专利名称：包含有一动作模组以提升负电阻值的栓锁器系统的制作方法
技术领域：
本发明提供一种栓锁器系统，尤指一种包含有一动作模组以提升该栓锁器系统的负电阻值的栓锁器系统。
背景技术：
在通讯应用电子电路设计以及其他各种不同应用的电路设计当中，电压控制振荡器(Voltage-Controlled Oscillator，VCO)向来均为不可或缺的重要电路元件之一，电压控制振荡器通常使用于一锁相回路(PhaseLock Loop，PLL)中，用以产生一相位固定的时脉信号，而该时脉信号则可于如通讯应用中发挥将高频信号降频的功能，也就是说，该锁相回路于通讯应用中担任本地振荡器(Local Oscillator，LO)的角色。一般来说，电压控制振荡器在习知互补金属氧化半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)制程技术中有两种主要的设计方法，其一是完全利用标准互补金属氧化半导体制程技术即可完成的设计，例如弛张振荡器(Relaxation Oscillator)及环状振荡器(Ring Oscillator)等架构；而另一种设计方法则是于振荡器电路中使用电感电容共振腔(LC Tank)的架构，虽然此种架构必须于互补金属氧化半导体制程技术中使用电感，会增加制程的复杂程度，但是由于其电路架构相对来说简单得多，而且所产生的时脉信号的品质亦相对较为优越(例如其较不易受到电源供应、温度等参数变化的影响，对杂讯的抵抗力也较强)，故此种使用电感电容共振腔的电压控制振荡器架构仍然受到大多数电路设计者的青睐。
请参阅图1，图1中显示习知技术一使用电感电容共振腔的电压控制振荡器10的示意图，电压控制振荡器10包含有一电流源模组24，用来提供一直流电流；一交叉耦合对(Cross-Coupled Pair)12，其通常由完全相同的二金属氧化半导体场效晶体管(Field Effect Transistor，FET)14及16所组成，其中金属氧化半导体场效晶体管14的漏极电连接于金属氧化半导体场效晶体管16的栅极，而金属氧化半导体场效晶体管16的漏极则电连接于金属氧化半导体场效晶体管14的栅极，并且由此二栅极端(于本例中即其漏极端)取出信号以作为电压控制振荡器10的二输出端，而图1中所示的一电阻RN则代表交叉耦合对12的等效电阻；电压控制振荡器10亦包含有一电感电容共振腔18，其包含有一电容20，一电感22，并且电连接于电压控制振荡器10的二输出端之间，而图1中所示的一电阻RP则代表电感电容共振腔18中各个元件的等效电阻。经由上述的电路架构，则电压控制振荡器10能够以存在于其中的一微小杂讯为起始点，在不需要额外的起始信号的帮助下，即可通过交叉耦合对12配合电容20及电感22对该微小杂讯的振荡，而于其二输出端产生振荡频率与电感电容共振腔18的自然振荡频率相关且相互相位差为180°的二振荡信号。请注意，图1中所示的电感电容共振腔18中的电容20代表电感电容共振腔18的等效电容，而电感22代表电感电容共振腔18的等效电感，通常电压控制振荡器10于电感电容共振腔18中会包含有一电压控制机制用来控制电压控制振荡器10的振荡频率，然而图1为了简化说明，故未显示该电压控制机制。
电压控制振荡器10如欲顺利进入振荡状态，其电路特性必须符合一特定的条件，即其总合的等效电阻必须为一负值，因为等效电阻为一负值的电路组态才具备有将一微小信号放大的能量。于图1中的电压控制振荡器10，其总合的等效电阻即电感电容共振腔18的等效电阻RP及交叉耦合对12的等效电阻RN的总合，由于电感电容共振腔18的等效电阻RP通常为一正值，这就是说，如果电压控制振荡器10如欲顺利进入振荡状态，交叉耦合对12的等效电阻RN一定必须为一绝对值大于电阻RP的负电阻值。若假设金属氧化半导体场效晶体管14及16的转导数(Transconductance)为gm，则交叉耦合对l2的等效电阻RN的值即为(-2/gm)，其为一负值，故此即电压控制振荡器10得以进入振荡状态的原因。
然而，为了因应如无线区域网路(Wireless LAN)等应用，使得电路设计对于该振荡信号的频率愈来愈倾向于高频的需求(例如5.2GHz或者以上)，以及为了控制制程成本而使得电感22的品质因数(QualityFactor，Q)无法升高，这些现象导致等效电阻RN的绝对值非常难以大于等效电阻RP的值，而使得电压控制振荡器10非常不容易进入自我共振(Self Resonance)状态，习知的电压控制振荡器技术通常利用将用来作为电压控制振荡器10的偏压电流的电流源模组24的直流电流升高，以降低金属氧化半导体场效晶体管14及16的转导数值而得到一绝对值较大的等效电阻RN，但是如此一来，电压控制振荡器10的功率消耗将无法降低，非常不适合应用于目前通讯电路设计对低功率消耗的需求。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种包含有一动作模组的栓锁器系统，其会提供一绝对值较大的负电阻值至一使用电感电容共振腔的电压控制振荡器，以解决上述习知电压控制振荡器不易进入自我共振状态的问题。
为达成上述目的，本发明提出一种栓锁器系统，其包含有一电流源模组，用来提供至少一直流电流；一第一交叉耦合模组，其包含有一第一反向器，用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压，该第一交叉耦合模组亦包含有一第二反向器，用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压；以及一动作模组，连接于该第一及第二反向器，该动作模组包含有至少一动作区块，每一动作区块包含一第一元件以及一第二元件，用来提升该栓锁器系统的负电阻值。
相较于习知电感电容共振腔电压控制振荡器使用交叉耦合对提供负电阻值的技术，本发明的栓锁器系统包含有一动作模组，在该动作模组的电路组态内可提供一绝对值较大的负电阻值，因此可以用来替代习知技术的电压控制振荡器中提供负电阻的部份电路(如前述的交叉耦合对)，并能够提升该栓锁器系统的负电阻值，而使得包含有该栓锁器系统的电感电容共振腔电压控制振荡器得以更容易进入自我共振状态。
图1为习知的电感电容共振腔电压控制振荡器的示意图；图2A及图2B为本发明的栓锁器系统使用于一电感电容共振腔电压控制振荡器的示意图；图3A及图3B为本发明的栓锁器系统的电流源模组的电流镜组态的示意图；图4A及图4B为本发明的栓锁器系统包含有复数个动作模组并使用于一电感电容共振腔电压控制振荡器的示意图；图5A及图5B为本发明的栓锁器系统包含有一交叉耦合对并使用于一电感电容共振腔电压控制振荡器的示意图；图6A及图6B为本发明的栓锁器系统包含有复数个动作模组及一交叉耦合对并使用于一电感电容共振腔电压控制振荡器的示意图；图7A及图7B为本发明的栓锁器系统包含有另一交叉耦合模组并使用于电感电容共振腔电压控制振荡器的示意图；图8为本发明的栓锁器系统使用双极接面晶体管为动作区块元件的示意图；图9为本发明的栓锁器系统使用二极管为动作区块元件的示意图；图10为本发明的栓锁器街使用电阻为动作区块元件的示意图。
图示的符号说明10、30电压控制振荡器 12、72交叉耦合对14、16、34、36、62、64晶体管 18、38电感电容共振腔20、40电容 22、42电感24、60电流源模组 32栓锁器系统50动作模组 52动作区块54第一元件 56第二元件82交叉耦合模组具体实施方式
请参阅图2A及图2B，图2A及图2B中显示使用本发明的栓锁器(Latch)系统32的电感电容共振腔电压控制振荡器30的示意图，其中图2A所示者使用N型金属氧化半导体场效晶体管技术，而图2B所示者则使用P型金属氧化半导体场效晶体管技术，由于图2A及图2B中的栓锁器系统的差别仅在于元件的种类，而电路组态则完全相同，故接下来的说明将均以图2A中所示使用本发明的栓锁器系统32的电感电容共振腔电压控制振荡器30为主，而图2B所示的其互补(Complementary)组态则可依此类推。于图2A中的电压控制振荡器30包含有一本发明的栓锁器系统32以及一电感电容共振腔38，其中栓锁器系统32包含有一电流源模组(未显示于图2A中)，用来提供至少一直流电流；一第一交叉耦合(Cross-Coupling)模组，其包含有一第一反向器(Inverter)34及一第二反向器36，该二反向器用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压；以及一动作模组(Action Module)50，连接于第一及第二反向器34、36，动作模组50包含有一动作区块(Action Block)52，其包含有一第一元件54及一第二元件56，用来提升该栓锁器系统32的负电阻值。而电感电容共振腔38包含有至少一电容40、至少一电感42、以及一控制电压Vctrl，控制电压Vctrl用来控制电压控制振荡器30的振荡频率，而电感电容共振腔38的接续及功能则与前述的习知技术相同，故不多作赘述。
现在请参阅图2A、图3A及图3B，于图2A中所显示者为本发明的栓锁器系统32的一较佳实施例，其中第一及第二反向器34、36为二N型金属氧化半导体场效晶体管的共源极(Common Source)组态，第一及第二反向器34、36的输入端为该金属氧化半导体场效晶体管的栅极(Gate)，而第一及第二反向器34、36的输出端为该金属氧化半导体场效晶体管的漏极(Drain)，并且自第一及第二反向器34、36的栅极端取出二信号以作为电压控制振荡器30的二输出端。动作模组50的动作区块52的第一及第二元件54、56则为二N型金属氧化半导体场效晶体管，第一元件54的源极电连接于第一反向器34的输出端，而第二元件56的源极则电连接于第二反向器36的输出端；第一元件54的漏极电连接于第二反向器36的输入端，而第二元件56的漏极则电连接于第一反向器34的输入端；第一及第二元件54、56的栅极则共同电连接于一参考电压Vbias，用来提供第一及第二元件54、56的操作偏压值。图3A及图3B中显示二电流镜(Current Mirror)组态的电流源模组60，其中图3A所示者使用N型金属氧化半导体场效晶体管技术，而图3B所示者则使用P型金属氧化半导体场效晶体管技术，电流源模组60包含有将栅极及漏极相互电连接的一金属氧化半导体场效晶体管62，其栅极电连接于与其种类相同的至少一金属氧化半导体场效晶体管64，用来将通过金属氧化半导体场效晶体管62的通道(Channel)的一参考电流Iref镜射至金属氧化半导体场效晶体管64的通道电流，以达到提供金属氧化半导体场效晶体管64一直流电流的目的。图2A的栓锁器系统32的该电流源模组可使用图3A中的电流源模组60，而其可电连接于第一及第二反向器34、36的源极，其亦可直接将金属氧化半导体场效晶体管62的栅极电连接至第一及第二元件54、56的栅极利用第一及第二元件54、56代替金属氧化半导体场效晶体管64的功能，以提供栓锁器系统32所需的直流电流偏压值。
本发明的栓锁器系统32于习知技术的交叉耦合对12中加入动作模组50，动作模组50的功能乃于电压控制振荡器30的起振阶段时，由于动作模组50的加入会使栓锁器系统32整体的转导数值大为降低，而导致栓锁器系统32能够提供电压控制振荡器30一绝对值非常大的负电阻值，使得电压控制振荡器30可以在共振频率改变量不大的情形下，更容易进入自我共振状态；同时于电压控制振荡器30进入自我共振状态后，动作模组50可以被视为一可变电阻，其电阻值会随着于电压控制振荡器30的二输出端的振荡信号的振幅大小而改变，因此该振荡信号的振幅大小并不会因动作模组50的加入而减少太多。
请参阅图4A及图4B，图4A及图4B中显示使用于电压控制振荡器30的本发明的栓锁器系统32的另一实施例，其电路组态与前述图2A及图2B中的电压控制振荡器30均相雷同，故不再详细叙述。然而于图4A及图4B中的动作模组50，其包含有复数个动作区块52，每一动作区块52包含一第一元件54以及一第二元件56，而复数个动作区块52以串叠(Cascode)的方式相互电连接，用来提升栓锁器系统32的负电阻值，其中第一及第二元件54、56如图2A及图2B所示一般可以为二金属氧化半导体场效晶体管。每一动作区块52的第一及第二元件54、56的栅极亦可如图2A及图2B所示一般共同连接于一参考电压，而对于所有动作区块52，该参考电压可以为同一数值，亦可以如图4A及图4B所示一般分别为Vbias1、Vbias2、……、VbiasM等不同的数值，此属于电路设计者的设计考量。而栓锁器系统32的电流源模组亦可如前段所述连接于第一及第二反向器34、36的源极，或者直接将图3A及图3B中的金属氧化半导体场效晶体管62的栅极电连接至复数个主动区块52其中之一的第一及第二元件54、56的栅极利用第一及第二元件54、56代替金属氧化半导体场效晶体管64的功能，以提供栓锁器系统32所需的直流电流偏压值。
请参阅图5A及图5B，图5A及图5B中显示使用于电压控制振荡器30的本发明的栓锁器系统32的另一实施例，其电路组态与前述图2A及图2B中的电压控制振荡器30均相雷同，故不再详细叙述。然而图5A及图5B中的栓锁器系统32其另包含有一交叉耦合对72，以图5A为例，交叉耦合对72包含有二P型金属氧化半导体场效晶体管，电连接于第一及第二反向器34、36的输入端，用来作为栓锁器系统32中该第一交叉耦合模组的互补电路。而栓锁器系统32的电流源模组除了前段所述的接续方式外，亦可连接于交叉耦合对72中该二P型金属氧化半导体场效晶体管的源极。图5B中所示的电压控制振荡器30则可依此类推。
请参阅图6A及图6B，图6A及图6B中显示使用于电压控制振荡器30的本发明的栓锁器系统32的另一实施例，其电路组态与前述图5A及图5B中的电压控制振荡器30均相雷同，故不再详细叙述。然而图6A及图6B中所示的动作模组50具有如图4A及图4B所示的动作模组50相同的复数个动作区块52的变化。其中每一动作区块52的第一及第二元件54、56的栅极亦可如图2A及图2B所示一般共同连接于一参考电压，而对于所有动作区块52，该参考电压可以为同一数值，亦可以如图6A及图6B所示一般分别为Vbias1、Vbias2、……、VbiasM等不同的数值，此属于电路设计者的设计考量。
请参阅图7A及图7B，图7A及图7B显示使用于电压控制振荡器30的本发明的栓锁器系统32的另一实施例，其中图7A中的电压控制振荡器30的电路组态与前述图2A中的电压控制振荡器30相雷同，故不再详细叙述。然而图7A所示的栓锁器系统32其另包含有一第二交叉耦合模组82，其电路组态与该第一交叉耦合模组相同，但是由复数个P型金属氧化半导体场效晶体管所组成，故其可作为栓锁器系统32中该第一交叉耦合模组的互补电路。而栓锁器系统32的电流源模组除了前段所述的接续方式外，亦可连接于第二交叉耦合模组82中该二反向器的源极。而图7B中的电压控制振荡器30的电路组态则与图7A中的电压控制振荡器30相雷同，故不再详细叙述。然而图7B所示的栓锁器系统32的该第一交叉耦合模组以及第二交叉耦合模组82具有如图4A及图4B所示的动作模组50相同的复数个动作区块52的变化。其中每一动作区块52的第一及第二元件54、56的栅极亦可如图2A及图2B所示一般共同连接于一参考电压，而对于所有动作区块52，该参考电压可以为同一数值，亦可以如图7A及图7B所示一般分别为VbiasP1、VbiasP2、……、VbiasPM及以VbiasN1、VbiasN2、……、VbiasNN等不同的数值，此属于电路设计者的设计考量。
现在请参阅图8、图9及图10，图8、图9及图10中显示前述的栓锁器系统32中的第一及第二元件54、56使用其他不同元件的实施例，为简化说明，于图8、图9及图10中均仅显示以使用N型金属氧化半导体场效晶体管技术为主的应用，而与其互补的使用N型金属氧化半导体场效晶体管技术为主的应用可依理类推。图8为栓锁器系统32使用双极接面晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)为第一及第二元件54、56的示意图，图9为栓锁器系统32使用二极管为第一及第二元件54、56的示意图，而图10则为栓锁器系统32使用电阻为第一及第二元件54、56的示意图。
相较于习知电感电容共振腔电压控制振荡器使用交叉耦合对提供负电阻值的技术，本发明的栓锁器系统包含有一动作模组，故能够提升该栓锁器系统的负电阻值，而使得包含有该栓锁器系统的电感电容共振腔电压控制振荡器得以更容易进入自我共振状态。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆属于本发明专利的涵盖范围。
权利要求
1.一种栓锁器系统，其特征是其包含有一电流源模组，用来提供至少一直流电流；一第一交叉耦合模组，电连接于该电流源模组，该第一交叉耦合模组包含有一第一反向器，用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压；一第二反向器，用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压；以及一动作模组，连接于该第一及第二反向器，该动作模组包含有至少一动作区块，每一动作区块包含一第一元件以及一第二元件，用来提升该栓锁器系统的负电阻值；其中该第一反向器的输入端电连接于其中一动作区块的第二元件，该第一反向器的输出端电连接于其中一动作区块的第一元件，而该第二反向器的输入端电连接于其中一动作区块的第一元件，该第二反向器的输出端则电连接于其中一动作区块的第二元件。
2.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的第一及第二元件相互连接。
3.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是该动作模组包含复数个动作区块，以串叠的方式相互电连接。
4.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一电容电感共振腔，其包含有至少一电容及至少一电感，并电连接于该第一及第二反向器的输入端。
5.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该第一及第二反向器。
6.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组为至少一电流镜结构。
7.如权利要求6所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组以串叠的方式电连接于该动作模组中之一动作区块。
8.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是该第一反向器包含有一第一晶体管，而该第二反向器包含有一第二晶体管。
9.如权利要求8所述的栓锁器系统，其特征是该第一及第二晶体管为二金属氧化半导体(MOS)场效晶体管(FET)，而该第一及第二反向器为该金属氧化半导体场效晶体管的共源极组态，其中该第一及第二反向器的输入端为该金属氧化半导体场效晶体管的栅极(Gate)，而该第一及第二反向器的输出端为该金属氧化半导体场效晶体管的漏极。
10.如权利要求9所述的栓锁器系统，其特征是该金属氧化半导体场效晶体管为一N型金属氧化半导体场效晶体管(NMOSFET)。
11.如权利要求10所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二N型金属氧化半导体场效晶体管，该至少一动作区块中之一动作区块的第一元件的源极电连接于该第一反向器的输出端，而其第二元件的源极则电连接于该第二反向器的输出端；而该至少一动作区块中之一动作区块的第一元件的漏极电连接于该第二反向器的输入端，而其第二元件的漏极则电连接于该第一反向器的输入端；而每一动作区块的第一及第二元件的栅极共同电连接于一参考电压。
12.如权利要求11所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一交叉耦合对，该交叉耦合对包含有二P型金属氧化半导体场效晶体管(PMOSFET)，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
13.如权利要求12所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该交叉耦合对。
14.如权利要求11所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一第二交叉耦合模组，包含有复数个P型金属氧化半导体晶体管，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
15.如权利要求14所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该第二交叉耦合模组。
16.如权利要求9所述的栓锁器系统，其特征是该金属氧化半导体场效晶体管为一P型金属氧化半导体场效晶体管。
17.如权利要求16所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二P型金属氧化半导体场效晶体管，该至少一动作区块中之一动作区块的第一元件的源极电连接于该第一反向器的输出端，而其第二元件的源极则电连接于该第二反向器的输出端；而该至少一动作区块中之一动作区块的第一元件的漏极电连接于该第二反向器的输入端，而其第二元件的漏极则电连接于该第一反向器的输入端；而每一动作区块的第一及第二元件的栅极共同电连接于一参考电压。
18.如权利要求17所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一交叉耦合对，该交叉耦合对包含有二N型金属氧化半导体场效晶体管，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
19.如权利要求18所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该交叉耦合对。
20.如权利要求17所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一第二交叉耦合模组，包含有复数个N型金属氧化半导体场效晶体管，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
21.如权利要求20所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该第二交叉耦合模组。
22.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二个双极接面晶体管。
23.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二个二极管。
24.如权利要求1所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二个电阻。
25.一种栓锁器系统，其特征是其包含有一电流源模组，用来提供至少一直流电流；一第一交叉耦合模组，电连接于该电流源模组，该第一交叉耦合模组包含有一第一反向器，用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压；一第二反向器，用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压；以及一动作模组，连接于该第一及第二反向器，该动作模组包含有复数个动作区块，每一动作区块包含一第一元件以及一第二元件，而该复数个动作区块以串叠的方式相互电连接，用来提升该栓锁器系统的负电阻值；其中该第一反向器的输入端电连接于一第一动作区块的第二元件，该第一反向器的输出端电连接于一第二动作区块的第一元件，而该第二反向器的输入端电连接于该第一动作区块的第一元件，该第二反向器的输出端则电连接于该第二动作区块的第二元件。
26.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的第一及第二元件相互连接。
27.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一电容电感共振腔，其包含有至少一电容及至少一电感，并电连接于该第一及第二反向器的输入端。
28.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该第一及第二反向器。
29.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组为至少一电流镜结构。
30.如权利要求29所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组以串叠的方式电连接于该动作模组中的一动作区块。
31.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是该第一反向器包含有一第一晶体管，而该第二反向器包含有一第二晶体管。
32.如权利要求31所述的栓锁器系统，其特征是该第一及第二晶体管为二金属氧化半导体场效晶体管，而该第一及第二反向器为该金属氧化半导体场效晶体管的共源极组态，其中该第一及第二反向器的输入端为该金属氧化半导体场效晶体管的栅极，而该第一及第二反向器的输出端为该金属氧化半导体场效晶体管的漏极。
33.如权利要求32所述的栓锁器系统，其特征是该金属氧化半导体场效晶体管为一N型金属氧化半导体场效晶体管。
34.如权利要求33所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二N型金属氧化半导体场效晶体管，该复数个动作区块中之一动作区块的第一元件的源极电连接于该第一反向器的输出端，而其第二元件的源极则电连接于该第二反向器的输出端；而该复数个动作区块中之一动作区块的第一元件的漏极电连接于该第二反向器的输入端，而其第二元件的漏极则电连接于该第一反向器的输入端；而每一动作区块的第一及第二元件的栅极共同电连接于一参考电压。
35.如权利要求34所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一交叉耦合对，该交叉耦合对包含有二P型金属氧化半导体场效晶体管，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
36.如权利要求35所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该交叉耦合对。
37.如权利要求34所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一第二交叉耦合模组，包含有复数个P型金属氧化半导体晶体管，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
38.如权利要求37所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该第二交叉耦合模组。
39.如权利要求32所述的栓锁器系统，其特征是该金属氧化半导体场效晶体管为一P型金属氧化半导体场效晶体管。
40.如权利要求39所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二P型金属氧化半导体场效晶体管，该复数个动作区块中之一动作区块的第一元件的源极电连接于该第一反向器的输出端，而其第二元件的源极则电连接于该第二反向器的输出端；而该复数个动作区块中之一动作区块的第一元件的漏极电连接于该第二反向器的输入端，而其第二元件的漏极则电连接于该第一反向器的输入端；而每一动作区块的第一及第二元件的栅极共同电连接于一参考电压。
41.如权利要求40所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一交叉耦合对，该交叉耦合对包含有二N型金属氧化半导体场效晶体管，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
42.如权利要求41所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该交叉耦合对。
43.如权利要求40所述的栓锁器系统，其特征是其另包含有一第二交叉耦合模组，包含有复数个N型金属氧化半导体场效晶体管，电连接于该第一及第二反向器的输入端。
44.如权利要求43所述的栓锁器系统，其特征是该电流源模组电连接于该第二交叉耦合模组。
45.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二个双极接面晶体管。
46.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区决的该第一及第二元件为二个二极管。
47.如权利要求25所述的栓锁器系统，其特征是每一动作区块的该第一及第二元件为二个电阻。
全文摘要
一种包含有一动作模组以提升负电阻值的栓锁器系统，包含一电流源模组，提供至少一直流电流；一第一交叉耦合模组，其包含有一第一反向器及一第二反向器，该二反向器分别用来于其输入端输入高电压时于其输出端输出低电压，并于其输入端输入低电压时于其输出端输出高电压；以及一动作模组，连接于该第一及第二反向器，该动作模组包含有至少一动作区块，每一动作区块包含一第一元件以及一第二元件，用来提升该栓锁器系统的负电阻值；本发明的栓锁器系统包含的动作模组的电路组态内可提供一绝对值较大的负电阻值，因而使得包含有该栓锁器系统的电感电容共振腔电压控制振荡器得以更容易进入自我共振状态。
文档编号H03B5/08GK1505257SQ0215354
公开日2004年6月16日 申请日期2002年12月4日 优先权日2002年12月4日
发明者洪嘉明, 王为善, 黄咏胜 申请人:联华电子股份有限公司