专利名称：具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路的制作方法
技术领域：
本发明相关于一种功率放大器集成电路，尤指一种具有温度和输出功率补偿机制 的功率放大器集成电路。
背景技术：
(power amplifier integrated circuit, PAIC) B 被广泛地应用于各种有线或无线的通讯装置中。请参考图1，图1为现有技术中一功率放大 器集成电路100的功能方块图。功率放大器集成电路100包含多个连接端口 IOla 101c、 η级放大单元OPl ΟΡη，以及一偏压电路110。输入端口 IOla用来接收一射频输入信号 RFin、输出端口 IOlb用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口 IOlc则用来接 收一偏压Vc。偏压电路110包含η组电流源，可分别提供固定操作电流ISl ISn至η级放 大单元OPl 0Ρη。η级放大单元OPl OPn各包含一双载子接面晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)，其集电极耦接于电压输入端口 IOlc以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压 电路110以分别接收操作电流ISl ISn，所提供的信号增益值分别由gml g 来表示。 因此，功率放大器集成电路100的总增益为gml*gm2*. · · *gmn，亦即RFout = (gml*gm2*. · · *gj RFin。当操作环境的温度有所改变时，BJT的特性会随之变动而影响信号增益值gml gmn， 使得射频输出信号RFout无法维持恒定功率。另一方面，当射频输出信号RFout因故产生 波动，现有技术的功率放大器集成电路100也无法加以补偿。请参考图2，图2为现有技术中另一功率放大器集成电路200的功能方块图。功率 放大器集成电路200包含多个连接端口 201a 201c、η级放大单元OPl OPru—偏压电 路210、一温度检测电路220，以及一反馈电路230。输入端口 201a用来接收一射频输入信 号RFin、输出端口 201b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口 201c则用来 接收一偏压Vc。温度检测电路220可检测操作环境的温度变动，并依此产生一相对应的温 度补偿信号St。反馈电路230可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产生一相对 应的功率补偿信号Sp。偏压电路210包含η组电流源，可依据温度补偿信号St和功率补 偿信号Sp分别提供操作电流ISl ISn至η级放大单元OPl ΟΡη。η级放大单元OPl OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口 201c以接收偏压Vc，其基 极耦接于偏压电路210以分别接收操作电流ISl ISn，所提供的信号增益值分别由gml g 来表示。当操作环境的温度有所改变时，现有技术的功率放大器集成电路200利用温度 检测电路220来检测操作环境的温度变化，利用反馈电路230来检测射频输出信号RFout 的功率变动，再依此调整操作电流ISl ISn的值，通过调整放大单元OPl OPn的信号增 益值gml g 来补偿温度效应或输出功率变动。然而，改变操作电流ISl ISn对信号增 益值& gmn的影响有限，无法有效地稳定射频输出信号RFout的功率。请参考图3，图3为现有技术中另一功率放大器集成电路300的功能方块图。功 率放大器集成电路300包含多个连接端口 301a 301c、η级放大单元OPl OPru—偏压 电路310、一温度检测电路320、一反馈电路330，以及一调节器(regulator) 340。输入端口301a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口 301b用来提供一射频输出信号RFout，而供 给电压输入端口 301c则用来接收射频输出信号RFout。温度检测电路320可检测操作环境 的温度变动，并依此产生一相对应的温度补偿信号St。反馈电路330可检测射频输出信号 RFout的功率变动，并依此产生一相对应的功率补偿信号Sp。偏压电路310包含η组电流 源，可分别提供固定操作电流ISl ISn至η级放大单元OPl ΟΡη。调节器340可依据温 度补偿信号St和功率补偿信号Sp射频来产生一偏压Vc。η级放大单元OPl OPn各包含 一双载子接面晶体管，其集电极耦接于调节器340以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路 310以分别接收操作电流ISl ISn，所提供的信号增益值分别由gml gmn来表示。现有技 术的功率放大器集成电路300利用温度检测电路320来检测操作环境的温度变化，利用反 馈电路330来检测射频输出信号RFout的功率变动，再依此调整偏压Vc的值，通过调整放 大单元OPl OPn的信号增益值gml g 来补偿温度效应或输出功率变动。然而，改变偏 压Vc对信号增益值gml g 的影响有限，无法有效地稳定射频输出信号RFout的功率。
发明内容
本发明提供一种具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含一 输入端口，用来接收一射频输入信号；一输出端口，用来提供一射频输出信号，其中该射频 输出信号对应于放大后的该射频输入信号；一温度补偿电路，耦接该输入端口，用来接收该 射频输入信号，并根据一温度来调节该射频输入信号后输出；以及一放大电路，耦接该温度 补偿电路，用来接收并放大该调节过后的该射频输入信号。本发明另提供一种具有温度和功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含一输 入端口，用来接收一射频输入信号；一输出端口，用来提供一射频输出信号，其中该射频输 出信号对应于放大后的该射频输入信号；一反馈电路，用来检测该射频输出信号的电位变 动，并依此产生一相对应的功率补偿信号；一增益调整电路，用来依据该功率补偿信号调整 该射频输入信号的电平，以产生相对应的一第1级射频信号；一放大电路，用来放大该第1 级射频信号以产生相对应的该射频输出信号。本发明另提供一种具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含 一输入端口，用来接收一射频输入信号；一输出端口，用来提供一射频输出信号，其中该射 频输出信号对应于放大后的该射频输入信号；一温度检测电路，其依据一操作温度来产生 一温度补偿信号；一反馈电路，用来检测该射频输出信号的功率变动，并依此产生一相对应 的功率补偿信号；一逻辑判断电路，其依据该温度补偿信号和该功率补偿信号来输出一补 偿信号；一增益调整电路，用来依据该补偿信号调整该射频输入信号的电平以产生相对应 的一第1级射频信号；一放大电路，用来放大该第1级射频信号以产生相对应的该射频输出 信号。
图1为现有技术中一功率放大器集成电路的功能方块图。图2为现有技术中另一功率放大器集成电路的功能方块图。图3为现有技术中另一功率放大器集成电路的功能方块图。图4为本发明第一实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。图5为本发明第二实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。 图6为本发明第三实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。 图7为本发明第四实施例中一功率放大器集成电路的功能方块图。 图8为本发明实施例中温度检测电路的示意图。 图9A和图9B为温度补偿信号的特性曲线的示意图。 图IOA和图IOB为本发明第一至第四实施例中增益调整电路的示意图, 主要组件符号说明
Vs控制信号 VDC
R可变电阻 Nl端点 Vd跨压 Vc偏压 80 二极管组 340调节器 650逻辑电路 750判断电路 FETl FET3 230、530、630、730 440、540、640、740 100、200、300、400、 500、600、700 IOla 101c,201a 301a 301c、401a 501a 501c,601a 701a 701c 110、210、310、410、 510,610,710 220、320、420、620、720
OPl OPn 放大单元 电压源 11 12反向器 Dl Dp 二极管 ml、m2 斜率 RFin射频输入信号
RFout射频输出信号
St、St’ 温度补偿信号 Sp功率补偿信号
Stp温度/功率补偿信号
gmi g 信号增益值
场效晶体管开关 反馈电路 增益调整电路
功率放大器集成电路201c、 401c、 )601c、
连接端口
偏压电路 温度检测电路
具体实施例方式
请参考图4，图4为本发明第一实施例中一功率放大器集成电路400的功能方块 图。功率放大器集成电路400包含多个连接端口 401a 401c、η级放大单元OPl OPru 一偏压电路410、一温度检测电路420，以及一增益调整电路440。输入端口 401a用来接收 一射频输入信号RFin、输出端口 401b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端 口 401c则用来接收一固定偏压Vc。偏压电路410包含η组电流源，可分别提供固定操作电 流ISl ISn至η级放大单元OPl ΟΡη。温度检测电路420和增益调整电路440组成一 温度补偿电路温度检测电路420可检测操作环境的温度变动，并依此产生相对应的一温 度补偿信号St ；增益调整电路440耦接于输入端口 401a以接收射频输入信号RFin，可依据温度补偿信号St来调整射频输入信号RFin的大小，并输出相对应的射频输入信号RFin‘。 η级放大单元OPl OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口 401c 以接收固定偏压Vc，其基极耦接于偏压电路410以分别接收固定操作电流ISl ISn。放 大单元OPl中双载子接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口 401a，而放大单元0P2 OPn中双载子接面晶体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放大单元中双载子接面晶体 管的集电极，所提供的信号增益值分别由gml g 来表示。本发明的功率放大器集成电路 400利用温度检测电路420来检测操作环境的温度变化，再依此调整射频输入信号RFin的 值以补偿温度效应，而不改变放大单元OPl OPn的信号增益值gml g ，亦即RFout = (gml*gm2*. . . *gmn)RFin'，因此能有效地稳定射频输出信号RFout的功率。请参考图5，图5为本发明第二实施例中一功率放大器集成电路500的功能方块 图。功率放大器集成电路500包含多个连接端口 501a 501c、n级放大单元OPl OPru — 偏压电路510、一反馈电路530，以及一增益调整电路540。输入端口 501a用来接收一射频 输入信号RFin、输出端口 501b用来提供一射频输出信号RFout，而供给电压输入端口 501c 则用来接收一固定偏压Vc。偏压电路510包含η组电流源，可分别提供固定操作电流ISl ISn至η级放大单元OPl ΟΡη。反馈电路530可检测射频输出信号RFout的功率变动，并 依此产生相对应的一功率补偿信号Sp。增益调整电路540耦接于输入端口 501a以接收射 频输入信号RFin，可依据功率补偿信号Sp来调整射频输入信号RFin的大小，并输出相对 应的射频输入信号RFin ‘。η级放大单元OPl OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电 极耦接于电压输入端口 501c以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路510以分别接收固定 操作电流ISl ISn。放大单元OPl中双载子接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口 501a，而放大单元0P2 OPn中双载子接面晶体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放 大单元中双载子接面晶体管的集电极，所提供的信号增益值分别由gml gmn来表示。本发 明的功率放大器集成电路500利用反馈电路530来检测射频输出信号RFout的电位变动， 再依此调整射频输入信号RFin的值以补偿功率变动，而不改变放大单元OPl OPn的信号 增益值gml g ，亦即RFout = (gml*gm2*. · · *gmn)RFin'，因此能有效地稳定射频输出信号 RFout的功率。请参考图6，图6为本发明第三实施例中一功率放大器集成电路600的功能方块 图。功率放大器集成电路600包含多个连接端口 601a 601d、η级放大单元OPl OPru 一偏压电路610、一温度检测电路620、一反馈电路630、一增益调整电路640，以及一逻辑电 路650。输入端口 601a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口 601b用来提供一射频输 出信号RFout、供给电压输入端口 601c用来接收一固定偏压Vc，而控制端口 601d则用来接 收一控制信号Vs。偏压电路610包含η组电流源，可分别提供固定操作电流ISl ISn至 η级放大单元OPl ΟΡη。温度检测电路620可检测操作环境的温度变动，并依此产生相对 应的一温度补偿信号St。反馈电路630可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产 生相对应的一功率补偿信号Sp。逻辑电路650可接收控制端口 601d传来的控制信号Vs、 温度检测电路620传来的温度补偿信号St以及反馈电路630传来的功率补偿信号Sp,并依 据控制信号Vs来输出温度补偿信号St或功率补偿信号Sp其中的一至增益调整电路640。 增益调整电路640耦接于输入端口 601a以接收射频输入信号RFin，可依据增益调整电路 640传来的温度补偿信号St或功率补偿信号Sp来调整射频输入信号RFin的大小，并输出相对应的射频输入信号RFin'。η级放大单元OPl OPn各包含一双载子接面晶体管，其 集电极耦接于电压输入端口 601c以接收偏压Vc，其基极耦接于偏压电路610以分别接收 操作电流ISl ISn。放大单元OPl中双载子接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口 601a，而放大单元0P2 OPn中双载子接面晶体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放 大单元中双载子接面晶体管的集电极，所提供的信号增益值分别由gml gmn来表示。本发 明的功率放大器集成电路600利用温度检测电路620来检测操作环境的温度变化，利用反 馈电路630来检测射频输出信号RFout的电位变动，再依据不同运作模式调整射频输入信 号RFin的值以进行温度或功率补偿，而不改变放大单元OPl OPn的信号增益值gml gmn， 亦即RFout = (gml*gm2*. . . ^gJRFin'，因此能有效地稳定射频输出信号RFout的功率。请参考图7，图7为本发明第四实施例中一功率放大器集成电路700的功能方块 图。功率放大器集成电路700包含多个连接端口 701a 701c、η级放大单元OPl OPru 一偏压电路710、一温度检测电路720、一反馈电路730、一增益调整电路740，以及一判断电 路750。输入端口 701a用来接收一射频输入信号RFin、输出端口 701b用来提供一射频输 出信号RFout，而供给电压输入端口 701c则用来接收一固定偏压Vc。偏压电路710包含η 组电流源，可分别提供固定操作电流ISl ISn至η级放大单元OPl ΟΡη。温度检测电路 720可检测操作环境的温度变动，并依此产生相对应的一温度补偿信号St。反馈电路730 可检测射频输出信号RFout的功率变动，并依此产生相对应的一功率补偿信号Sp。判断电 路750可接收温度检测电路720传来的温度补偿信号St及反馈电路730传来的功率补偿 信号Sp，并依此产生一温度/功率补偿信号Stp至增益调整电路740，温度/功率补偿信号 Stp同时反应温度和输出功率变动对增益造成的影响。增益调整电路740耦接于输入端口 701a以接收射频输入信号RFin，可依据判断电路750传来的温度/功率补偿信号Stp来调 整射频输入信号RFin的大小，并输出相对应的射频输入信号RFin'。η级放大单元OPl OPn各包含一双载子接面晶体管，其集电极耦接于电压输入端口 701c以接收固定偏压Vc， 其基极耦接于偏压电路710以分别接收固定操作电流ISl ISn。放大单元OPl中双载子 接面晶体管的基极通过电容耦接至输入端口 701a，而放大单元0P2 OPn中双载子接面晶 体管的基极则通过电容分别耦接至前一级放大单元中双载子接面晶体管的集电极，所提供 的信号增益值分别由gml gmn来表示。本发明的功率放大器集成电路700利用温度检测 电路720来检测操作环境的温度变化，利用反馈电路730来检测射频输出信号RFout，利用 判断电路750来整合温度和功率变化的影响，再依此调整射频输入信号RFin的值以同时 进行温度和功率补偿，而不改变放大单元OPl OPn的信号增益值gml gmn，亦即RFout = (gml*gm2*. . . *gmn)RFin'，因此能有效地稳定射频输出信号RFout的功率。请参考图8，图8为本发明第一、第三和第四实施例中温度检测电路420、、620或 720的示意图。图8所示的温度检测电路包含一电压源VDC、一可变电阻R，以及一二极管组 80，可于端点m输出温度补偿信号St。二极管组80包含P个串接的二极管Dl Dp，二极 管组80上的跨压由Vd来表示，因此温度补偿信号St的值如下St = (VDC-Vd) /R由于二极管Dl Dp的特性会随操作温度而变，跨压Vd和操作温度成负相关，藉 由选择适合的电阻值R和二极管数目P，增益调整电路提供的温度补偿信号St为负斜率ml 的特性曲线，如图9A所示。若对温度补偿信号St进行反向处理，可得到具有正斜率m2(m2
11= -ml)特性曲线的温度补偿信号St’，如图9B所示。斜率ml和m2皆能反应操作环境的温 度变化对输出功率的影响。请参考图IOA和图10B，图IOA和图IOB为本发明第一至第四实施例中增益调整电 路440、540、640或740的实施例的示意图。图IOA所示的增益调整电路采用π型场效晶 体管衰减器(π-network FET attenuator)的架构，包含场效晶体管开关FETl FET3和 反向器11 12。场效晶体管开关FETl的栅极可接收温度补偿信号St，而场效晶体管开关 FET2和FET3的栅极可接收温度补偿信号St’ (分别通过反向器11和12接收温度补偿信号 St)；图IOB所示的增益调整电路采用T型场效晶体管衰减器(T-network FET attenuator) 的架构，包含场效晶体管开关FETl FET3和反向器11。场效晶体管开关FETl和FET2的 栅极可接收温度补偿信号St,而场效晶体管开关FET3的栅极可接收温度补偿信号St’(通 过反向器11接收温度补偿信号St)。因此，π型场效晶体管衰减器可依据温度补偿信号St 来衰减射频输入信号RFin，并输出衰减后的射频输入信号RFin'以进行温度补偿。在本发明前述实施例中使用双载子接面晶体管来作为放大单元OPl ΟΡη，然而 本发明亦可使用其它具有类似功能的组件，例如场效晶体管(Field Effect Transistor, FET)，而偏压电路可提供固定操作电流或固定操作电压。同时，图8、图9A、图9B、图10A、图 10B所示仅为本发明的实施例，并不局限本发明的范畴。本发明的功率放大器集成电路依据 温度或功率变化来调整射频输入信号RFin的值，而不改变放大单元OPl OPn的信号增益 值‘ gmn，因此能提供稳定的射频输出信号RFout。以上所述仅为本发明的示例实施例，凡依本发明的精神所做的均等变化与修饰， 皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
一种具有温度补偿机制的功率放大器集成电路，其包含输入端口，用来接收射频输入信号；输出端口，用来提供射频输出信号，其中该射频输出信号对应于放大后的该射频输入信号；温度补偿电路，耦接该输入端口，用来接收该射频输入信号，并根据温度来调节该射频输入信号后输出；以及放大电路，耦接该温度补偿电路，用来接收并放大该调节过后的该射频输入信号。
2.如权利要求1所述的功率放大器集成电路，其中该温度补偿电路包含 温度检测电路，其依据该温度来产生温度补偿信号；以及增益调整电路，其依据该温度补偿信号来调整该射频输入信号的电平以产生相对应的 第1级射频信号。
3.如权利要求2所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含 输出端，用来输出该温度补偿信号；电压源；电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及 二极管，耦接于该输出端。
4.如权利要求2所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含 输出端，用来输出该温度补偿信号；电压源；电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及 多个串接的二极管，耦接于该输出端。
5.如权利要求1所述的功率放大器集成电路，其中该放大电路包含η级串接的放大单 元，用来分别以第1至第η增益值放大第1级至第η级射频信号，以分别产生相对应的第2 级至第(η+1)级射频信号，并输出该第(η+1)级射频信号以做为该射频输出信号。
6.如权利要求5所述的功率放大器集成电路，其中该η级放大单元各包含一双载子接 面晶体管或一场效晶体管。
7.如权利要求2所述的功率放大器集成电路，其中该增益调整电路包含π型场效晶体 管衰减器。
8.如权利要求7所述的功率放大器集成电路，其中该π型场效晶体管衰减器包含 第一场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端，用来输出该第1级射频信号；以及 控制端，用来接收该温度补偿信号； 第二场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端，耦接于一接地电位；以及控制端，用来接收相关于该温度补偿信号的反向信号；以及 第三场效晶体管，其包含 第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；第二端，耦接于该接地电位；以及 控制端，用来接收该反向信号。
9.如权利要求2所述的功率放大器集成电路，其中该增益调整电路包含T型场效晶体管衰减器。
10.如权利要求9所述的功率放大器集成电路，其中该T型场效晶体管衰减器包含 第一场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端；以及控制端，用来接收该温度补偿信号；第二场效晶体管，其包含第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；第二端，用来输出该第1级射频信号；以及控制端，耦接于该第一场效晶体管的控制端；以及第三场效晶体管，其包含第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；第二端，耦接于接地电位；以及控制端，用来接收相关于该温度补偿信号的反向信号。
11.一种具有输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含 输入端口，用来接收射频输入信号；输出端口，用来提供射频输出信号，其中该射频输出信号对应于放大后的该射频输入 信号；反馈电路，用来检测该射频输出信号的电位变动，并依此产生相对应的功率补偿信号；增益调整电路，其依据该功率补偿信号来调整该射频输入信号的电平，以产生相对应 的第1级射频信号；放大电路，用来放大该第1级射频信号以产生相对应的该射频输出信号。
12.如权利要求11所述的功率放大器集成电路，其中该放大电路包含η级串接的放大 单元，用来分别以第1至第η增益值放大第1级至第η级射频信号，以分别产生相对应的第 2级至第(η+l)级射频信号，并输出该第(η+l)级射频信号以做为该射频输出信号。
13.如权利要求12所述的功率放大器集成电路，其中该η级放大单元各包含一双载子 接面晶体管或一场效晶体管。
14.如权利要求11所述的功率放大器集成电路，其中该增益调整电路包含η型场效晶 体管衰减器。
15.如权利要求14所述的功率放大器集成电路，其中该π型场效晶体管衰减器包含 第一场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端，用来输出该第1级射频信号；以及 控制端，用来接收该功率补偿信号； 第二场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端，耦接于接地电位；以及控制端，用来接收相关于该功率补偿信号的反向信号；以及 第三场效晶体管，其包含 第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端； 第二端，耦接于该接地电位；以及 控制端，用来接收该反向信号。
16.如权利要求11所述的功率放大器集成电路，其中该增益调整电路包含T型场效晶 体管衰减器。
17.如权利要求16所述的功率放大器集成电路，其中该T型场效晶体管衰减器包含 第一场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端；以及控制端，用来接收该功率补偿信号；第二场效晶体管，其包含第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；第二端，用来输出该第1级射频信号；以及控制端，耦接于该第一场效晶体管的控制端；以及第三场效晶体管，其包含第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；第二端，耦接于接地电位；以及控制端，用来接收相关于该功率补偿信号的反向信号。
18.一种具有温度和输出功率补偿机制的功率放大器集成电路，其包含 输入端口，用来接收射频输入信号；输出端口，用来提供射频输出信号，其中该射频输出信号对应于放大后的该射频输入 信号；温度检测电路，其依据操作温度来产生温度补偿信号；反馈电路，用来检测该射频输出信号的电位变动，并依此产生相对应的功率补偿信号；逻辑判断电路，其依据该温度补偿信号和该功率补偿信号来输出补偿信号； 增益调整电路，其依据该补偿信号来调整该射频输入信号的电平以产生相对应的第1 级射频信号；放大电路，用来放大该第1级射频信号以产生相对应的该射频输出信号。
19.如权利要求18所述的功率放大器集成电路，其中该逻辑判断电路输出该温度补偿 信号或该功率补偿信号其中之一以作为该补偿信号。
20.如权利要求18所述的功率放大器集成电路，其中该逻辑判断电路输出同时相关于 该温度补偿信号和该功率补偿信号的该补偿信号。
21.如权利要求18所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含 输出端，用来输出该温度补偿信号；电压源；电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及 二极管，耦接于该输出端。
22.如权利要求18所述的功率放大器集成电路，其中该温度检测电路包含 输出端，用来输出该温度补偿信号；电压源；电阻，耦接于该电压源和该输出端之间；以及 多个串接的二极管，耦接于该输出端。
23.如权利要求18所述的功率放大器集成电路，其中该放大电路包含η级串接的放大 单元，用来分别以第1至第η增益值放大第1级至第η级射频信号以分别产生相对应的第 2级至第(η+l)级射频信号，并输出该第(η+l)级射频信号以做为该射频输出信号。
24.如权利要求23所述的功率放大器集成电路，其中该η级放大单元各包含一双载子 接面晶体管或一场效晶体管。
25.如权利要求18所述的功率放大器集成电路，其中该增益调整电路包含π型场效晶 体管衰减器。
26.如权利要求25所述的功率放大器集成电路，其中该π型场效晶体管衰减器包含 第一场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端，用来输出该第1级射频信号；以及 控制端，用来接收该温度补偿信号； 第二场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端，耦接于接地电位；以及控制端，用来接收相关于该温度补偿信号的反向信号；以及 第三场效晶体管，其包含 第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端； 第二端，耦接于该接地电位；以及 控制端，用来接收该反向信号。
27.如权利要求18所述的功率放大器集成电路，其中该增益调整电路包含T型场效晶 体管衰减器。
28.如权利要求27所述的功率放大器集成电路，其中该T型场效晶体管衰减器包含 第一场效晶体管，其包含第一端，耦接于该功率放大器集成电路的输入端口 ； 第二端；以及控制端，用来接收该温度补偿信号； 第二场效晶体管，其包含 第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端； 第二端，用来输出该第1级射频信号；以及 控制端，耦接于该第一场效晶体管的控制端；以及第三场效晶体管，其包含第一端，耦接于该第一场效晶体管的第二端；第二端，耦接于接地电位；以及控制端，用来接收相关于该温度补偿信号的反向信号。
全文摘要
功率放大器集成电路用来放大射频输入信号以产生相对应的射频输出信号，包含温度检测电路、反馈电路、逻辑判断电路、增益调整电路，以及放大电路。温度检测电路依据操作温度来产生温度补偿信号，而反馈电路依据射频输出信号的功率变动来产生功率补偿信号。逻辑判断电路依据温度补偿信号和功率补偿信号来输出补偿信号。增益调整电路依据补偿信号来调整射频输入信号的电平以产生相对应的第1级射频信号。放大电路可放大第1级射频信号以产生相对应的射频输出信号。
文档编号H03F1/30GK101924523SQ200910147508
公开日2010年12月22日 申请日期2009年6月16日 优先权日2009年6月16日
发明者万光烈 申请人:立积电子股份有限公司