技术特征：
技术总结
本发明公开了一种应用于升降压电路的电流采样电路及其控制方法。所述升降压电路包括参考地、第一MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管和电感器，所述电流采样电路包括第一电流采样电路、第二电流采样电路和电流处理电路，所述第一采样电路用于采样第一MOS管上流过的电流获得第一采样电流，所述第二采样电路用于采样第四MOS管上流过的电流获得第二采样电流，所述电流处理电路根据第一采样电流和第二采样电流产生第三采样电流，其中第三采样电流在一个电路工作周期内的平均值代表升降压电路的输出电流。与现有技术相比，本发明实现了芯片内部的电流采样功能，减少了电源损耗和芯片引脚数，降低了系统的成本。
技术研发人员：龚军勇;张健
受保护的技术使用者：成都芯源系统有限公司
技术研发日：2017.12.04
技术公布日：2018.04.20