转换成600v或更高的高电平电压。
[0055]当接收到经电平转换的信号时，第一锁存器505存储该信号，并且当未接收到经电平转换的信号时，第一锁存器505传送所存储的信号。
[0056]当栅极电压为低时，低电压感测单元507输出低电压感测信号。栅极电压是否为低电压可以通过栅极电压是否低于预定参考信号来确定。高侧驱动芯片500根据低电压感测信号而被软关闭。
[0057]输出驱动器509放大所接收的控制信号并且输出经放大的信号。
[0058]低侧驱动芯片700包括输入控制器和死区时间控制单元701，保护电路703，输出驱动器705，以及故障逻辑电路707。
[0059]输入控制器和死区时间控制单元701包括输入控制器和死区时间控制单元。输入控制器控制以脉冲类型输入的控制信号以使得其幅值是恒定的，并且传送该控制信号。控制单元可以是Schmitt触发电路。死区时间控制单元对所接收的高侧和低侧控制信号进行死区时间控制以使得不将高侧和低侧控制信号同时传送到栅极，并且传送经死区时间控制的高侧和低侧信号。因而，需要将死区时间控制单元连接到高侧驱动芯片500的输入控制单元501，从而能够确定高侧信号。根据另一实施例的栅极驱动器200通过一侧的HINB1、2、3端子来接收高侧控制信号。
[0060]在栅极电压非常低的情况下，低电压感测单元703输出低电压感测信号。
[0061]输出驱动器705放大所接收的信号并输出经放大的信号。
[0062]当通过FAULTB或ITRIP端子输入了具有参考值或大于参考值的输入、或低电压感测单元703输出软关闭信号时，故障逻辑电路707对高侧驱动芯片500和低侧驱动芯片700的所有操作执行软关闭。因而，由于不仅低侧驱动芯片700、而且高侧驱动芯片500也被软关闭，故障逻辑电路707通过FAULTI端子传送软关闭信号。
[0063]由于根据另一实施例的栅极驱动器包括如上所述的作为单独的芯片的高侧和低侦牝因此即使在高功率下也不会发生由于各相位引起的干扰。此外，可以降低在栅极驱动器的操作期间由于高侧驱动芯片500所产生的热而引起的对低侧驱动芯片700的影响并且也可以降低由于低侧驱动芯片700所产生的热而引起的对高侧驱动芯片500的影响。
[0064]此外，根据实施例，在高侧驱动芯片500和低侧驱动芯片700被包括在一个芯片中的情况下的芯片尺寸大于根据另一实施例的高侧驱动芯片500和低侧驱动芯片700的尺寸之和。因而，与根据另一实施例的相比，可以降低根据该实施例的栅极驱动器的尺寸。
[0065]图6是示出根据另一实施例的栅极驱动器的操作的流程图。
[0066]高侧驱动芯片500的输入控制单元501控制以脉冲类型输入的控制信号以使得其幅值是恒定的并且传送该控制信号(操作S301)。
[0067]高侧驱动芯片500的电平转换器503将所接收的控制信号的电平转换成600v或更高的高电平电压(操作S303)。
[0068]当接收到经电平转换的控制信号时高侧驱动芯片500的锁存器505存储经电平转换的控制信号，并且当未接收到经电平转换的控制信号时其传送所存储的信号。
[0069]高侧驱动芯片500的低电压感测单元507确定栅极电压何时处于栅极电压非常低的低电压状态(操作S307)。栅极电压是否是低电压可以通过栅极电压是否低于预定参考值来确定。
[0070]当栅极电压处在低电压状态时，高侧驱动芯片500的低电压感测单元507输出低电压感测信号(操作S309)。
[0071]高侧驱动芯片500根据低电压感测信号来执行软关闭(操作S311)。
[0072]高侧驱动芯片500的输出驱动器309放大所接收的控制信号并输出经放大的信号(操作 S313)。
[0073]低侧驱动芯片700的输入控制器和死区时间控制单元701控制低侧控制信号以使得其幅值为恒定的，并且对低侧控制信号进行死区时间控制和传送(操作S315)。
[0074]死区时间控制单元基于通过在低侧驱动芯片500的一侧上的HINB1、2、3端子所接收的高侧控制信号来对低侧控制信号进行死区时间控制并且传送经死区时间控制的低侧控制信号。详细地，死区时间控制单元可以在从高侧控制信号被传送时起经过恒定时间之后传送低侧控制信号。
[0075]低电压感测单元703确定栅极电压是否处在栅极电压非常低的低电压状态(操作S317)。
[0076]当栅极电压处在低电压状态时，低电压感测单元703对栅极驱动器200的低侧驱动芯片700执行软关闭并将软关闭信号传送至故障逻辑电路707 (操作S319)。
[0077]故障逻辑电路707确定是否通过FAULTB或ITRIP端子输入了具有参考值或大于参考值的输入或者保护电路703是否输出软关闭信号(操作S321)。
[0078]当通过FAULTB或ITRIP端子输入了具有参考值或大于参考值的输入或保护电路703输出软关闭信号时，故障逻辑电路707对高侧驱动芯片500和低侧驱动芯片700的所有操作执行软关闭(操作S323)。因而，由于不仅低侧驱动芯片700、而且高侧驱动芯片500也被软关闭，故障逻辑电路707的输出连接到高侧驱动芯片500的输入控制器501，更具体地，故障逻辑电路707的输出通过在低侧驱动芯片700的一侧上的FAULTO端子和在高侧驱动芯片500的该侧上的FAULTI端子连接到输入控制器501。
[0079]低侧驱动芯片700的输出驱动器705放大所接收的信号并输出经放大的信号(操作 S325)。
[0080]根据实施例的栅极驱动器可以使由于驱动例如IGBT的高功率3相栅极的高电压而引起的相位之间的干扰最小化并且使在栅极驱动器的操作期间所产生的热的影响最小化。
[0081]尽管已经参照其多个图示出的实施例描述了实施例，应当理解，本领域技术人员可以设计出将落入本公开的原理的精神和范围之内的许多其他修改和实施例。尤其是，在本公开、附图以及所附权利要求书的范围之内的主题组合布置的成分和/或布置中，多种变化和修改是可能的。除了对成分和/或布置的变化和修改之外，对本领域技术人员而言，替换使用也将是显而易见的。
【权利要求】
1.一种栅极驱动器，其放大输入的控制信号以驱动高侧和低侧晶体管的栅极，所述栅极驱动器包括: 高侧驱动芯片，其放大用于控制高侧晶体管的高侧控制信号并将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极；以及 低侧驱动芯片，其放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极， 其中所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子， 所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备，并且 所述低侧驱动芯片包括死区时间控制单元和输出驱动器，所述死区时间控制单元对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号，所述输出驱动器放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并输出被放大的信号。
2.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中所述死区时间控制器基于所述高侧控制信号来对所述低侧控制信号进行死区时间控制。
3.根据权利要求2所述的栅极驱动器，其中所述死区时间控制单元在从所述高侧控制信号被传送时起经过预定时间之后传送所述低侧控制信号。
4.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中所述低侧驱动芯片包括故障逻辑电路，其对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。
5.根据权利要求4所述的栅极驱动器，其中所述低侧驱动芯片包括低电压感测单元， 当栅极的电压低于参考电压时，所述低电压感测单元将低电压感测信号输入至所述故障逻辑电路， 当接收到低电压感测信号时，所述故障逻辑电路对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。
6.一种操作栅极驱动器的方法，所述栅极驱动器包括:高侧驱动芯片，其放大输入的控制信号并驱动高侧晶体管的栅极；以及低侧驱动芯片，其驱动低侧晶体管的栅极，所述方法包括: 放大用于控制所述高侧晶体管的高侧控制信号并且将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极； 放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极； 对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号；以及放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并且输出经放大的所述经死区时间控制的低侧控制信号， 其中所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子，并且 所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备。
7.根据权利要求6所述的方法，其中对所述低侧控制信号的所述死区时间控制包括基于所述高侧控制信号而对所述低侧控制信号进行死区时间控制。
8.根据权利要求7所述的方法，其中基于所述高侧控制信号而对所述低侧控制信号进行的所述死区时间控制包括在从所述高侧控制信号被传送时起经过预定时间之后传送所述低侧控制信号。
9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述软关闭的所述执行包括:当栅极的电压低于参考电压时，对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。
【文档编号】H02M1/08GK104426334SQ201410400467
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月14日 优先权日:2013年9月2日
【发明者】南景勋, 康圣熙, 金锺培 申请人:Ls产电株式会社