专利名称：磁放大器直接控制的交流调压装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电气控制技术领域，尤其是涉及一种磁放大器直接控制的交流调压装置。
在现有技术中，一般采用具有单独同步电源和移相脉冲触发形成电路、脉冲变压器或光耦器等结构形式，以实现用移相脉冲来触发可控硅达到调节输出电压的作用，其主要不足之处在于结构复杂、成本高、使用和维修麻烦。
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、成本低廉、使用和维修方便的磁放大器直接控制的交流调压装置。
本实用新型的目的是这样实现的它包括输入端、输出端、可控硅主电路和磁放大器，其特征在于可控硅主电路由可控硅SCR1和SCR2反相並联而成，可控硅主电路的两端分别与输入端和输出端相接，磁放大器中的交流绕组的两端分别与可控硅SCR1和SCR2的门极相连，磁放大器中设有直流控制绕组和反馈绕组。
本实用新型与现有技术相比，具有电路设计新颖、简单、制造容易、可靠性高等优点，可应用于交流调压、可控整流、电机励磁等电气设备。
结合附图和实施例，对本实用新型具体描述如下
图1为本实用新型的电路原理图。
参照附图本实用新型由交流电源输入端的接线端3、接线端4、输出端的接线端5、接线端6，可控硅SCR1和SCR2反相並联而成的可控硅主电路1和SR式磁放大器2构成，可控硅主电路1的两端分别与输入端的接线端4和输出端的接线端6相连，SR式磁放大器2中的交流绕组N1的a端和N2的C端分别与可控硅SCR2和SCR1的门极相接，N1的b端和N2的d端相连接，SR式磁放大器2中设有直流绕组N3和反馈绕组N4，接线端7、8为直流控制绕组N3的两端，接线端9、10为反馈绕组N4的两端。使用时，本实用新型的同步电压直接来自SCR1或SCR2中的漏电流，因而不需另设单独的同步电源，采用SR式磁放大器2的交流绕组N1和N2直接跨接在SCR1和SCR2的门极之间，而直流控制绕组N3的接线端7、8与外界直流控制电源相连接时，其工作有如一个水闸闸门一样，可以控制它的开启时机，借以控制交流电路电流的大小，其性能和可控硅的导通角的变化相似，因而，采用SR式磁放大器2的这一特性来控制可控硅SCR1和SCR2的移相触发是可行的，从而在负载R2上能获得一个O→π平滑可调的输出电压。
权利要求1.一种磁放大器直接控制的交流调压装置，包括输入接线端(3)、(4)、输出接线端(5)、(6)、可控硅主电路(1)和磁放大器(2)，其特征在于可控硅主电路(1)由可控硅SCR1和SCR2反相並联而成，可控硅主电路(1)的两端分别与输入接线端(4)和输出接线端(6)相连，磁放大器(2)中的交流绕组N1的a端和N2的C端分别与可控硅SCR2和SCR1的门极相接，N1的b端和N2的d端相连，磁放大器(2)中设有直流控制绕组N3和反馈绕组N4。
专利摘要本实用新型属于电气控制技术领域，尤其是涉及一种磁放大器直接控制的交流调压装置，它主要由输入端、输出端、可控硅主电路和磁放大器组成，其特征是可控硅主电路由可控硅SCR
文档编号H02M5/02GK2143027SQ9223998
公开日1993年9月29日 申请日期1992年11月8日 优先权日1992年11月8日
发明者章兆民 申请人:章兆民