车载设备的制作方法

本发明涉及具有如下功能的车载设备：即、在电池逆接时，防止电流在与正常时相反的方向上流动。

背景技术：

例如专利文献1、2中提出了电源逆接保护功能，该电源逆接保护功能在车载电池的正极端子与负极端子逆接的情况下，防止因电流在与正常连接时相反的方向上流动而导致车载设备发生故障的情况。

专利文献1所涉及的电源逆接保护电路中，在对连接至电池的正极端子的电源端子和电源供给对象的控制电路进行连接的电源布线上，将N沟道型的第一FET(场效应晶体管)设置为该第一FET的寄生二极管的阳极成为电源端子侧，并且在第一FET的下游侧，将N沟道型的第二FET设置成该第二FET的寄生二极管的阴极成为第一FET侧。在电池逆接时，使第一FET和第二FET断开，利用第一FET的寄生二极管来阻止逆电流。

作为现有的电源逆接保护电路中第一FET及第二FET的各个栅极的操作电源的生成方法，下述方法是主流的方法：即、与从电池向电源供给对象进行供电的供电用电路并列地设置有电荷泵式的升压电路，并将该升压电源施加于栅极(例如，参照专利文献1)。

电荷泵式的升压电路需要升压开关用的电容器、平滑用的电容器、及用于对升压开关用的电容器进行充放电控制的多个开关元件、切换开关元件的导通和断开的控制电路等多个元器件，因此成为装置大型化及成本增加的主要原因。

为了避免装置的大型化，正在开发将上述功能集成到一个封装的电荷泵专用IC(Integrated Circuit：集成电路)、或者将电荷泵式的升压电路内置于FET中的高功能FET，它们成为避免装置的大型化的方法，但无法避免成本的增加。

此外，专利文献2中公开了使用了2个N沟道型FET的电源逆接保护电路，但未记载生成FET的操作电源的栅极驱动电源生成电路的详细情况。

另一方面，专利文献3提出了利用多电压化，而不使用电荷泵电路的结构。专利文献3所涉及的电源供给装置包括12V类电源和36V类电源，将36V类电源施加于N沟道型的FET的栅极，通过导通该FET，来控制从12V类电源向负载的供电。该方法以电源被多电压化为前提。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2007-82374号公报

专利文献2：日本专利特开2013-59167号公报

专利文献3：日本专利特开2000-261301号公报

发明概要

发明所要解决的技术问题

如上所述，现有的电源逆接保护电路需要使用电荷泵式的升压电路，因此具有装置的大型化及成本增加的问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，实现车载设备的小型化及低成本化。

課題を解決するための手段

本发明所涉及的车载设备包括：电子装置，该电子装置将车载的电池作为电源进行动作；第一电源部，该第一电源部具有对电池的电压进行降压的降压DC/DC转换器；控制部，该控制部将第一电源部作为电源进行动作并控制电子装置；电源逆接保护部，该电源逆接保护部具有连接在电池与电子装置之间的FET，将该FET的寄生二极管的正方向连接为电池与电子装置以正极性进行连接的正接时电流流动的方向，在电池与电子装置以逆极性进行连接的逆接时，使FET断开，寄生二极管阻止电流在与正接时相反的方向上流动；以及第二电源部，该第二电源部利用第一电源部的降压DC/DC转换器所产生的电压，生成正接时导通电源逆接保护部的FET的驱动电压。

发明效果

根据本发明，利用降压DC/DC转换器所产生的电压来生成使电源逆接保护部的FET导通的驱动电压，因此，与使用电荷泵式的升压电路的情况相比，能实现车载设备的小型化及低成本化。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的车载设备的结构的电路图。

图2是表示实施方式1所涉及的车载设备的各部的动作波形的曲线图。

图3是表示本发明的实施方式2所涉及的车载设备的结构的电路图。

图4是表示本发明的实施方式3所涉及的车载设备的结构的电路图。

图5是表示本发明的实施方式4所涉及的车载设备的结构的电路图。

图6是表示本发明的实施方式5所涉及的车载设备的结构的电路图。

图7是表示实施方式5所涉及的车载设备的各部的动作波形的曲线图。

图8是表示将本发明的实施方式6所涉及的车载设备的2个FET形成为一体后的电路图。

图9是表示将实施方式6所涉及的车载设备的2个FET形成为一体后的结构的示意图。

具体实施方式

下面，为了更详细地说明本发明，根据附图对用于实施本发明的方式进行说明。

实施方式1.

如图1所示，实施方式1所涉及的车载设备1包括：将车载的电池100作为电源进行动作的电子装置2；控制电子装置2的控制部3；对控制部3进行供电的降压型DC/DC转换器(buck converter、降压转换器)式的第一电源部4；阻止电池100与电子装置2以逆极性连接时流过的逆电流的电源逆接保护部6；以及生成对电源逆接保护部6进行驱动的驱动电压的第二电源部7。

下面，将电池100以正极性与车载设备1连接的情况称为正接，将电池100以逆极性与车载设备1连接的情况称为逆接。

车载设备1是例如搭载于车辆的ECU(Electronic Control Unit：电子控制单元)。控制部3是例如CPU(Central Processing Unit：中央处理器)，利用由第一电源部4供给的电力进行动作。利用实施方式4对电子装置2的具体例进行说明。

电源逆接保护部6具备连接在电池100与电子装置2之间的半导体开关。实施方式1中，将N沟道型的FET11使用于半导体开关。FET11在电池100正接时导通，在逆接时断开。

此外，FET11具有寄生二极管D1。电池100的正极端子与寄生二极管D1的阳极端子相连接，寄生二极管D1的阴极端子与电子装置2相连接。在电池100正接时，电流在寄生二极管D1的正方向上流动，在电池100逆接时，寄生二极管D1阻止电流在与正接时相反的方向上流动。

第一电源部4具有降压DC/DC转换器，该降压DC/DC转换器由开关元件(例如具有寄生二极管D2的P沟道型的FET12)、变压器T1的初级绕组L1(第一线圈)、回流二极管D3构成。降压DC/DC转换器的输入侧与FET111的寄生二极管D1的阴极端子相连接，该降压DC/DC转换器的输出侧与控制部3相连接，利用降压控制IC5对FET12进行开关操作，并在初级绕组L1产生开关电压，对控制部3进行供电。

实施方式1中，对降压DC/DC转换器的一般使用扼流线圈的部分使用变压器T1。该变压器T1的次级绕组L2(第二线圈)的卷绕起始端与电池100的正极端子相连接，变压器T1的次级绕组L2的卷绕结束端与整流二极管D4的阳极端子相连接。整流二极管D4的阴极端子与N沟道型的FET11的栅极端子相连接。由变压器T1的次级绕组L2、整流二极管D4、平滑电容器C1构成第二电源部7。该第二电源部7是利用在变压器T1的初级绕组L1产生的电压，来生成用于驱动FET11的驱动电压的电源部。

对电源逆接保护部6的FET11使用N沟道型的FET的第一目的在于，在电池100逆接时，利用FET11的寄生二极管D1来阻止在与正接时相反的方向上流动的电流，防止车载设备2的故障。

第二目的在于，正接时，通过向FET11的栅极端子供给比电池100的电压要高的驱动电压并导通FET11，从而减轻N沟道型的FET11的功耗。

接着，说明向N沟道型的FET11的栅极端子供给比电池100的电压要高的驱动电压的方法。

图2是表示实施方式1所涉及的车载设备1的各部的动作波形的曲线图，各曲线的横轴是时间，纵轴是电压。a部是变压器T1的初级绕组L1的卷绕起始端的端子电压，b部是变压器T1的初级绕组L1的卷绕结束端的端子电压，(a-b)是施加于变压器T1的初级绕组L1的电压，c部是变压器T1的次级绕组L2的卷绕起始端的端子电压，d部是变压器T1的次级绕组L2的卷绕结束端的端子电压，e部是施加于电源逆接保护部6的FET11的栅极端子的驱动电压，(e-c)是电源逆接保护部6的FET11的栅极-源极间电压。

如图2所示，变压器T1的初级绕组L1的卷绕起始端(a部)的端子电压根据FET12的导通和断开，在电池100的电压V_B与回流二极管D3的正向电压V_F之间进行切换。变压器T1的初级绕组L1的卷绕结束端(b部)的端子电压是控制部3的驱动电压V_CPU。因此，施加于变压器T1的初级绕组L1的电压(a-b)在从电池100的电压V_B减去控制部3的驱动电压V_CPU后得到的电压(＝+V_B-V_CPU)和从回流二极管D3的正向电压V_F减去控制部3的驱动电压V_CPU后得到的电压(＝-V_F-V_CPU)之间进行切换。

如下式(1)所示，对变压器T1的次级绕组L2施加对变压器T1的初级侧的开关电压(a-b)乘以变压器T1的匝数比(＝次级绕组L2的匝数N2/初级绕组L1的匝数N1)后得到的开关电压V_L2。

V_L2＝－(V_F－V_CPU)×N2/N1，

－(+V_B－V_CPU)×N2/N1 (1)

通过将变压器T1的次级绕组L2的卷绕起始端(c部)与电池100相连接，从而在次级绕组L2的卷绕结束端(d部)产生对施加于变压器T1的次级侧的开关电压V_L2进一步加上电池100的电压V_B后得到的电压。

也就是说，变压器T1的次级绕组L2的卷绕结束端(d部)产生的开关电压的最大值成为如下值：即，将控制部3的驱动电压V_CPU与回流二极管D3的正向电压V_F相加后得到的值乘以变压器T1的匝数比，并将该值与电池100的电压V_B相加后得到的值。

利用整流二极管D4和平滑电容器C1对变压器T1的次级绕组L2的卷绕结束端(d部)产生的最大电压进行平滑，并将平滑后的最大电压施加于电源逆接保护部6的FET11的栅极端子，从而FET11导通。

详细情况将在后文阐述，但控制部3的驱动电压V_CPU与回流二极管D3的正向电压V_F几乎不会变动，因此即使电池100的电压V_B变动，施加于变压器T1的初级绕组L1的开关电压的低压侧几乎不变动，因此，次级绕组L2的卷绕结束端(d部)产生的开关电压的高压侧也几乎不变动。此外，次级绕组L2的卷绕结束端(d部)产生的开关电压能通过变压器T1的匝数比自由地设定。因此，次级绕组L2的卷绕结束端(d部)与电源逆接保护部6的FET11的栅极端子相连接。

接着，讨论使用于电源逆接保护部6的FET11的栅极-源极间的耐压。

例如，将电池100的电压V_B设为12V，将控制部3的驱动电压V_CPU设为5V，将变压器T1的初级绕组L1的匝数N1设为10匝，将回流二极管D3的正向电压V_F设为0.7V。此处，在希望将FET11的驱动电压设定为10V的情况下，通过将变压器T1的次级绕组L2的匝数N2设为20匝，从而根据式(2)FET11的栅极-源极间电压V_GS能成为10.7V，能生成所希望的驱动电压。

V_GS＝－(－V_F－V_CPU)×N2/N1－V_F (2)

＝10.7V

作为决定FET11的驱动电压的重要参数，变压器T1的匝数比N2/N1和控制部3的驱动电压V_CPU处于支配地位。

另一方面，通常变压器T1的匝数不存在偏差、并且考虑输入电压及周边温度的影响而高精度地设计驱动电压V_CPU，由此，对于FET11的驱动电压的精度，回流二极管D3的正向电压V_F所产生的影响处于支配地位。

此处，为了决定FET11的栅极-源极间的耐压，计算施加于栅极-源极间的电压V_GS的最大值。

例如，将电池100的电压V_B设为12V，将控制部3的驱动电压V_CPU设为5V，将变压器T1的初级绕组L1的匝数N1设为10匝，将次级绕组L2的匝数N2设为20匝，将周围温度设为-40℃、将回流二极管D3的正向电压V_F在室温环境(25℃)下设为0.7V，将温度变化率设为-2.2mV/℃。在该情况下，在25℃的室温环境下，如上式(2)的计算所示，电压V_GS成为10.70V。与此相对地，在-40℃的环境下，通过式(3)回流二极管D3的正向电压V_F成为0.84V，因此电压V_GS成为10.98V。

V_F＝(室温-周围温度)×温度变化率+0.7 (3)

＝0.84V

对于25度到-40度的温度变化，栅极-源极间电压V_GS的变动率为0.3V左右，足够作为施加于栅极-源极间的电压的精度。

利用上述计算结果，对于使用于电源逆接保护部6的FET11的栅极-源极间的耐压，选择20V产品。

实施方式1中，对第一电源部4的降压DC/DC转换器的一般使用扼流线圈的部分使用变压器T1。利用该变压器T1的初级绕组L1的线圈性能，将其用作降压DC/DC转换器的电压转换用元件，并生成控制部3的驱动电压V_CPU。另一方面，变压器T1的次级绕组L2生成对初级绕组L1的电压乘以变压器T1的匝数比后得到的比电池100的电压V_B要高的电压，并对该电压进行平滑，从而生成电源逆接保护部6的FET11的驱动电压。能利用变压器T1、整流二极管D4、及平滑电容器C1这三点来生成FET11的驱动电压，因此能以简单的结构实现廉价的电源逆接保护功能。

用于电源逆接保护部6的N沟道型的FET11的消耗电流非常低，由此在将施加于变压器T1的次级绕组L2的损耗功率与初级绕组L1的损耗功率相比较的情况下，能基本无视施加于变压器T1的次级绕组L2的损耗功率。因此，用于变压器T1的铁心与使用扼流线圈的情况的铁心可以是相同尺寸。此外，也不需要增大初级绕组L1的绕组直径的尺寸。由此，将扼流线圈置换为变压器T1而构成的元器件的尺寸增加及成本增加变小，能以较小的元器件面积来实现电源逆接保护功能。

因此，与现有的使用了电荷泵式的升压电路的电源逆接保护电路相比，实施方式1能在实现同等的功能的基础上削减元器件个数，且能简化结构，因此能实现车载设备1的小型化及低成本化。

并且，从电源逆接保护部6的FET11的漏极端子向第一电源部4的降压DC/DC转换器进行供电，因此能防止电池100逆接时逆电流向电池100流动的情况。

另一方面，在降压DC/DC转换器与电池100相连接的情况下(未图示)，电池100逆接时逆电流经由回流二极管D3及FET12的寄生二极管D2流向电池100，由此车载设备2可能发生故障。

如上所述，根据实施方式1，车载设备1构成为包括：将电池100作为电源进行动作的电子装置2；具有对电池100的电压进行降压的降压DC/DC转换器的第一电源部4；将第一电源部4作为电源进行动作并控制电子装置2的控制部3；具有连接在电池100与电子装置2之间的FET11，将该FET11的寄生二极管D2的正方向设为电池100正接时电流流动的方向，电池100逆接时使FET11断开，寄生二极管D1阻止电流在与正接时相反的方向上流动的电源逆接保护部6；以及利用第一电源部4的降压DC/DC转换器产生的电压，生成正接时导通电源逆接保护部6的FET11的驱动电压的第二电源部7。该第二电源部7能由变压器T1的次级绕组L2、整流二极管D4、及平滑电容器C1这三点构成，因此能以简单的结构实现廉价的电源逆接保护部6。因此，与使用电荷泵式的升压电路来生成FET的驱动电压的情况相比，能实现车载设备1的小型化及低成本化。

实施方式2.

图3是表示实施方式2所涉及的车载设备1的结构的电路图。图3中，对于与图1相同或相当的部分标注相同的标号，并省略说明。

实施方式2中，电源逆接保护部6的N沟道型的FET11a配置于电池100的负极端子侧。

在N沟道型的FET11连接于电池100的正极端子侧的情况下(图1)，其寄生二极管D1的阳极端子与电池100相连接，阴极端子与电子装置2相连接，在N沟道型的FET11a连接于负极端子侧的情况下(图3)，其寄生二极管D1的阳极端子与电子装置2相连接，阴极端子与电池100的负极端子相连接。此外，变压器T1的初级绕组L1的卷绕结束端与控制部3相连接，次级绕组L2的卷绕起始端与电池100相连接。

实施方式2的结构也能获得与上述实施方式1相同的效果。变压器T1的初级绕组L1的电压与次级绕组L2的电压绝缘，因此能容易地将N沟道型的FET11a配置于电池100的负极端子侧。

实施方式3.

图4是表示实施方式3所涉及的车载设备1的结构的电路图。图4中，对于与图1相同或相当的部分标注相同的标号，并省略说明。

实施方式3中，对电源逆接保护部6的半导体开关使用P沟道型的FET11b。

在使用N沟道型的FET11的情况下(图1)，变压器T1的次级绕组L2的卷绕起始端与电池100相连接，次级绕组L2的卷绕结束端与整流二极管D4相连接，在使用P沟道型的FET11b的情况下(图4)，变压器T1的次级绕组L2的卷绕方向变为相反，次级绕组L2的卷绕结束端与电池100相连接，次级绕组L2的卷绕起始端与整流二极管D4相连接。此外，变压器T1的初级绕组L1的卷绕起始端与控制部3相连接。

实施方式3的结构也能获得与上述实施方式1相同的效果。此外，仅通过使变压器T1的次级绕组L2的卷绕方向变为相反，就能容易地将负电位的驱动电压提供给P沟道型的FET11b的栅极端子。

实施方式4.

图5是表示实施方式4所涉及的车载设备1的结构的电路图。图5中，对于与图1相同或相当的部分标注相同的标号，并省略说明。

实施方式4中，对上述实施方式1～3的车载设备1追加半导体开关，该半导体开关切换电池100到电子装置的电力的供给和切断。与电源逆接保护部6的FET11相同，将具有寄生二极管D21的N沟道型的FET21用作上述半导体开关。与电源逆接保护部6的FET11相同，将第二电源部7生成的电压用作用于驱动该FET21的驱动电压。

实施方式4中，作为对电池100进行供电的电子装置2(图1)，例示出LED(发光二极管)点亮装置2a和LED2b。LED点亮装置2a将电池100作为电源进行动作，并点亮LED2b。

信号传输部22是将第二电源部7生成的驱动电压传输至FET21的电路，信号传输部22根据控制部3输出的导通断开切换信号S1进行动作，从而切换FET21的导通和断开。信号传输部22中，晶体管TR21的发射极端子与第二电源部7相连接，集电极端子与电阻R21相连接，基极端子经由电阻R22与晶体管TR22的集电极端子相连接。晶体管TR22的发射极端子与电池100的负极端子侧相连接，基极端子经由电阻R23与控制部3相连接。

若从控制部3向晶体管TR22输出高电平的导通断开切换信号S1，则晶体管TR22导通，由此晶体管TR21导通。于是，第二电源部7向FET21施加驱动电压，FET21导通，并向LED点亮装置2a进行供电。另一方面，从控制部3向晶体管TR22输出低电平的导通断开切换信号S1，则晶体管TR22及晶体管TR21断开，因此FET21断开，切断对LED点亮装置2a的供电。在电池100向LED点亮装置2a进行供电的状态下，在控制部3将导通断开切换信号S1从高切换到低时，FET21迅速停止。相反地，也能迅速地起动FET21。

控制部3作为输入电压信号S2获取从电池100输入的电压，并监视输入电压。控制部3获取表示LED点亮装置2a是正常还是异常的状态信号S3，监视LED点亮装置2a。并且，控制部3获取表示LED2b是正常还是异常的状态信号S4，监视LED2b。在监视多个信号的情况下，控制部3若检测到输入电压信号S2、状态信号S3、及状态信号S4中的至少一个成为表示异常的值，则输出高电平的导通断开切换信号S1并使FET21断开，切断从电池100到LED点亮装置2a的供电。

如上所述，根据实施方式4，车载设备1构成为在电源逆接保护部6的FET11与LED点亮装置2a(电子装置)之间具备切换从电池100到LED点亮装置2a的通电和切断的FET21，FET21利用第二电源部7生成的驱动电压来进行动作。因此，能根据状况切换电源的供给/停止，功能性得到提高。控制部3能在检测到电池100、LED点亮装置2a、LED2b等的异常时操作FET21，并停止电源供给，因此能在某个功能故障后防止连锁的故障。

另外，图示例中，在电源逆接保护部6的FET11和LED点亮装置2a之间连接有FET21，但也可以连接在电池100与电源逆接保护部6的FET11之间。

实施方式5.

图6是表示实施方式5所涉及的车载设备1的结构的电路图。图6中，对于与图5相同或相当的部分标注相同的标号，并省略说明。

实施方式5中，对上述实施方式4的信号传输部22追加积分器31，抑制起动时的输入浪涌电流。积分器31例如由电阻R31和电容器C31构成，与切换从电池100到LED点亮装置2a的电力的供给和切断的半导体开关用的FET21的栅极端子相连接。

图7是表示实施方式5所涉及的车载设备1的各部的动作波形的曲线图，曲线的横轴表示时间，纵轴表示电压或电流。f部是电池100的电压，g部是控制部3的驱动电压，h部是FET11和FET21的驱动电压，i部是控制部3输出的FET21的导通断开切换信号(高活性)，j部是FET21的栅极端子电压，k部是FET21的源极端子电压，m部是LED点亮装置2a的输入侧的大容量电容器C32的电流，n部是流过LED2b的电流，p部是电池100的电流。

通过将半导体开关用的N沟道型的FET21的栅极端子控制为积分型的上升沿(图7的j部)，源极端子也同样地成为积分型的上升沿(图7的k部)积分型波形的特征是在起动开始的时刻(图7的时刻t0)单位时间的电压变化(dV/dt)较大，随着时间的经过dV/dt变小，在到达所希望电压附近的时刻(图7的时刻t1)dV/dt接近零。

在对半导体开关用的N沟道型的FET21的源极端子、即LED点亮装置2a的大容量电容器C32的两端电压施加积分型的上升沿电压的情况下，根据电容器的基本式(4)，在dV/dt较大的起动开始的时刻(图7的t0)，有较大的电流流至大容量的电容器C32，但在到达所希望电压附近的时刻(图7的时刻t1)，dV/dt接近零，即、成为对大容量电容器C32的充电完成的状态(图7的m部)。

i(t)＝C×dV(t)/dt (4)

LED点亮装置2a在大容量电容器C32的充电完成的状态下起动LED2b(图7的时刻t1)，从而能实现LED2b的电流的稳定的上升沿(图7的n部)。

假设，在没有积分器31所形成的电流限制功能的条件下导通FET21时，LED电流装置2a的电压急剧地上升至电池100的电压电平，因此，由电池100向大容量电容器C32供给大电流。此时，LED点亮装置2a的电源供给端子(未图示)的电压因电池100与LED点亮装置2a之间的输入阻抗而急剧下降，因此，若在这样的状况下起动LED2b，则LED2b可能反复进行起动和停止。

由此，根据实施方式5，车载设备1包括将第二电源部7生成的驱动电压传输给半导体开关用的FET21的信号传输部22，信号传输部22构成为具有使FET21的切换动作变缓的积分器31。因此，能抑制起动时的输入浪涌电流。

实施方式6.

图8是将实施方式6所涉及的车载设备1的FET11和FET21形成为一体后的电路图。图9是表示将FET11和FET21形成为一体后的结构的示意图。车载设备1的其他电路结构如上述实施方式1～5中说明的那样，因此进行省略。

实施方式6中，将电源逆接保护部6的FET11与切换从电池100到电子装置2的通电和切断的半导体开关用的FET21构成为一体。如图9所示，在FET11的半导体层41的一个面形成连接源极端子11_S的源极电极42和连接栅极端子11_G的栅极电极43。同样，在FET21的半导体层51的一个面形成连接源极端子21_S的源极电极52和连接栅极端子21_G的栅极电极53。在半导体层41、51的相反侧的面形成FET11、21共用的漏极电极44，共用的漏极端子11_D连接至FET11、21。

通过使2个FET11、21的各个漏极端子共用并将FET11、21集成到一个封装，从而能削减元器件的个数和实现小型化。

另外，本发明可以在其发明的范围内，对各实施方式进行自由组合，或者对各实施方式的任意的结构要素进行变形，或者省略各实施方式中任意的结构要素。

工业上的实用性

如上所述，本发明所涉及的车载设备采用如下结构：利用向CPU进行供电的DC/DC转换器，生成驱动电源逆接保护电路的FET的电压，因此，能实现小型化及低成本化，并适合用于控制车载用光源(头灯等)的点亮装置的车载设备等。

标号说明

1车载设备、2电子装置、3控制部、4第一电源部、5降压控制IC、6电源逆接保护部、7第二电源部、11，11a，11b，12，21FET、11_G，21_G栅极端子、11_S，21_S源极端子、11_D漏极端子、22信号传输部、31积分器、41，51半导体层、42，52源极电极、43，53栅极电极、44漏极电极、100电池、C1平滑电容器、C31，C32电容器、D1，D2，D21寄生二极管、D3回流二极管、D4整流二极管、L1初级绕组、L2次级绕组、T1变压器、TR21，TR22晶体管、R21～R23，R31电阻、S1导通断开切换信号、S2输入电压信号、S3，S4状态信号。