专利名称：一种高线性度的低噪声放大器电路的制作方法
技术领域：
本实用新型属于射频集成电路领域，尤其涉及一种低噪声放大器电路的设计。
背景技术：
随着互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor)技术的高速发展以及人们对无线通信需求的不断扩大，无线通信接收机得 到了越来越广泛的应用。为了接收较大动态范围的信号，无线通信接收机需要具有很高的 线性度以正确接收、解调强信号，而作为无线通信接收机系统的第一级，低噪声放大器的性 能对接收机起着非常重要的作用。文献"A 1. 2 V 114 mff Dual—Band Direct-Conversion DVB-H Tuner in 0. 13 μ m CMOS”，IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, Vol. 44, No. 3, March 2009，提出 了一种 低噪声放大器电路，这种放大器电路能够实现较宽的增益动态范围、良好的输入阻抗匹配 和较低的噪声系数，但这种结构仅仅采用伪差分放大电路作为二级放大器单元，不能很好 地抑制放大器电路的非线性失真，达不到高线性度的指标要求。
实用新型内容本实用新型的目的是为了解决上述现有的低噪声放大器线性度不高的问题，提出 了一种高线性度的低噪声放大器电路。为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是一种高线性度的低噪声放大器电 路，包括共栅-共源电路单元、开关电路单元和二级放大电路单元，共栅-共源电路单元通 过第一耦合电容和第二耦合电容与二级放大电路单元相连，其特征在于，二级放大电路单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五 晶体管、第六晶体管、电流源、第一偏置电压源端口、第一负载电阻和第二负载电阻，所述第 一晶体管的栅极与第一耦合电容相连，第一晶体管的源极与电流源相连，第一晶体管的漏 极与所述第五晶体管的源极相连；所述第二晶体管的栅极与第二耦合电容相连，第二晶体 管的源极与电流源相连，第二晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连；所述第三晶体 管的栅极与第一耦合电容相连，第三晶体管的源极接地，第三晶体管的漏极与所述第五晶 体管的源极相连；所述第四晶体管的栅极与第二耦合电容相连，第四晶体管的源极接地，第 四晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连；所述第五晶体管的漏极与第一负载电阻相 连，第五晶体管的栅极与第一偏置电压源端口相连；所述第六晶体管的漏极与第二负载电 阻相连，第六晶体管的栅极与第一偏置电压源端口相连。上述晶体管为NMOS管。本实用新型的有益效果本实用新型通过以第一晶体管和第二晶体管组成的全差 分电路和以第三晶体管和第四晶体管组成的伪差分电路构成的二级放大电路单元，在射频 性能不恶化的前提下，使得低噪声放大器电路的线性度指标三阶交调截点相比背景技术中 的文献中所述的放大器电路，约提高了 IOdBm,同时提高了共模抑制比。
图1是本实用新型的高线性度的低噪声放大器电路结构示意图。图2是本实用新型的二级放大电路单元结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图，给出本实用新型的具体实施例。本实用新型的高线性度的低噪声放大器电路结构如图1所示，具体包括共栅-共 源电路单元、开关电路单元和二级放大电路单元。共栅-共源电路单元通过第一耦合电容 Cl和第二耦合电容C2与二级放大电路单元相连。单端信号从Rfin端口输入，经过共栅-共源电路单元的单端转双端功能后成为差 分信号，并由共栅-共源电路单元实现初步放大，由开关电路单元控制，再输入到二级放大 电路单元，最后由Voutl端口和Vout2端口输出。开关电路单元包括第七晶体管M7和第八晶体管M8。这里，共栅-共源电路单元、开 关电路单元的内部连接以及开关电路单元与共栅-共源电路单元的连接属于本领域中的 现有技术，具体可参看文献 “A 1. 2 V 114mff Dual-Band Direct-Conversion DVB-H Tuner in 0. 13μπι CMOS”，IEEE JOURNAL 0FS0LID-STATE CIRCUITS, Vol. 44，No. 3，March 2009， 在此不再作详细描述。二级放大电路单元结构示意图如图2所示，具体包括第一晶体管Ml、第二晶体管 M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、电流源Is、第一偏置电压 源VBl端口、第一负载电阻Rl和第二负载电阻R2。开关电路单元与二级放大电路单元的电气连接关系上开关电路单元的第七晶体 管M7的漏极与二级放大电路单元第五晶体管M5的源极相连；开关电路单元的第八晶体管 M8的漏极与二级放大电路单元第六晶体管M6的源极相连。二级放大电路单元的第一晶体管Ml的栅极与第一耦合电容Cl相连，第一晶体管 Ml的源极与电流源Is相连，第一晶体管Ml的漏极与所述第五晶体管M5的源极相连；所述 第二晶体管M2的栅极与第二耦合电容C2相连，第二晶体管M2的源极与电流源相连，第二 晶体管M2的漏极与所述第六晶体管M6的源极相连；所述第三晶体管M3的栅极与第一耦合 电容Cl相连，第三晶体管M3的源极接地，第三晶体管M3的漏极与所述第五晶体管M5的源 极相连；所述第四晶体管M4的栅极与第二耦合电容C2相连，第四晶体管M4的源极接地，第 四晶体管M4的漏极与所述第六晶体管M6的源极相连；所述第五晶体管M5的漏极与第一负 载电阻Rl相连，第五晶体管M5的栅极与第一偏置电压源VBl端口相连；第六晶体管M6的 漏极与第二负载电阻R2相连，第六晶体管M6的栅极与第一偏置电压源VBl端口相连。电流源Is —端与第一晶体管Ml和第二晶体管M2的源极相连，另一端接地，利用 电流源Is可以使得第一晶体管Ml和第二晶体管M2的偏置电流几乎不受输入共模电平变 化的影响。Rfin端口连接到共栅-共源电路单元的共栅晶体管的栅极，Voutl端口连接到第五 晶体管M5的漏极，Vout2端口连接到第六晶体管M6的漏极。这里的晶体管指的是NMOS管。[0021]本实用新型通过以第一晶体管Ml和第二晶体管M2组成的全差分电路和以第三晶 体管M3和第四晶体管M4组成的伪差分电路构成的二级放大电路单元，有效提高了电路的 线性度指标。这是因为，对射频放大器电路而言，电路的二次跨导导数gm"是决定线性度指 标三阶交调截点的主要参数，而伪差分电路的gm"随着偏置电压的变化而变化，当伪差分 对管偏置从饱和区变到弱反型区时，gm"从负值变成正值；全差分电路的gm"不随着偏置 电压的变化而变化，gm"恒为负值；因此，全差分电路和伪差分电路的结合，能够有效地将 gm"抵消，使gm"趋近于零，在射频性能不恶化的前提下，使得低噪声放大器电路的线性度 指标三阶交调截点相比背景技术中的文献中所述的放大器电路，约提高了 IOdBm,同时提高 了共模抑制比。本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本实 用新型的原理，应被理解为本实用新型的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。 本领域的普通技术人员可以根据本实用新型公开的这些技术启示做出各种不脱离本实用 新型实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本实用新型的保护范围内。
权利要求1.一种高线性度的低噪声放大器电路，包括共栅-共源电路单元、开关电路单元和二 级放大电路单元，共栅-共源电路单元通过第一耦合电容和第二耦合电容与二级放大电路 单元相连，其特征在于，二级放大电路单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体 管、第六晶体管、电流源、第一偏置电压源端口、第一负载电阻和第二负载电阻，所述第一晶 体管的栅极与第一耦合电容相连，第一晶体管的源极与电流源相连，第一晶体管的漏极与 所述第五晶体管的源极相连；所述第二晶体管的栅极与第二耦合电容相连，第二晶体管的 源极与电流源相连，第二晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连；所述第三晶体管的 栅极与第一耦合电容相连，第三晶体管的源极接地，第三晶体管的漏极与所述第五晶体管 的源极相连；所述第四晶体管的栅极与第二耦合电容相连，第四晶体管的源极接地，第四晶 体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连；所述第五晶体管的漏极与第一负载电阻相连， 第五晶体管的栅极与第一偏置电压源端口相连；第六晶体管的漏极与第二负载电阻相连， 第六晶体管的栅极与第一偏置电压源端口相连。
2.根据权利要求1所述的高线性度的低噪声放大器电路，其特征在于，所述的晶体管 为NMOS管。
专利摘要本实用新型公开了一种高线性度的低噪声放大器电路。本实用新型的低噪声放大器电路包括共栅-共源电路单元、开关电路单元和二级放大电路单元，针对现有的一种低噪声放大器电路仅仅采用伪差分放大器作为二级放大器单元，不能很好地抑制电路的非线性失真的缺点，本实用新型通过以第一晶体管和第二晶体管组成的全差分电路和以第三晶体管和第四晶体管组成的伪差分电路构成的二级放大电路单元，在射频性能不恶化的前提下，使得低噪声放大器电路的线性度指标三阶交调截点相比背景技术中的文献中所述的放大器电路，约提高了10dBm，同时提高了共模抑制比。
文档编号H03F1/26GK201904761SQ201020686470
公开日2011年7月20日 申请日期2010年12月29日 优先权日2010年12月29日
发明者刘学敏, 文光俊, 杨拥军 申请人:电子科技大学