1.一种高压启动电路，用以在启动时提供电流给控制器的供电端VDD及启动电容C3，其特征在于：包括晶体管ND1、电阻R1和电阻R2、NMOS管NM1和NMOS管NM2、PMOS管PM1、钳位电路、调整电路；钳位电路用于PMOS管PM1的栅极电压钳位；调整电路用于供电端VDD的电压的调整；钳位电路的输出端连接调整电路的控制端，调整电路的输入端连接电路调节电压LV节点，调整电路的输出端连接供电端VDD；
电源启机时，控制器尚未启动，供电端VDD的电压为0V，钳位电路截止、调整电路导通，晶体管自然导通，高压启动电路开启，用以让输入电压通过晶体管ND1、调整电路形成的电流通路为启动电容C3提供充电电流，使得供电端VDD的电压快速增大直至控制器启动；
控制器完成启动后，当调节电压LV节点电压高于电流镜工作阈值，钳位电路导通，PMOS管PM1导通，用以通过PMOS管、NMOS管NM1、NMOS管NM2、电阻R1形成的电流通路为电阻R1提供电流，使晶体管ND1栅源极电压达到其关断阈值，进而关断晶体管ND1，关闭高压启动电路。
2.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：电源启机过程中，若辅助绕组供电较低，控制器耗电将拉低供电端VDD及调节电压LV节点电压，调节电压LV节点电压低于电流镜工作阈值时，通过导通晶体管ND1使高压启动电路重新开启，调整电路工作，用以让输入电压通过晶体管ND1、调整电路形成的电流通路为启动电容C3提供充电电流，直至供电端VDD的电压增加至稳定，当调节电压LV节点电压再次达到电流镜工作阈值时，关断晶体管ND1，使高压启动电路关闭，节省功耗。
3.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：所述电流镜工作阈值为PMOS管PM1的导通阈值电压绝对值与钳位电路的输出钳位电压之和。
4.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：所述晶体管ND1选用高压结型场效应晶体管，或是耗尽型场效应晶体管，用于控制由电源输入电压产生的启动电流的通断，其漏极直接与电源输入电压连接，构成高压启动电路输入电压HV节点，其源极和PMOS管PM1的源极相连，构成调节电压LV节点，晶体管ND1栅极与源极之间接入电阻R1。
5.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：所述PMOS管PM1的源极连接调节电压节点LV，其栅极连接钳位电路输出端，同时通过电阻R2连接至调节电压LV节点，其漏极连接NMOS管NM1漏极。
6.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：NMOS管NM1和NM2构成比例电流镜，NMOS管NM2镜像NMOS管NM1的电流，NMOS管NM1的漏极连接其栅极、PMOS管PM1的漏极、NMOS管NM2的栅极，NMOS管NM1的源极与NMOS管NM2的源极同时接地，NMOS管NM2的漏极连接晶体管ND1栅极。
7.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：所述钳位电路，包括齐纳管DZ1、齐纳管DZ2和NMOS管NM3，齐纳管DZ1的阴极与PMOS管PM1的栅极连接，齐纳管DZ1的阳极与齐纳管DZ2的阴极连接，齐纳管DZ2的阳极与NMOS管NM3的栅极和漏极连接，NMOS管NM3的源极接地。
8.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：所述钳位电路，包括齐纳管DZ1、齐纳管DZ2和电阻R3，齐纳管DZ1的阴极与PMOS管PM1的栅极连接，齐纳管DZ1的阳极与齐纳管DZ2的阴极连接，齐纳管DZ2的阳极与电阻R3一端连接，电阻R3另一端接地。
9.根据权利要求1所述的高压启动电路，其特征在于：所述调整电路，包括NMOS管NM4，NMOS管NM4的漏极作为调整电路的输入端，NMOS管NM4的栅极作为调整电路的控制端，NMOS管NM4的源极作为调整电路的输出端。