专利名称：滤波器的制作方法
技术领域：
本发明涉及滤波器，更特定而言，涉及层叠型LC滤波器。
背景技术：
作为现有的滤波器，已知例如专利文献1所揭示的层叠型电介质滤波器。以下，参照附图，对专利文献1所揭示的层叠型电介质滤波器进行说明。图6是层叠型电介质滤波器500的分解立体图。层叠型电介质滤波器500具备层叠体502及外部电极503 (503a 503d)。层叠体 502为长方体状，层叠有长方形的绝缘体层504(50 504j)而构成。外部电极503分别设于层叠体502的四个侧面。外部电极503a是高频信号的输入端子。外部电极50 是高频信号的输出端子。外部电极503c、503d是接地端子。又，层叠型电介质滤波器500内设有谐振器505 (505a 505c)。谐振器50 505c分别具有谐振电极506a 506c。谐振电极506a 506c设于绝缘体层504f，作用为线圈。谐振电极506a与外部电极503a、503c相连接。谐振电极506b与外部电极503c相连接。谐振电极506c与外部电极50 、503c相连接。谐振电极506b与谐振电极506a、506c 磁耦合。此外，谐振器50 505c除了谐振电极506以外亦具有电容器，但此处省略说明。此外，层叠型电介质滤波器500具有调整电极508。从层叠方向俯视时，调整电极 508重迭于谐振电极506a，506c的局部且未重迭于谐振电极506b。具有以上结构的层叠型电介质滤波器500中，高频信号藉由外部电极503a输入， 藉由外部电极50 输出。由于谐振电极506a与谐振电极506b磁耦合，因此从外部电极 503a输入的高频信号藉由电磁感应传送至谐振电极506b。而且，由于谐振电极506b与谐振电极506c磁耦合，因此高频信号藉由电磁感应传送至谐振电极506c。接着，在谐振电极506c传送的高频信号从外部电极50 输出。此处，谐振电极506a 506c构成谐振器 505a 505c。因此，在该谐振电极506a 506c的传送中，通频带以外的高频信号会被除去。因此，从外部电极50 输出通频带的高频信号。此外，在层叠型电介质滤波器500中，如图6所示，设有调整电极508。藉此，能使层叠型电介质滤波器500的通频带的低频侧急速衰减。然而，层叠型电介质滤波器500具有欲使通频带窄带化时会大型化的问题。更详细而言，在层叠型电介质滤波器500谋求窄带化时，使谐振电极506a 506c间的磁耦合变弱即可。然而，为了使谐振电极506a 506c间的磁耦合变弱，必需加大谐振电极506a 506c间的距离。其结果，层叠型电介质滤波器500会大型化。现有技术文献专利文献专利文献1 日本专利特开2006-33614号公报发明内容
发明所要解决的技术问题因此，本发明的目的在于，提供一种不会大型化就能谋求通频带的窄带化的滤波
ο解决技术问题所采用的技术方案本发明第1实施方式的滤波器的特征在于，具备层叠体，该层叠体层叠多个绝缘体层来构成；输入电极及输出电极，该输入电极及输出电极设于所述层叠体的表面；第1谐振器，该第1谐振器与所述输入电极相连接且包含第1线圈；第2谐振器，该第2谐振器与所述输出电极相连接且包含第2线圈；以及第3谐振器，该第3谐振器包含与所述第1线圈及/或所述第2线圈磁耦合的第3线圈；所述第1线圈及所述第2线圈分别包含设于所述绝缘体层上的第1线圈导体层及第2线圈导体层；该第3线圈包含沿层叠方向贯通所述绝缘体层的通孔导体。本发明第2实施方式的滤波器的特征在于，具备层叠体，该层叠体层叠多个绝缘体层来构成；输入电极及输出电极，该输入电极及输出电极设于所述层叠体的表面；第1谐振器，该第1谐振器与该输入电极相连接且包含第1线圈；第2谐振器，该第2谐振器与该输出电极相连接且包含第2线圈；以及第3谐振器，该第3谐振器包含与所述第1线圈及/ 或所述第2线圈磁耦合的第3线圈；所述第1线圈及所述第2线圈分别由在层叠方向贯通所述绝缘体层的第1通孔导体及第2通孔导体来构成；所述第3线圈包含设于所述绝缘体层上的第3线圈导体层。发明效果根据本发明，不会大型化就可谋求通频带的窄带化。
图1是本发明的实施方式所涉及的滤波器的外观立体图。图2是图1的滤波器的分解立体图。图3是图1的滤波器的等效电路图。图4是变形例所涉及的滤波器的分解立体图。图5是变形例所涉及的滤波器的等效电路图。图6是专利文献1所记载的层叠型电介质滤波器的分解立体图。
具体实施例方式以下，对本发明的实施方式所涉及的滤波器进行说明。(电子元器件的结构)以下，参照附图，对本发明的一实施方式所涉及的滤波器的结构进行说明。图1是本发明的实施方式所涉及的滤波器10的外观立体图。图2是滤波器10的分解立体图。图 3是滤波器10的等效电路图。在图1及图2中，ζ轴方向表示层叠方向。又，χ轴方向表示从ζ轴方向俯视时沿着滤波器10长边的方向。y轴方向表示从ζ轴方向俯视时沿着滤波器 10短边的方向。此外，X轴、y轴、Z轴的原点为滤波器10的中心。如图1及图2所示，滤波器10具备层叠体12、外部电极14(1 14d)、方向识别标记15、谐振器LCl LC3及电容器C4 C7。如图2所示，层叠体12通过层叠绝缘体层16(16a 16h)来构成，为长方体状。又，层叠体12内设有谐振器LCl LC3。如图1所示，外部电极14a设于层叠体12在χ轴方向的负方向侧的侧面(表面)， 用作高频信号的输入电极。外部电极14b设于层叠体12在χ轴方向的正方向侧的侧面(表面)，用作高频信号的输出电极。外部电极14c设于层叠体12在y轴方向的负方向侧的侧面(表面)，用作接地电极。外部电极14d设于层叠体12在y轴方向的正方向侧的侧面(表面)，用作接地电极。方向识别标记15设于层叠体12在ζ轴方向的正方向侧的上表面，在安装时，用于识别滤波器10的输入电极与输出电极的方向。如图2所示，绝缘体层16为长方形，藉由例如陶瓷电介质构成。绝缘体层16a 16h，在ζ轴方向从正方向侧往负方向侧按排列顺序依次层叠。如图2及图3所示，谐振器LC 1包含线圈Ll及电容器Cl，连接在外部电极14a与外部电极14c、14d之间。具体而言，线圈Ll及电容器Cl并联连接在外部电极14a与外部电极14c、14d之间。如图2所示，线圈Ll由线圈导体层18构成。线圈导体层18包含线圈部18a及引出部18b、18c，设于绝缘体层16c上。从ζ轴方向俯视时，线圈部18a在绝缘体层16c (xy平面)上，为顺时针旋转并从外部电极14a朝向外部电极14c的线状导体。此外，线圈部18a 具有在1轴方向延伸的部分。又，引出部18b与线圈部18a的一端相连接，与绝缘体层16c 在χ轴方向的负方向侧的短边接触。藉此，线圈导体层18与外部电极1 相连接。同样地， 引出部18c与线圈部18a的另一端相连接，与绝缘体层16c在y轴方向的负方向侧的长边接触。藉此，线圈导体层18与外部电极Hc相连接。电容器Cl由电容器导体层沈及接地导体层32构成。电容器导体层沈由电容器部^a及引出部26b构成，设于绝缘体层16f上。电容器部26a是设于绝缘体层16f上的矩形导体。引出部26b与电容器部26a相连接，与绝缘体层16f在χ轴方向的负方向侧的短边接触。藉此，电容器导体层沈与外部电极Ha相连接。又，接地导体层32由接地部32a 及引出部32b 32g构成，设于绝缘体层IMi上。接地部3 设成覆盖绝缘体层16h的大致整个面的矩形导体。藉此，电容器导体层沈与接地导体层32隔着绝缘体层16f、16g相对，构成电容器Cl。引出部32b 32d与接地部3 相连接，与绝缘体层IMi在y轴方向的负方向侧的长边接触。引出部32e 32g与接地部3 相连接，与绝缘体层IMi在y轴方向的正方向侧的长边接触。藉此，接地导体层32与外部电极14c、14d相连接。如上所述， 电容器C 1与外部电极14a和外部电极14c、14d相连接。如图2及图3所示，谐振器LC2包含线圈L2及电容器C2，连接在外部电极14b与外部电极14c、14d之间。具体而言，线圈L2及电容器C2并联连接在外部电极14b与外部电极14c、14d之间。如图2所示，线圈L2由线圈导体层20构成。线圈导体层20包含线圈部20a及引出部20b、20c，设于绝缘体层16c上。从ζ轴方向俯视时，线圈部20a在绝缘体层16c (xy平面)上，为逆时针旋转并从外部电极14b朝向外部电极14c的线状导体。此外，线圈部20a 具有在1轴方向延伸的部分。又，引出部20b与线圈部20a的一端相连接，与绝缘体层16c 在χ轴方向的正方向侧的短边接触。藉此，线圈导体层20与外部电极14b相连接。同样地， 引出部20c与线圈部20a的另一端相连接，与绝缘体层16c在y轴方向的负方向侧的长边接触。藉此，线圈导体层20与外部电极Hc相连接。电容器C2由电容器导体层28及接地导体层32构成。电容器导体层28由电容器部28a及引出部28b构成，设于绝缘体层16f上。电容器部28a是在绝缘体层16f上设于电容器部^a的χ轴方向的正方向侧的矩形导体。引出部^b与电容器部28a相连接，与绝缘体层16f在χ轴方向的正方向侧的短边接触。藉此，电容器导体层观与外部电极14b 相连接。关于接地导体层32的细节已进行说明因此省略说明。藉此，电容器导体层观与接地导体层32隔着绝缘体层16f、16g相对，构成电容器C2。此外，电容器C2与外部电极 14b和外部电极14c、14d相连接。此处，如图2所示，接地导体层32的面积大于电容器导体层沈的面积与电容器导体层观的面积之合。而且，电容器导体层26J8在ζ轴方向设于接地导体层32与线圈导体层18、20之间。如图2及图3所示，谐振器LC3包含线圈L3及电容器C3，与外部电极14c、14d相连接。又，如图2所示，从ζ轴方向俯视时，谐振器LC3在χ轴方向夹在谐振器LCl与谐振器LC2之间。如图2所示，线圈L3由通孔导体B1、B2及连接导体层34构成，与线圈L1、L2磁耦合。从ζ轴方向俯视时，通孔导体Bl在χ轴方向上在线圈导体层18、20之间，在ζ轴方向直线延伸。此外，通孔导体Bl由通孔导体bl M构成，在ζ轴方向贯通绝缘体层16b 16g。从ζ轴方向俯视时，通孔导体B2在通孔导体Bl的y轴方向的正方向侧，且在χ轴方向上在线圈导体层18、20之间，在ζ轴方向直线延伸。此外，通孔导体B2由通孔导体bll bl5构成，在ζ轴方向贯通绝缘体层16b 16f。连接导体层34，在与设有线圈导体层18、 20的绝缘体层16c不同的绝缘体层16b上，在χ轴方向上设于线圈导体层18、20之间，将通孔导体B 1、B2在ζ轴方向的正方向侧的端部彼此加以连接。连接导体层34为在y轴方向延伸的线状导体，从ζ轴方向俯视时，与线圈部18a在y轴方向延伸的部分及线圈部20a在 y轴方向延伸的部分平行延伸。电容器C3由电容器导体层30及接地导体层32构成。电容器导体层30是设于与设有电容器导体层26、28的绝缘体层16f不同的绝缘体层16g上的矩形导体，从ζ轴方向俯视时，与通孔导体B2重迭。因此，电容器导体层30与通孔导体B2的通孔导体bl5在ζ 轴方向的负方向侧的端部相连接。从ζ轴方向俯视时，接地导体层32与通孔导体Bl重迭。 因此，接地导体层32与通孔导体Bl的通孔导体M在ζ轴方向的负方向侧的端部相连接。 藉此，电容器导体层30及接地导体层32隔着绝缘体层16g相对，构成电容器C3。此外，藉由以上结构，线圈L3的一端与电容器导体层30相连接，线圈L3的另一端及接地导体层32 与外部电极14c、14d相连接。电容器C4、C5由耦合导体层M及电容器导体层沈、观构成，串联连接在外部电极 Ha、14b之间。耦合导体层M由电容器部Ma、24b及连接部2 构成，设于绝缘体层16e 上。电容器部2 为矩形导体。通过使电容器部2 与电容器导体层沈的电容器部^a 相对，使得电容器部2 与该电容器部^a电容耦合，构成电容器C4。电容器部24b是在绝缘体层16e上设于电容器部Ma的χ轴方向的正方向侧的矩形导体。通过使电容器部Mb 与电容器导体层28的电容器部28a相对，使得电容器部24b与该电容器部^a电容耦合， 构成电容器C5。由于已针对电容器导体层沈、观进行了说明，因此省略说明。连接部Mc在绝缘体层16e上沿χ轴方向延伸，将电容器部Ma、24b加以连接。而且，连接部2 与通孔导体B2相连接。由于具有以上构成，因此电容器C4、C5串联连接在外部电极14a、14b之间。此外，电容器C4、C5连接在线圈L3与电容器C3之间。又，电容器导体层沈构成电容器Cl，并且构成电容器C4。因此，如图3所示，电容器C4连接在线圈Ll与电容器Cl之间。同样地，电容器导体层观构成电容器C2，并且构成电容器C5。因此，如图3所示，电容器C5连接在线圈L2与电容器C2之间。电容器C6、C7由耦合导体层22及电容器导体层沈、观构成，串联连接在外部电极 Ha、14b之间。耦合导体层22由电容器部22a、22b及连接部22c构成，设于绝缘体层16d 上。耦合导体层22与谐振器LCl及谐振器LC2电容耦合，与谐振器LC3几乎不会电容耦合。 具体而言，电容器部2 是设于绝缘体层16d上的矩形导体。通过使电容器部22a与电容器电极26a相对，使得电容器部2 与该电容器部^a电容耦合，构成电容器C6。电容器部 22b是在绝缘体层16d上设于电容器部22a的χ轴方向的正方向侧的矩形导体。通过使电容器部22b与电容器部28a相对，使得电容器部22b与该电容器部^a电容耦合，构成电容器C7。连接部22c在绝缘体层16d上沿χ轴方向延伸，将电容器部22a、22b加以连接。此处，电容器导体层26J8分别与外部电极14a、14b相连接。因此，电容器C6、C7串联连接在外部电极14a、14b之间。具有以上结构的滤波器10中，线圈Ll与线圈L2磁耦合，线圈L2与线圈L3磁耦合。藉此，滤波器10构成仅使规定频带的信号通过的带通滤波器。以下，针对滤波器10的动作的一例，参照图1至图3进行说明。如图2及图3所示，在滤波器10中，线圈Ll的一端与作为输入电极的外部电极1 相连接，线圈Ll的另一端与作为接地电极的外部电极14c相连接。因此，在线圈Li，从外部电极14a向外部电极 14c传送高频信号。在图2中，从ζ轴方向俯视时，高频信号在线圈导体层18顺时针传送。线圈Ll与线圈L3磁耦合。具体而言，线圈部18a在y轴方向延伸的部分与连接导体层34磁耦合。藉此，从线圈Ll向线圈L3传送高频信号。又，线圈L3与线圈L2磁耦合。具体而言，线圈部20a在y轴方向延伸的部分与连接导体层34是磁耦合。藉此，从线圈L3向线圈L2传送高频信号。接着，在高频信号通过谐振器LCl LC3的期间，从该高频信号除去规定通频带以外的信号。其结果，规定通频带以外的信号被除去后的输出信号，从外部电极14b输出。(效果)具有以上结构的滤波器10中，不会大型化就可谋求通频带的窄带化。更详细而言，在图6所示的层叠型电介质滤波器500谋求窄带化的情况下，使谐振电极506a 506c 间的磁耦合变弱即可。然而，为了使谐振电极506a 506c间的磁耦合变弱，必需加大谐振电极506a 506c间的距离。其结果，层叠型电介质滤波器500会大型化。因此，在滤波器10中，线圈L3包含通孔导体Bl、B2。由于通孔导体B1、B2在ζ轴方向延伸，因此在通孔导体Bi、Β2传送高频信号时，产生在通孔导体Bi，Β2的周围在xy平面内旋转的磁通。另一方面，线圈Li、L2分别由在xy平面内旋转的线圈导体层18、20构成。在这种线圈导体层18、20传送高频信号时，产生在与xy平面正交的面内旋转的磁通。 因此，通孔导体Bi、B2所产生的磁通与线圈导体层18、20所产生的磁通在彼此正交的面内旋转。因此，通孔导体B1、B2与线圈导体层18、20不易较强地磁耦合。如上所述，即使谐振器LCl LC3接近，线圈Ll L3也不会较强地磁耦合，因此不使滤波器10大型化就可谋
求窄带化。又，根据以下理由，不使滤波器10大型化亦可谋求通频带的窄带化。更详细而言， 线圈Ll与线圈L3主要在线圈部18a沿y轴方向延伸的部分与连接导体层34之间磁耦合。 同样地，线圈L2与线圈L3主要在线圈部20a沿y轴方向延伸的部分与连接导体层34之间磁耦合。此外，线圈导体层18、20与连接导体层34设于不同的绝缘体层16上。因此，与线圈导体层18、20与连接导体层34设于同一绝缘体层16上的情形相比，，线圈导体层18、20 与连接导体层34较弱地磁耦合。其结果，即使谐振器LCl LC3接近，线圈Ll L3也不会较强地磁耦合，因此不使滤波器10大型化就可谋求窄带化。又，如以下说明，在滤波器10中，容易调整线圈L1、L2与线圈L3的磁耦合的强度。 线圈导体层18、20与连接导体层34设于不同的绝缘体层16上。因此，通过变更设有线圈导体层18、20或连接导体层34的绝缘体层16的厚度或绝缘体层16的层叠数等，可调整线圈导体层18、20与连接导体层34的距离，从而调整它们的磁耦合的强度。又，如以下说明，在滤波器10中，可不使其大型化，就能减少插入损耗。更详细而言，具备多个谐振器的所谓多级滤波器中，由于越处于中间级，谐振器中电力越集中，因此通过使中间级的谐振器的无负载Q增大，能使滤波器的插入损耗减小。在滤波器10中，为了使中间级的谐振器LC3的无负载Q增大，例如可减小线圈L3的直流电阻值。因此，在滤波器10中，线圈L3由通孔导体Bi、B2构成。通孔导体Bi、B2相较于导体层易于使直流电阻值降低。更详细而言，在导体层中，ζ轴方向的厚度非常小，因此欲确保充分的剖面面积的情况下，必须要较大线宽。另一方面，在通孔导体B1、B2中，由于具有圆形剖面，因此相较于导体层易于确保较大的剖面面积。因此，通孔导体Bi、B2较导体层易于使电阻值降低。如上所述，在滤波器10中，可不使其大型化，就能减少插入损耗。又，在滤波器10中，耦合导体层M使谐振器LCl与谐振器LC3电容耦合，并且使谐振器LC2与谐振器LC3电容耦合。藉此，可获得谐振器LCl中线圈部18a与谐振器LC3 中连接导体层34的磁耦合与电容耦合的平衡，并且可获得谐振器LC2中线圈部20a与谐振器LC3中连接导体层34的磁耦合与电容耦合的平衡。其结果，可调整各谐振器LCl LC3 间的耦合，提升滤波器10的设计自由度。又，在滤波器10中，谐振器LCl与谐振器LC2藉由耦合导体层22电容耦合。具备多个谐振器的多级滤波器中，已知若使输入级的谐振器与输出级的谐振器耦合，可在滤波器的通带两侧或单侧形成衰减极。根据本实施方式的结构，可提升滤波器10的衰减特性。 又，通过变更绝缘体层16d的厚度，能使电容的耦合量变化，容易获得期望的衰减特性。又，在滤波器10中，电容器导体层沈、观与电容器导体层30设于不同的绝缘体层 16上。藉此，电容器导体层沈、28、30不易接近。其结果，在滤波器10中，相较于电容器导体层沈、28、30设于同一绝缘体层16的情形，电容器导体层沈、28、30的大小、形状、位置等的设计自由度变高。又，如以下说明，在滤波器10中，可降低插入损耗。更详细而言，在线圈导体层18、 20传送高频信号时，在线圈导体层18、20的周围产生磁通。若该磁通通过电容器导体层沈、 28及接地导体层32，在电容器导体层沈、观及接地导体层32中产生涡电流。涡电流的产生使滤波器10的插入损耗增加。因此，优选为抑制涡电流的产生。此处，接地导体层32的面积大于电容器导体层26、28的面积之合。因此，接地导体层32及电容器导体层沈、观位于从线圈导体层18、20相距相同距离的位置时，在接地导体层32产生的涡电流大于在电容器导体层沈、观产生的涡电流。因此，在滤波器10中，通过使接地导体层32较电容器导体层沈、观离线圈导体层18、20更远，从而抑制涡电流的产生。其结果，可在滤波器10中降低插入损耗。又，线圈L3由通孔导体B1、B2及连接导体层34构成。此处，由于在通孔导体Bi、 B2中电流沿ζ轴方向流过，因此在通孔导体Bi、B2的周围在与ζ轴方向垂直的xy平面内产生磁场。因此，在通孔导体Bi，B2的周围产生的磁场不与接地导体层32相交。因此，不会产生涡电流，能使谐振器LC3的无负载Q变高，能实现滤波器10的低损耗化。又，线圈L3 形成为使U字上下反转的形状。如此，通过使线圈L3具有弯折的构造，从而不增加滤波器 10在Z轴方向的高度，就能使线圈L3的长度变长，使线圈L3的电感值增大。(电子元器件的制造方法)以下，参照图1及图2，对滤波器10的制造方法进行说明。首先，准备要成为绝缘体层16的陶瓷生片(ceramic green sheet)。接着，在要成为绝缘体层16b 16g的陶瓷生片上分别形成通孔导体bl b6、bll bl5。具体而言， 对要成为绝缘体层16b 16g的陶瓷生片照射激光束形成通孔。接下来，使用印刷涂布等方法在该通孔填充Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等的导电性糊料。接着，在要成为绝缘体层16a 16h的陶瓷生片上用丝网印刷法或光刻法等方法涂布将Ag、Pd、Cu、Au或它们的合金等作为主要成分的导电性糊料，以形成外部电极14、方向识别标记15、线圈导体层18和20、耦合导体层22和24、电容器导体层沈、观和30、接地导体层32及连接导体层34。此外，也可在形成线圈导体层18、20时，对通孔填充导电性糊料。接着，将各陶瓷生片层叠。具体而言，配置要成为绝缘体层1 的陶瓷生片。接着， 在要成为绝缘体层16h的陶瓷生片上配置要成为绝缘体层16g的陶瓷生片。之后，将要成为绝缘体层16g的陶瓷生片对要成为绝缘体层16f的陶瓷生片进行压接。之后，对要成为绝缘体层16e、16d、16c、16b、16a的陶瓷生片亦同样地依此顺序地进行层叠和压接。通过以上步骤，形成母层叠体。通过静水压冲压，对该母层叠体施加正式压接。接着，通过切刀将母层叠体切割成规定尺寸的层叠体12。对该未烧成的层叠体12 进行脱粘合剂处理及烧成。通过以上步骤，获得烧成后的层叠体12。对层叠体12施加滚光筒加工，进行倒角。 之后，通过在层叠体12的表面上，例如使用浸渍法等方法涂布及烧接主要成分为银的电极糊料，形成要成为外部电极14的银电极。最后，在银电极的表面实施镀镍(Ni)/镀锡(Sn)，形成外部电极14。经过以上的步骤，完成图1所示的滤波器10。(变形例)又，在滤波器10中，线圈Li、L2由线圈导体层18、20构成，线圈L3由连接导体层 34及通孔导体B1、B2构成。然而，线圈L1、L2由通孔导体构成，线圈L3由线圈导体层构成亦可。以下，参照附图，对变形例所涉及的滤波器IOa进行说明。图4是变形例所涉及的滤波器IOa的分解立体图。图5是变形例所涉及的滤波器IOa的等效电路图。如图3及图5所示，滤波器10的等效电路与滤波器IOa的等效电路相同。此外，滤波器IOa的外观立体图援引图1。又，对滤波器IOa的结构内、与滤波器10相同的结构标注相同的标号。如图4及图5所示，滤波器IOa具备层叠体12、外部电极14(1 14d)、方向识别标记15、谐振器LCl LC3及电容器C4 C7。如图4所示，层叠体12藉由层叠绝缘体层16(16a 16i)而构成，为长方体状。又，层叠体12内设有谐振器LCl LC3。滤波器IOa的外部电极1 14d及方向识别标记15的结构与滤波器10的这些结构相同，因此省略说明。如图4所示，绝缘体层16为长方形，藉由例如陶瓷电介质构成。绝缘体层16a 16 以在ζ轴方向从正方向侧往负方向侧排列的顺序来依次层叠。如图4及图5所示，谐振器LCl包含线圈Ll及电容器Cl，连接在外部电极14a与外部电极14c、14d之间。具体而言，线圈Ll及电容器Cl并联连接在外部电极14a与外部电极14c、14d之间。如图4所示，线圈Ll由通孔导体B3、B4及连接导体层134构成。通孔导体B3由通孔导体1^21 1^6构成，在ζ轴方向贯通绝缘体层16b 16g。通孔导体B4由通孔导体 b31 b37构成，在ζ轴方向贯通绝缘体层16b 16h。连接导体层134，设成绝缘体层16b 上沿y轴方向延伸，将通孔导体B3、B4在ζ轴方向的正方向侧的端部彼此加以连接。电容器Cl由电容器导体层1 及接地导体层132构成。电容器导体层126由电容器部126a及引出部126b构成，设于绝缘体层1 上。电容器部126a是设于绝缘体层16h 上的矩形导体。引出部126b与电容器部126a相连接，与绝缘体层1 在χ轴方向的负方向侧的短边接触。藉此，电容器导体层1 与外部电极1 相连接。又，接地导体层132由接地部13 及引出部132b、132c构成，设于绝缘体层16i上。接地部13 是设成覆盖绝缘体层16i的大致整个面的矩形导体。藉此，电容器导体层1 与接地导体层132隔着绝缘体层I^i相对，构成电容器Cl。引出部132b与接地部13 相连接，与绝缘体层16i在y 轴方向的负方向侧的长边接触。引出部132c与接地部13 相连接，与绝缘体层16i在y 轴方向的正方向侧的长边接触。藉此，接地导体层132与外部电极14c、14d相连接。如上所述，电容器Cl与外部电极14a和外部电极14c、14d相连接。如图4及图5所示，谐振器LC2包含线圈L2及电容器C2，连接在外部电极14b与外部电极14c、14d之间。具体而言，线圈L2及电容器C2并联连接在外部电极1 与外部电极14c、14d之间。如图4所示，线圈L2由通孔导体B5、B6及连接导体层136构成。通孔导体B5由通孔导体b41 b46构成，在ζ轴方向贯通绝缘体层16b 16g。通孔导体B6由通孔导体 b51 b57构成，在ζ轴方向贯通绝缘体层16b 16h。连接导体层136，设成在绝缘体层 16b上沿y轴方向延伸，将通孔导体B5、B6在ζ轴方向的正方向侧的端部彼此加以连接。电容器C2由电容器导体层1 及接地导体层132构成。电容器导体层128由电容器部128a及引出部128b构成，设于绝缘体层1 上。电容器部128a是设于绝缘体层16h 上的矩形导体。藉此，电容器导体层1 与接地导体层132隔着绝缘体层1 相对，构成电容器C2。引出部128b与电容器部128a相连接，与绝缘体层IMi在χ轴方向的正方向侧的短边接触。藉此，电容器导体层128与外部电极14b相连接。如上所述，电容器C2与外部电极14b和外部电极14c、14d相连接。
如图4及图5所示，谐振器LC3包含线圈L3及电容器C3，与外部电极14c、14d相连接。又，如图4所示，从ζ轴方向俯视时，谐振器LC3在χ轴方向夹在谐振器LCl与谐振器LC2之间。如图4所示，线圈L3由线圈导体层118及通孔导体Ml、b62构成，与线圈Li、L2 磁耦合。从ζ轴方向俯视时，线圈导体层118在绝缘体层16c上，在χ轴方向，设于通孔导体B3、B4及连接导体层134与通孔导体B5、B6及连接导体层136之间。此外，线圈导体层 118包含线圈部118a及引出部118b。从ζ轴方向俯视时，线圈部118a在绝缘体层16c (xy平面)上，为以外部电极14c 附近为起点逆时针旋转的线状导体。而且，线圈部118a具有在y轴方向延伸的部分。艮口， 线圈部118a具有与连接导体层134、136平行的部分。又，引出部118b与线圈部118a的一端相连接，与绝缘体层16c在y轴方向的负方向侧的长边接触。藉此，线圈导体层118与外部电极14c相连接。通孔导体Ml、M2，在ζ轴方向贯通绝缘体层16c、16d，通过彼此连接来构成一个通孔导体。通孔导体b61在ζ轴方向的正方向侧的端部与线圈部118a的另一端相连接。电容器C3由电容器导体层130及接地导体层232构成。电容器导体层130是设于绝缘体层16e上的矩形导体，从ζ轴方向俯视时，与通孔导体Ml、b62重迭。因此，电容器导体层130与通孔导体b62在ζ轴方向的负方向侧的端部相连接。接地导体层232由接地部23 及引出部232b构成，设于绝缘体层16d上。从ζ轴方向俯视时，接地部23 与电容器导体层130重迭。藉此，电容器导体层130及接地导体层232隔着绝缘体层16d相对，构成电容器C3。又，引出部232b与接地部23 相连接，与绝缘体层16d在y轴方向的正方向侧的长边接触。藉此，接地导体层232与外部电极14d相连接。藉由以上结构，线圈 L3的一端与电容器导体层130相连接，线圈L3的另一端及接地导体层132与外部电极14d 相连接。电容器C4、C5由电容器导体层130、2沈、2观构成，串联连接在外部电极14a、14b 之间。电容器导体层2沈、2观是设于绝缘体层16f上的矩形导体层，通过与电容器导体层 130相对而电容耦合，构成电容器C4、C5。而且，电容器导体层226、2观分别与通孔导体B3、 B5相连接。由于具有以上结构，因此电容器C4、C5串联连接在外部电极14a、14b之间。而且，电容器C4、C5经由电容器导体层130连接在线圈L3与电容器C3之间。电容器C6、C7由耦合导体层122及电容器导体层126、226、128、228构成，串联连接在外部电极14a、14b之间。耦合导体层122是设于绝缘体层16g上的矩形导体层。耦合导体层122与谐振器LCl及谐振器LC2电容耦合，与谐振器LC3几乎不会电容耦合。具体而言，耦合导体层122与电容器电极126a及电容器电极2 相对而与该电容器电极126a 及电容器电极226电容耦合，构成电容器C6。而且，耦合导体层122与电容器电极128a及电容器电极2 相对而与该电容器电极128a及电容器电极228电容耦合，构成电容器C7。 此处，电容器导体层126、128分别与外部电极14a、14b相连接。因此电容器C6、C7串联连接在外部电极14a、14b之间。具有以上结构的滤波器IOa中，线圈Ll与线圈L2磁耦合，线圈L2与线圈L3磁耦合。藉此，滤波器IOa构成仅使规定频带的信号通过的带通滤波器。即使具有以上结构的滤波器10a，也能与滤波器10同样地，不会大型化就可谋求通频带的窄带化。此外，在滤波器10中，接地导体层32由一个导体层构成。然而，接地导体层32可例如分割为与电容器导体层沈相对的层、与电容器导体层观相对的层、与电容器导体层30 相对的层。又，连接导体层34将通孔导体Bi、B2在ζ轴方向的正方向侧的端部彼此加以连接。然而，连接导体层34还可将通孔导体B1、B2在ζ轴方向的负方向侧的端部彼此加以连接。在该情况下，电容器导体层30及接地导体层32位于通孔导体Bi、B2的ζ轴方向的正方向侧。又，滤波器10还可进一步具备多个由连接导体层与通孔导体构成的谐振器。此外，在滤波器IOa中，线圈L3与线圈Li、L2双方磁耦合。然而，线圈L3只要与线圈Li、L2的至少一方磁耦合即可。工业上的实用性本发明可应用于滤波器，尤其具有在不会大型化就可谋求通频带的窄带化的优
点ο标号说明Bl B6、bl b6、bll bl5、b21 b26、b31 b37、b41 b46、b51 b57 通孔导体Cl C7 电容器Ll L3:线圈LCl LC3 谐振器10、10a 滤波器12 层叠体14a 14d:外部电极16a 16h:绝缘体层18、20、118 线圈导体层22、24、122 耦合导体层26、28、30、126、128、130、226、228 电容器导体层32、132、232 接地导体层
权利要求
1.一种滤波器，其特征在于，具备层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层来构成；输入电极及输出电极，该输入电极及输出电极设于所述层叠体的表面；第1谐振器，该第1谐振器与所述输入电极相连接且包含第1线圈；第2谐振器，该第2谐振器与所述输出电极相连接且包含第2线圈；以及第3谐振器，该第3谐振器包含与所述第1线圈及/或所述第2线圈磁耦合的第3线圈；所述第1线圈及所述第2线圈分别包含设于所述绝缘体层上的第1线圈导体层及第2 线圈导体层；所述第3线圈包含沿层叠方向贯通所述绝缘体层的通孔导体。
2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述第3线圈包含沿层叠方向贯通所述绝缘体层的二条所述通孔导体，以及设于所述绝缘体层上且将该二条通孔导体在层叠方向的上端彼此相连接或下端彼此相连接的连接导体层。
3.如权利要求2所述的滤波器，其特征在于，从层叠方向俯视时，所述第1线圈导体层及所述第2线圈导体层具有与所述连接导体层相平行地延伸的部分。
4.如权利要求2或3所述的滤波器，其特征在于，所述连接导体层设于与设有所述第1 线圈导体层及所述第2线圈导体层的所述绝缘体层不同的所述绝缘体层上。
5.如权利要求1至4中任一项所述的滤波器，其特征在于，进一步具备与所述第1谐振器及所述第2谐振器电容耦合的第1耦合导体层。
6.如权利要求1至5中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述滤波器进一步具备设于所述层叠体的表面的接地电极；所述第1谐振器进一步包含由第1电容器导体层及第1接地导体层构成的第1电容器；所述第2谐振器进一步包含由第2电容器导体层及第2接地导体层构成的第2电容器；所述第3谐振器进一步包含由第3电容器导体层及第3接地导体层构成的第3电容器；所述第1线圈及所述第1电容器并联连接在所述输入电极与所述接地电极之间； 所述第2线圈及所述第2电容器并联连接在所述输出电极与所述接地电极之间； 所述第3线圈的一端与所述第3电容器导体层相连接，且所述第3线圈的另一端及所述第3接地导体层与所述接地电极相连接。
7.如权利要求6所述的滤波器，其特征在于，进一步具备第2耦合导体层，该第2耦合导体层与所述通孔导体相连接，且与所述第1电容器导体层电容耦合，并且，与所述第2电容器导体层电容耦合。
8.如权利要求6或7所述的滤波器，其特征在于，所述第3电容器导体层设于与设有所述第1电容器导体层及所述第2电容器导体层的所述绝缘体层不同的所述绝缘体层上。
9.如权利要求6至8中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述第1接地导体层与所述第2接地导体层由一个接地导体层构成；所述接地导体层的面积大于所述第1电容器导体层的面积与所述第2电容器导体层的面积之合；所述第1电容器导体层及所述第2电容器导体层，在层叠方向设于所述接地导体层与所述第1线圈导体层及所述第2线圈导体层之间。
10. 一种滤波器，其特征在于，具备 层叠体，该层叠体通过层叠多个绝缘体层来构成； 输入电极及输出电极，该输入电极及输出电极设于所述层叠体的表面； 第1谐振器，该第1谐振器与所述输入电极相连接且包含第1线圈； 第2谐振器，该第2谐振器与所述输出电极相连接且包含第2线圈；以及第3谐振器，该第3谐振器包含与所述第1线圈及/或所述第2线圈磁耦合的第3线圈；所述第1线圈及所述第2线圈分别由沿层叠方向贯通所述绝缘体层的第1通孔导体及第2通孔导体来构成；所述第3线圈包含设于所述绝缘体层上的第3线圈导体层。
全文摘要
本发明提供不会大型化就可谋求通频带的窄带化的滤波器。层叠体(12)层叠多个绝缘体层(16)来构成。外部电极(14a、14b)设于层叠体(12)的表面。谐振器(LC1)与外部电极(14a)相连接且包含线圈(L1)。谐振器(LC2)与外部电极(14b)相连接且包含线圈(L2)。谐振器(LC3)包含与线圈(L1、L2)磁耦合的线圈(L3)。线圈(L1、L2)分别由设于绝缘体层(16)上的线圈导体层(18、20)构成。线圈(L3)由在z轴方向贯通绝缘体层(16)的通孔导体(B1，B2)构成。
文档编号H03H7/075GK102484463SQ20108003950
公开日2012年5月30日 申请日期2010年8月5日 优先权日2009年9月18日
发明者增田博志, 森隆浩 申请人:株式会社村田制作所