一种远程控制装置的电容管理电路的制作方法

文档序号:12197531阅读:366来源:国知局

本实用新型涉及低压开关领域,尤其涉及一种远程控制装置的电容管理电路。



背景技术:

RCM(远程控制装置)可以配合不同的装置进行远程操作,如断路器、漏电保护,隔离开关等。其中,以隔离开关的力矩最大,可以达到1200毫牛顿米。RCM主要的执行机构为直流电机,电机的正反转带动RCM配合的装置执行断开和合闸操作。然而,电机从停止到启动,需要克服堵转扭矩,因此需要很大的启动电流,例如5或6安培。然而,由于RCM安装在配电柜中,有限的体积限制了电源的输出功率。电机在启动时根本无法满足所需要的电流,从而造成电机不能启动。如果电源突然断电,电机不动作,齿轮卡在中间位置,触点可能处于似接触和非接触的状态,这样可能会造成触点的拉弧烧坏触点。

为了解决上述问题,现有技术采用超级电容和电源共同提供能量,这样即可以解决电机不能正常启动的问题,也可以在电源停电的情况下由超级电容提供能量完成合闸或分闸操作。然而,超级电容的工作电压一般为2.7V,需要几个串联使用,如果电容上分压不均,可能会造成超级电容的过压爆裂,并且加快电容容量的衰减。

而现有技术对于超级电容的均压问题,目前主要有两种方法:一种是采用电阻分压,一种可以采用稳压管分压。电阻分压所造成的问题就是泄露电流比较大,经常对电容进行充放电,影响电容的寿命。



技术实现要素:

本实用新型的一个方面提供了一种远程控制装置的电容管理电路,其中,包括:一单片机;一管理模块,其具有复数个通信管脚,所述单片机通过复数个通信管脚连接至所述管理模块,所述管理模块还具有复数个电压感应管脚、控制端口、第一电流感应管脚;复数个第一电容,其分别并联于每两个相邻的所述复数个电压感应管脚之间,所述复数个第一电容以及其中一个电压感应管脚和控制端口之间分别并联有复数个开关器件;一第二电容,所述第二电容并联于其中一个电压感应管脚和所述电流感应管脚之间。管理模块200不仅可以实现对电容的均压,也可以是实现对电容的容值的检测。当电容衰减到一定程度,不足以带动电机动作时,单片机100不响应外部的命令。此外,本实用新型还可以保持电容电压的均衡,充电时避免超级电容过电压,测量电容的ESR。并且,本实用新型还可以实现电容过温保护,电容过漏电流保护,检测电容的容值。本实用新型还具备和单片机100通讯的接口。

根据本实用新型的一个方面,所述复数个开关器件包括并联的第一PMOS、第二PMOS和二极管。上述第一PMOS、第二PMOS和二极管用于分别充当复数个第一电容以及第二电容的开关。

根据本实用新型的另一方面,所述复数个开关器件还分别串联有复数个第一电阻,其中,所述第二PMOS的源极还连接有一第三电阻,所述第三电阻的另一端接地。第一电阻用于均衡电容的电压,第二电阻用于限流。

根据本实用新型的又一方面,所述复数个电压感应管脚还分别串联有复数个第二电阻,所述复数个第二电阻和所述复数个第一PMOS的门级分别连接于复数个第一连接点上。第二电阻用于限流,检测电容上的电压。

根据本实用新型的再一方面,所述管理模块还包括第二电流感应管脚,所述第二电流感应管脚连接于第二电容。第二电容用于供电。

根据本实用新型的另一方面,所述管理模块还包括一获知负载使能输出管脚,其连接于一NMOS的门级,所述NMOS的源极接地。NMOS用于电容容值检测。

根据本实用新型的又一方面,所述管理模块还包括一内部功率偏置输出端口和第一输出端口,其中,所述内部功率偏置输出端口连接有一第三电容,所述第三电容的另一端接地,所述第一输出端口连接于所述第三电容和接地端之间,其中,在第一输出端口和所述第三电容之间还连接有一P型三极管,所述P型三极管的集电极极连接于所述NMOS的漏极。第三电容C6用来滤波,P型三极管npn用于充当检测电容容值时的开关。

根据本实用新型的再一方面,所述管理模块还包括一充电控制端口,所述充电控制端口连接于一第三PMOS的门级,所述第三PMOS连接于主回路上。第三PMOS用于充当充放电的开关。

根据本实用新型的又一方面,所述第三PMOS的源极和漏极之间还并联有一第三电阻,所述NMOS和所述P型三极管之间还串联有一第四电阻。第三电阻R3分压控制第三PMOS,第四电阻R4用来限流。

根据本实用新型的再一方面,所述第二PMOS的门级和漏极之间还并联有一第五电阻,所述电流感应管脚和所述第二电容之间还连接有一第六电阻。

根据本实用新型的另一方面,所述电流感应管脚和电压感应管脚之间还并联有一第七电阻,其中,所述第七电阻和所述电压感应管脚连接于第二连接点上,在所述电压感应管脚和所述第二电容之间还连接有一第九电阻。第七电阻和第九电阻用于分压驱动第二PMOS和二极管。

附图说明

图1是根据本实用新型的一个具体实施例的远程控制装置的电容管理电路的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图,对本实用新型的具体实施方式进行说明。

本实用新型采用管理模块200对超级电容进行管理。此管理模块200不仅可以实现对电容的均压,也可以是实现对电容的容值的检测。当电容衰减到一定程度,不足以带动电机动作时,单片机100不响应外部的命令。此外,本实用新型还可以保持电容电压的均衡,充电时避免超级电容过电压,测量电容的ESR。并且,本实用新型还可以实现电容过温保护,电容过漏电流保护,检测电容的容值。本实用新型还具备和单片机100通讯的接口。

图1是根据本实用新型的一个具体实施例的远程控制装置的电容管理电路的结构示意图。如图1所示,本实用新型提供的远程控制装置的电容管理电路包括一单片机100、一管理模块200、复数个第一电容以及一第二电容C5。其中,示例性地,管理模块200具有通信管脚211、通信管脚212、通信管脚213、通信管脚214,单片机100通过通信管脚211、通信管脚212、通信管脚213、通信管脚214连接至管理模块200,管理模块200还具有电压感应管脚221、电压感应管脚222、电压感应管脚223、电压感应管脚224、电压感应管脚225和控制端口226以及第一电流感应管脚231。其中,示例性地,第一电容C1、第一电容C2、第一电容C3、第一电容C4分别并联于每两个相邻的电压感应管脚221、电压感应管脚222、电压感应管脚223、电压感应管脚224、电压感应管脚225之间,第一电容C1、第一电容C2、第一电容C3、第一电容C4以及其中一个电压感应管脚225和控制端口226之间分别并联有复数个开关器件。其中,第二电容C5并联于其中一个电压感应管脚225和电流感应管脚231之间。

具体地,单片机100用于控制电机,第一电容C1、第一电容C2、第一电容C3、第一电容C4以及第二电容C5用于供电。其中,管理模块200通过通信管脚211、通信管脚212、通信管脚213、通信管脚214分别与单片机100的通信界面进行通信,控制单片机100。管理模块200还包括电压均衡功能,并对第一电容C1、第一电容C2、第一电容C3、第一电容C4以及第二电容C5的充放电电流进行检测,此外,当第一电容C1、第一电容C2、第一电容C3、第一电容C4以及第二电容C5上升过快,则控制上述电容超过一个预定阈值就切断供电。管理模块200是通过开关器件对上述电容进行控制的。

示例性地,上述开关器件包括并联的第一PMOS(P1,P2,P3,P4)、第二PMOS(P5)和二极管(d1,d2,d3,d4,d5)。上述PMOS和二极管也可以替代为其他可实现开关功能的元器件,例如MOSFET等。

进一步地,第一PMOS(P1,P2,P3,P4)、第二PMOS(P5)和二极管(d1,d2,d3,d4,d5)还分别串联有复数个第一电阻R11、第一电阻R12、第一电阻R13、第一电阻R14。其中,第二PMOS(p5)的源极还连接有一第三电阻R15,所述第三电阻R15的另一端接地。

进一步地,电压感应管221、电压感应管222、电压感应管223、电压感应管224、电压感应管225还分别串联有第二电阻R21、第二电阻R22、第二电阻R23、第二电阻R24,第二电阻R21、第二电阻R22、第二电阻R23、第二电阻R24和第一PMOS(P1,P2,P3,P4)的门级分别连接于第一连接点a、第一连接点b、第一连接点c、第一连接点d上。

进一步地,管理模块200还包括第二电流感应管脚232,第二电流感应管脚232连接于第二电容C5。

进一步地,所述管理模块200还包括一获知负载使能输出管脚241,其连接于一NMOS(N1)的门级,NMOS(N1)的源极接地。

进一步地,管理模块200还包括一内部功率偏置输出端口242和第一输出端口243,其中,内部功率偏置输出端口242连接有一第三电容C6,第三电容C6的另一端接地,第一输出端口243连接于第三电容C6和接地端之间,其中,在第一输出端口243和第三电容C6之间还连接有一P型三极管npn,P型三极管npn的集电极极连接于NMOS(N1)的漏极。

进一步地,管理模块200还包括一充电控制端口244,充电控制端口244连接于一第三PMOS(P6)的门级,第三PMOS(P6)连接于主回路上。

进一步地,第三PMOS(P6)的源极和漏极之间还并联有一第三电阻R3,NMOS(N1)和P型三极管npn之间还串联有一第四电阻R4。

进一步地,第二PMOS(p5)的门级和漏极之间还并联有一第五电阻R5,电流感应管脚231和第二电容C5之间还连接有一第六电阻R6。

进一步地,电流感应管脚231和电压感应管脚225之间还并联有一第七电阻R7,其中,第七电阻R7和电压感应管脚225连接于第二连接点e上,在压感应管脚225和第二电容C5之间还连接有一第八电阻R8。

典型地,管理模块200为电容管理芯片BQ33100。

具体地,电压感应管脚221、电压感应管脚222、电压感应管脚223、电压感应管脚224、电压感应管脚225充当感应输入电压和外部电容电压均衡驱动的输出,并累计测量输入。温度检测管脚251连接有一可变电阻R8,备用管脚261用于在电源由于在备用管脚261和地段之间接入电容C7而暂时损失,为数据存储器提供备用电势。其中,第一电阻R11、第一电阻R12、第一电阻R13、第一电阻R14用于均衡电容的电压,第二电阻R22、第二电阻R23、第二电阻R24、R15用于限流,检测电容上的电压。第七电阻R7和第九电阻R9用于分压驱动第二PMOS(p5)和二极管d5,第三PMOS(P6)用于充当充放电的开关,第三电阻R3分压控制第三PMOS(P6)。NMOS(N1)用于电容容值检测,第四电阻R4用来限流,第三电容C6用来滤波,P型三极管npn用于充当检测电容容值时的开关。

尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍,但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后,对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此,本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。此外,不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求;“包括”一词不排除其它权利要求或说明书中未列出的装置或步骤;“第一”、“第二”等词语仅用来表示名称,而并不表示任何特定的顺序。

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