具有负微分电阻元件的振荡电路和使用振荡电路的振荡器的制作方法

专利名称：具有负微分电阻元件的振荡电路和使用振荡电路的振荡器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于产生电磁波的具有负电阻元件的振荡电路和使用该振荡电路的振荡器。更特别地，本发明涉及一种如下这样的振荡电路和使用该振荡电路的振荡器，该振荡电路使用诸如谐振隧穿二极管的负电阻元件来产生电磁波，该电磁波在该电磁波的至少一部分中包含太赫兹带频域(30GHz或更高、但不高于30THZ的频率)中的频率分量。
背景技术：
作为在太赫兹波的频带中工作和振荡的固态器件，使用诸如谐振隧穿二极管(RTD)的负电阻元件的振荡器已被提出。特别地，使用RTD的振荡器利用基于RTD的半导体量子阱结构中的电子的子带间跃迁的电磁波增益，并且太赫兹带中的室温振荡已被报告。日本专利申请公开 No. 2007-124250 和 Jpn. J. Appl. Phys. , Vol. 47, No. 6，pp. 4375-4384，2008公开了一种振荡器，在该振荡器中，双势垒RTD和平面缝隙天线集成在半导体基板 上。振荡器在如下这样的偏压下在太赫兹带中在室温下振荡，在所述偏压，微分负电阻(differential negative resistance)出现在 RTD 的电流-电压特性中。已知使用诸如RTD的负电阻元件的振荡器引起低频寄生振荡，所述低频寄生振荡可归因于包括电源的偏压电路。寄生振荡可能是太赫兹波的频带中的所希望的谐振频率的振荡输出劣化的起因。为了针对该问题采取措施，IEEE MICROWAVE AND⑶IDEDWAVELETTERS,VOL. 5,NO. 7，JULY 1995 pp. 219-221公开了用于将稳定电路定位在偏压电源与RTD之间的技术。稳定电路包含与RTD并联设置的电容器和电阻器，并将谐振电路设为在除了谐振频率之外的所有频率中为低阻抗。另外，稳定电路被定位在距RTDX/4U是太赫兹带频域中的所希望的谐振频率的波长)的距离内的位置。通过这些设计，寄生振荡被抑制，以通过使用负电阻元件的振荡器实现太赫兹带中的室温振荡。引文列表专利文献专利文献I :日本专利申请公开No. 2007-124250非专利文献非专利文献I Jpn. J. Appl. Phys.，Vol. 47，No. 6，pp. 4375-4384，2008非专利文献2:IEEE MICROWAVE AND GUIDED WAVELETTERS, VOL. 5, NO. 7, JULY1995 pp.219-221非专利文献3 Jpn. J. Appl. Phys.，Vol. 42，2367 (2003)

发明内容
为了将这些振荡器应用于太赫兹带中的通信或成像，振荡输出的调制操作是必要的。输出调制的方法包括直接调制和外部调制，在直接调制中，如常规半导体激光器中那样切换应用于负电阻元件的偏压，在外部调制中，外部提供机械调制盘(mechanicalchopper)或光学组件。在这些方法中，从使装置尺寸缩减和提速的观点来讲，直接调制是有前途的。另一方面，已知使用负电阻元件的振荡器的振荡频率由于偏压变化而变化。在非专利文献I中所公开的使用RTD的振荡器中，大约0. 05V的偏压变化使振荡频率变化大约7%，从而使振荡输出也变化。因此，使用负电阻元件的振荡器具有这样的可能性，即，其振荡特性(诸如振荡频率)在基于偏压切换的直接调制期间可能不稳定。作为本发明的一个方面的振荡电路包括负电阻元件；谐振电路，其与所述负电阻元件连接；和稳定电路，其与所述负电阻元件并联连接以抑制寄生振荡；其中，所述稳定电路包括可变分流电阻器和用于调整该分流电阻器的调整器件。在本发明的振荡电路中，可变分流电阻器和用于调整分流电阻器的调整器件设置在稳定电路中以便主要抑制低频寄生振荡。通过调整分流电阻器，典型地使包括负电阻元件的振荡电路的低频带(DC到几GHz)中的阻抗改变。响应于该改变，振荡电路的振荡频带在所希望的频带(典型地为太赫兹带)与低频带(DC到大约几GHz，其被称为寄生振荡)之间切换。也就是说，本发明的振荡电路适于使得通过利用调整器件改变分流电阻器来调整寄生振荡，可在保持施加偏压的情况下执行振荡操作的切换和振荡输出的调整。这样，通过使用本发明的振荡电路，能够在保持偏压的同时进行基于切换或输出调整的调制操作。因 此，实现下述振荡电路和使用该振荡电路的振荡器，所述振荡电路能够在使诸如频率的振荡特性稳定的同时还进行太赫兹带中的输出调制。从以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清晰。


图IA是用于描述根据实施例的振荡电路的配置的示图。图IB是用于描述根据实施例的振荡电路的操作的示图。图2A是用于描述实施例的修改形式I的配置的示图。图2B是用于描述实施例的修改形式2的配置的示图。图3A是用于描述根据示例的振荡器的配置的外视图。图3B是用于描述根据示例的振荡器的配置的截面图。图4A是用于描述示例的修改形式I的配置的示图。图4B是用于描述示例的修改形式2的配置的示图。图5是示例的修改形式的外视图。
具体实施例方式现在将根据附图对本发明的优选实施例进行详细描述。本实施例的振荡电路中的要点是可变分流电阻器被设置在稳定电路中以用于抑制寄生振荡，以使得能够在使诸如频率的振荡特性稳定的同时进行振荡器的输出调制。以下，将使用图IA和图IB对根据本发明实施例的振荡电路进行描述。图IA用于描述本实施例的振荡电路，图IB用于描述本实施例的振荡电路的操作。在本实施例中，谐振隧穿二极管用作负电阻元件。本实施例的振荡电路100包括谐振隧穿二极管(RTD)lOl、谐振电路102和稳定电路103，稳定电路103包括FET 104和调整器件105。RTD 101是高频增益部分，并在图IB中所示的电流-电压特性中表现出微分负电阻(IBias2)。谐振电路102用作用于确定振荡电路100的谐振频率的谐振器。振荡电路100以下述频率振荡，所述频率RTD 101所具有的微分负电阻与根据谐振电路102的结构确定的谐振频率之间的关系确定。这里，在本实施例中，频率典型地属于太赫兹带频域。电源106与RTD 101、谐振电路102和稳定电路103并联连接，以便将偏压施加于振荡电路100。稳定电路103抑制振荡电路100中的低频寄生振荡，并至少包括与RTD 101并联连接的电容器Cstab和作为分流电阻器的电阻器Rstab。稳定电路103可被定位在距RTDA/4( A是太赫兹带的频域中的振荡频率的波长)的距离内的位置，以使得RTD 101不与包括电源106的外部电路谐振。另外，稳定电路103可具有尺寸比低频寄生振荡的波长小的结构，以使得RTD 101和稳定电路103不彼此谐振。此外，稳定电路103可被定位在不对谐振电路102内的驻波造成损失的位置处。例如，稳定电路103可被定位在驻波的波节处。除了 Rstab之外，作为稳定电路103的分流电阻器，与RTD 101并联连接的FET 104也被设置在本实施例的振荡电路100中。另外，振荡电路100设有调整器件105，其用于调整FET 104的电阻。在本实施例中，作为三端子器件的场效应晶体管(FET)用作可变电阻 器的示例。例如，FET 104的漏极电极与RTD 101的正极侧连接，FET 104的源极电极接地。FET 104的栅极电极与调整器件105连接，以使得从调整器件105施加合适的栅极电压\。FET 104的源极-漏极电阻可通过调整栅极电压Vg被改变。当同时满足以下表达式I和2这二者时，振荡电路100以高频(通常在太赫兹带中)振汤。振幅条件 Re [Yetd] +Re [Yosc] ( 0 表达式 I相位条件Im [YKTD]+Im [Yosc] = 0 表达式 2另外，当满足以下表达式3时，低频域中的寄生振荡被抑制。其原因是，当RTD 101与从端子aa'起的电源106侧的外部电路谐振时，RTD 101进入在低频带(DC到几GHz)中的寄生振荡。寄生振荡抑制条件Re [Yetd] +Re [Yj > 0 表达式 3其中，Yktd是RTD 101的导纳，Y。,。是谐振电路102的导纳，Ya是从端子aa'起的电源106侧的电路(包括稳定电路103、电源106和外部电路的电路)的导纳。另外，Re[YKTD]、Re [YJ和Re [Yosc]是导纳YKTD、Ya和Yosc的实数部分，并且Im[Yetd]和Im[Yosc]是导纳Yetd和Yqsc的虚数部分。如上所述，为了抑制寄生振荡，振荡电路100需要满足表达式3。为了满足这个要求,可通过稳定电路103将振荡电路100设为在除了所希望的振荡频率wM。之外的所有频率中为低阻抗。对于从DC到几GHz的低频域，在这些频率之中，主要通过分流电阻器将振荡电路100设为低阻抗，所述分流电阻器是与RTD 10并联连接的电阻器。对于比该频域高的频域(从几GHz到振荡频率WtjJ，主要通过并联电容器Cstab将振荡电路100设为低阻抗。根据上述非专利文献2，希望的是分流电阻具有等于或稍小于RTD 101的微分负电阻的绝对值的值。在本实施例中，固定电阻并联电阻器Rstab和用作可变电阻并联电阻器的FET104用作分流电阻器。
振荡电路100使得可通过利用调整器件105改变FET 104的栅极电压\，从而调整源极-漏极电阻，来将上述分流电阻调整为任意值。例如，如果Vg被设为Vgl以使得FET104和Rstab的组合电阻基本上与RTD 101的微分负电阻的绝对值相同，那么，分流电阻器和振荡电路100的电流-电压特性分别被表示为图IB中的IstabI和IBiasl。此时，由于在从DC到几GHz的频带中满足上述表达式3所给出的条件，所以低频寄生振荡被抑制。因此，振荡电路100以由RTD 101和谐振电路102确定的高太赫兹带频率振荡(图IB中的L_l)。另一方面，如果FET 104的Vg被设为Vg2以使得FET 104和Rstab的组合电阻大于微分负电阻的绝对值，那么，分流电阻器和振荡电路100的电流-电压特性分别被表示为图IB中的Istab2和IBias2。此时，由于不再满足寄生振荡抑制条件(上述表达式3)，所以振荡电路100以例如几GHz的低频振荡。在高太赫兹带频率，振荡电路100的振荡输出变弱(图IB中的L_2)。这样，振荡电路100使得通过利用调整器件105和FET 104调整分流电阻的值，能够在保持施加偏压(VBias)的情况下进行振荡切换和振荡输出调整。另外，可通过调整分流电阻对振荡电路100执行输出调制。
如上所述，通过调整布置在稳定电路103中的可变电阻分流电阻器，并由此调整振荡电路100的低频阻抗，可实行振荡电路100的输出调整和切换。如此,RTD振荡电路的输出调制期间的振荡特性(诸如振荡频率)不稳定的常规未解决的问题通过利用该机制被解决。另外，本实施例的配置使得诸如晶体管的调制单元能够小规模地集成在RTD附近。因此，与基于偏压的直接调制相比，避免了由于诸如电源的外部电路而导致的任何延迟，因此，期望甚至更高速的调制操作。此外，由于可使用调整器件105而不是偏压来执行调制，所以与常规的直接调制相比，提高了控制的自由度。更进一步，由于在调制时不需要偏压切换，所以器件由于可归因于瞬变现象的浪涌电流等而损坏的危险降低。应指出，在此前描述的本实施例中，江崎二极管、耿氏二极管、頂PATT(碰撞电离雪崩渡越时间)二极管和TUNNETT (隧穿渡越时间)二极管之一可用作负电阻元件。另外，除了本实施例中提及的晶体管之外，可使用诸如其电阻分别随光、热、磁或应变而改变的光敏电阻器、热敏电阻器、磁控电阻器和应变电阻器之一的材料作为可变电阻分流电阻器。在这种情况下，如图2A所示那样配置振荡电路300。可以例如通过光照射单元305来调整光敏电阻器元件304，或者可通过应变施加单元305来调整应变电阻元件304。在任一情况下，可变电阻器可具有尺寸小于寄生振荡的波长的结构。另外，如图2B中所示的振荡电路400中那样，振荡输出的切换和调整可通过下述方式来执行，即，利用调整器件405调整开关404，从而切换分流电阻器。此时，调整器件405被选择为使得不干扰RTD 101和谐振电路102。开关404可具有尺寸小于寄生振荡的波长的结构。另外，腔体波导、微带谐振器、贴片天线谐振器或缝隙天线谐振器等可用作谐振电路102。因此，可高效地从振荡电路100取出高频作为电磁波。如果稍后描述的图5中所示的等离子体振子波导用作谐振电路，则实现具有甚至更高的输出的振荡电路。以下，将对本实施例的更具体示例进行详细描述。示例现在，将使用图3A至图5对根据本实施例的振荡电路进行描述。图3A是本实施例的外视图，图3B是其截面图。图4A、图4B和图5是用于描述本实施例的修改形式的示图。本实施例的振荡电路200形成在基板230上，并主要包含RTD201、贴片天线202、FET 204、调整器件205、MM (金属-绝缘体-金属)结构209和电阻元件210。RTD 201使
用包括以下组成元件的三势垒量子阱结构
第一势全层AlAs 1.3 nm
第一量子牌层 InGaAs 7.6 nm 第二势全层InAlAs 2.6 nm
第二量子牌层 InGaAs 5.6 nm
第三势全层AlAs 1.3 nm这里，第一量子阱层、第二势垒层和第二量子阱层是与具有平面取向(100)的InP晶格匹配的InGaAs/InAlAs层。第一势鱼层和第三势鱼层是不与InP晶格匹配的AlAs层。这些层比临界膜薄，并且是高能势垒。谐振隧穿二极管是通过用由未掺杂的InGaAs制成的间隔层和由n+InGaAs制成的电接触层从三势垒量子阱结构的上面和下面将该结构夹在中间来形成的。另外，由重掺杂的n++InGaAs制成的接触层220a和220b设置在RTD 201的顶部和底部上。RTD 201具有直径为大约的台面结构，并通过使用基于氯的气体的ICP-RIE(感应耦合等离子体-反应离子蚀刻)法来形成。与接触层220a连接的第一电极211和与接触层220b连接的GND电极212a从RTD 201的顶部和底部将RTD 201夹在中间。在本实施例中所使用的RTD 201中，获得电流密度Jp = 280kA/cm2、大约为3的峰谷比和大约为-22Q的微分负电阻作为电流-电压特性。具有其中两个金属层将电介质材料夹在中间的结构的贴片天线202对应于图IA的电路图中的谐振电路102。振荡频率根据电介质材料的类型和厚度、贴片天线202的边长以及RTD 201的尺寸和位置来确定。贴片天线202具有在其中电介质层208被第一电极211与GND电极212a夹在中间的结构。电磁波驻留在第一电极211与GND电极212a之间的电介质材料内。第一电极211是15011111\15011111的方形入/2贴片，并具有大约0. 5THz的振荡频率。RTD 201被设计为使得当RTD 201被定位在沿A' A方向距第一电极211的中心大约40 iim远的位置时，贴片天线202和RTD 201的阻抗彼此匹配。入/4微带线224与X/2贴片连接，该贴片与MM结构209的第二电极221和FET 204的第三电极222连接。微带线被定位在下述位置，即在所述位置，贴片天线202的谐振电磁场的驻波具有波节。第一电极211是通过剥离法形成的金属层，并且由Ti/Pd/Au(20nm/20nm/200nm)制成。第一电极211被称为用于重掺杂n++InGaAs的低电阻欧姆电极。在本实施例中,第一电极211、第二电极221和第三电极222使用Ti/Pd/Au(20nm/20nm/200nm)层一体地形成。关于电介质层208，使用称之为用于高频电磁波的低损耗材料的BCB (苯并环丁烯)。电介质层208的厚度大约为3 u m,并通过使用旋涂法和干式蚀刻法形成。电介质层208还具有以直流方式使第一电极211和GND电极层212a彼此绝缘的功能。关于GND电极层212a，使用通过剥离法形成的且由Ti/Pd/Au/Ti (20nm/20nm/200nm/20nm)制成的金属层。GND电极层 212a,212b 和 212c 接地。稳定电路103包括MM结构209、分流电阻器和电源205，MIM结构209是并联电容器Cstab,分流电阻器包括用作可变电阻器的FET 204和作为固定电阻器的并联电阻元件210，电源205用作调整器件105。关于并联电阻器Cstab，使用MM结构209，在该MM结构中，电介质层208被第二电极221和GND电极212b夹在中间。在本实施例中，并联电容器Cstab被设计为具有数PF的电容，以使得在从几GHz直到振荡频率的高频域中短路。并联电阻元件210连接在第二电极221与GND电极层212b之间，并且用作用于将电极之间的路径在低频下设为低阻抗的分流电阻器的一部分。作为半金属的铋用于并联电阻元件210。具体地讲，200 umX80umXlum厚的铋膜通过剥离法形成，以使得具有大约50 Q的电阻。关于FET 204，使用基于InP的HEMT (高电子迁移率晶体管)，以便将FET 204与基于InP的RTD集成。按HEMT和RTD的次序在同一 InP基板上执行外延生长，从而通过利用湿式蚀刻移除包括RTD的多层膜的一部分来形成HEMT结构。例如，利用非专利文献3中所公开的结构。HEMT结构的主组成元件是InAlAs载流子供给层235、InGaAs沟道层236、 InGaAs/InAlAs盖层234和InAlAs缓冲层237。HEMT结构具有0. I u m的栅极长度。HEMT结构的栅极宽度被设置为300 ym，以便获得所希望的电阻值。与InAlAs具有欧姆接触且与n+InGaAs具有肖特基接触的Ti/Pt/Au用于漏极电极231、源极电极232和栅极电极233。漏极电极231、源极电极232和栅极电极233经由分别由Au形成的通孔238a、238b和238c引出到电介质层的上表面上，以便与第三电极222、第四电极225和第五电极226连接。第三电极222通过微带线224与贴片天线202连接，从而基本上与MM结构209的第二电极221—致。另外，第四电极225与GND电极212c连接，并且接地。第五电极226与用作调整器件105的电源205连接。RTD 201在Vbias = 0. 7V的条件下具有大约_22 Q的微分负电阻。本实施例的HEMT在Vg = 0. 3V的条件下具有大约30 Q的源极-漏极微分电阻。因此，包括Rstab和FET 204的分流电阻器的组合电阻大约为20 Q。由于振荡电路200在低频短路，因此，寄生振荡被抑制，振荡电路在0. 4THz的太赫兹带中振荡。另一方面，在Vg = -0. 3V的条件下,源极-漏极微分电阻大约为500 Q。因此，包括Rstab和FET204的分流电阻器的组合电阻大约为45 Q。因此，振荡电路200在低频不是完全短路，因此，寄生振荡发生。结果，太赫兹带中的振荡输出变弱。如上所述，本实施例的振荡电路200使得能够通过利用调整器件调整置于稳定电路中的FET 204的源极-漏极电阻来进行振荡电路的振荡输出的切换和调整。根据本实施例，解决了 RTD振荡电路的输出调制期间诸如频率的振荡特性不稳定的常规未解决的问题。作为本实施例的修改形式，可利用下述构造，在该构造中，如图4A所示，HBT 504用作包括电流源505的稳定电路503的可变电阻器，并且等离子体振子波导用作谐振电路的结构。等离子体振子波导是如下这样的谐振结构，在该谐振结构中，如图5所示，RTD 501和电介质层508被两个电极511和512夹在中间。该结构适合于提升本实施例的振荡电路500的输出功率。可替换地，多个RTD 501可周期性地设置在谐振结构内。在这样的结构中，包括RTD 501的层和包括HBT 504的层通过金属接合转印到基板530。这里，电极522、电极525和电极526 (与电流源505连接)是分别从HBT 504的集电极电极、发射极电极和基极电极(未示出)引出的电极。HBT 504的发射极接地。
如上所述的这样的构造实现具有高输出并且易于调整和切换其输出的振荡电路500。另外，作为本实施例的另一种修改形式，可应用下述构造，在该构造中，如图4B所示，用作可变电阻器的FET 604 (其基极与电压源605连接)和作为非线性元件的肖特基势垒二极管606并联设置作为分流电阻器。在这种情况下，实现功耗甚至更低的振荡电路600。例如，就三端子器件而言，可利用HFET、MOSFET、JFET和IGBT之一作为可变电阻器。另外，可使用如下之一作为电阻改变材料即，使用利用非易失性记录能力的材料的可变电阻器(诸如TMR(隧道磁控电阻器))；其电阻变化由电脉冲引起的钙钛矿材料；具有其电阻随应变而改变的应变电阻效果的材料。可使用任何可变电阻器，只要可通过将电信号、光或热量输入到电阻元件来调整其电阻即可。如图2A所示，电阻通过来自调整器件的输入信号而被调整。如果如图2B所示，振荡电路设有多个分流电阻器和开关，则可利用使用通过静电引力工作的致动器的MEMS开关和组合使用FET和二极管的切换电路之一。在本实施例中，由在InP基板上生长的InGaAs/InAlAs以及InGaAs/AlAs制成的三势垒谐振隧穿二极管被描述为RTD 201。然而，本实施例不限于这些结构和材料系统。即使对于结构和材料的其它组合，也可提供本实施例的半导体元件。例如，可使用具有双势垒量子阱结构的谐振隧穿二极管和具有包括四个或更多个势垒的多势垒量子阱的谐振隧穿二极管之一。另外，可使用选自由以下构成的组的材料的组合作为材料系统形成在GaAs基板上的 GaAs/AlGaAs、GaAs/AlAs 或 InGaAs/GaAs/AlAs ;形成在 InP 基板上的 InGaAs/AlGaAsSb ;形成在InAs基板上的InAs/AlAsSb或InAs/AlSb ;和形成在Si基板上的SiGe/SiGe。根据所希望的频率等,可适当地从由这些结构和材料构成的组中选择结构和材料。应指出，在本实施例中，基于载流子是电子的假设进行了论述。然而，本实施例不限于这种情况，而是还可应用使用电子空穴的振荡电路。然而，在这种情况下，电路元件的极性需要对调。另外，可根据使用目的选择基板230和530的材料。因此，可使用半导体基板，诸如硅基板、砷化镓基板、砷化铟基板、磷化镓基板和氮化镓基板之一。可替换地，还可使用玻璃基板、陶瓷基板和树脂基板之一。上述结构可通过使用现存的半导体工艺来形成。工业实用性本发明涉及用于产生电磁波(特别地，太赫兹波)的具有负电阻元件的振荡电路。 该振荡电路可用作例如断层摄影(薄层照相)装置、光谱检测装置或无线电通信设备的光源部分。尽管已参照示例性实施例对本发明进行了描述，但是应该理解本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围应被给予最广泛的解释，以涵盖所有这样的修改以及等同结构和功能。本申请要求2009年9月7日提交的日本专利申请No. 2009-205671的优先权，该日本专利申请的全部内容特此通过弓I用并入本文。
权利要求
1.一种振荡电路,包括 负电阻元件； 谐振电路，所述谐振电路与所述负电阻元件连接；以及 稳定电路，所述稳定电路与所述负电阻元件并联连接以抑制寄生振荡， 其中，所述稳定电路包括可变分流电阻器和调整器件，所述调整器件用于调整所述分流电阻器。
2.根据权利要求I所述的振荡电路，其中，通过利用所述调整器件调整所述分流电阻器来对振荡输出执行调整和切换之一。
3.根据权利要求I所述的振荡电路，其中，所述分流电阻器包括晶体管。
4.根据权利要求I所述的振荡电路，其中，所述稳定电路被连接到所述谐振电路的谐振驻波具有波节的位置。
5.根据权利要求I所述的振荡电路，其中，所述负电阻元件是谐振隧穿二极管。
6.根据权利要求I所述的振荡电路，其中，所述可变分流电阻器包括多个分流电阻器，并且其中，所述调整器件通过切换所述多个分流电阻器来调整可变分流电阻器。
7.—种振荡器,包括 基板；和 集成在所述基板上的根据权利要求I所述的振荡电路。
8.一种用于调整包括负电阻元件的振荡电路的方法，所述方法包括 改变用于抑制寄生振荡的稳定电路的分流电阻； 调整所述振荡电路在低频带中的阻抗；以及 对所述振荡电路的在比所述低频带高的频带中的振荡输出执行调整和切换之一。
全文摘要
一种振荡电路，包括负电阻元件；谐振电路，其与所述负电阻元件连接；和稳定电路，其与所述负电阻元件并联连接以抑制寄生振荡，其中，所述稳定电路包括可变分流电阻器和用于调整该分流电阻器的调整器件。
文档编号H03B7/08GK102714485SQ20108003965
公开日2012年10月3日 申请日期2010年8月13日 优先权日2009年9月7日
发明者关口亮太, 小山泰史 申请人:佳能株式会社