本实用新型涉及整流桥堆技术领域，尤其涉及一种抗浪涌电流的整流桥堆。
背景技术：
目前开关电源的输入大都采用整流后加电容滤波的形式，在开机启动瞬间，由于电容器上的初始电压为零，因而会形成很大的瞬时冲击电流，特别是大功率的开关电源其输入采用较的电解电容时，其冲击电流可大几十安培以上，在电源接通瞬间如此大的浪涌电流往往会导致整流桥堆和保险烧断。这种浪涌电流会造成电源电压波形畸变，还会污染到供电网络，影响其他电子设备的正常运行。为了抑制开关电源的这种浪涌电流，减少对电网的污染，提高开关电源的可靠性，改善电子设备的使用环境，传统方法通常会在开关电源前端加一下热敏电阻、压敏电阻、瞬态电压抑制器等元器件来对浪涌电流加以限制。这样的话会造成开关电源产品的成本增加，体积尺寸加大，PCB设计工程师不方便布线。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种抗浪涌电流的整流桥堆。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
一种抗浪涌电流的整流桥堆，包括电阻RT1、电阻MOV和电压抑制器VR1，所述电阻RT1的一端连接有市电的输入端ACL，且电阻RT1的另一端连接有二极管D2的正极、二极管D4的负极和电阻MOV，所述二极管D2的负极连接有二极管D1的负极、电压抑制器VR1和正极输出端DC1，所述二极管D1的正极连接有电阻MOV的另一端、二极管D3的负极和市电的输入端ACN，所述二极管D3的正极连接有二极管D4的正极、电压抑制器VR1的另一端和负极输出端DC2。
优选的，所述电阻RT1为热敏电阻。
优选的，所述电阻MOV为压敏电阻。
优选的，所述电压抑制器VR1为瞬态电压抑制器。
本实用新型的有益效果：
1、通过将二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻RT1、电阻MOV和电压抑制器VR1集中封装在一起，既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局；
2、通过电阻RT1，可以用于防止开关电源开机时限制浪涌电流的作用；
3、通过电阻MOV，可以用于防止开关电源的浪涌电压和浪涌流以及抑制雷电产生的突波；
4、通过电压抑制器VR1，可以用于抑制瞬态干扰和静电ESD；
本实用新型既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局，极大的提高了整流桥堆的安全性和抗静电的能力。
附图说明
图1为本实用新型提出的一种抗浪涌电流的整流桥堆的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1，一种抗浪涌电流的整流桥堆，包括电阻RT1、电阻MOV和电压抑制器VR1，电阻RT1的一端连接有市电的输入端ACL，且电阻RT1的另一端连接有二极管D2的正极、二极管D4的负极和电阻MOV，二极管D2的负极连接有二极管D1的负极、电压抑制器VR1和正极输出端DC1，二极管D1的正极连接有电阻MOV的另一端、二极管D3的负极和市电的输入端ACN，二极管D3的正极连接有二极管D4的正极、电压抑制器VR1的另一端和负极输出端DC2，通过将二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻RT1、电阻MOV和电压抑制器VR1集中封装在一起，既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局；通过电阻RT1，可以用于防止开关电源开机时限制浪涌电流的作用；通过电阻MOV，可以用于防止开关电源的浪涌电压和浪涌流以及抑制雷电产生的突波；通过电压抑制器VR1，可以用于抑制瞬态干扰和静电ESD；本实用新型既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局，极大的提高了整流桥堆的安全性和抗静电的能力。
本实用新型中，电阻RT1为热敏电阻，电阻MOV为压敏电阻，电压抑制器VR1为瞬态电压抑制器，通过将二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻RT1、电阻MOV和电压抑制器VR1集中封装在一起，既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局；通过电阻RT1，可以用于防止开关电源开机时限制浪涌电流的作用；通过电阻MOV，可以用于防止开关电源的浪涌电压和浪涌流以及抑制雷电产生的突波；通过电压抑制器VR1，可以用于抑制瞬态干扰和静电ESD；本实用新型既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局，极大的提高了整流桥堆的安全性和抗静电的能力。
工作原理：将二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻RT1、电阻MOV和电压抑制器VR1集中封装在一起，既节约了成本，又节省了电源产品的空间，还方便了PCB设计工程师布线布局，电阻RT1用于防止开关电源开机时限制浪涌电流的作用，电阻MOV用于防止开关电源的浪涌电压和浪涌流以及抑制雷电产生的突波，电压抑制器VR1用于抑制瞬态干扰和静电ESD。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。