专利名称：用于校准放大器中的偏移的电路和方法
用于校准放大器中的偏移的电路和方法相关申请的交叉引用本公开要求于2009年12月10日提交的、美国临时申请号No. 61Λ85，484的优先权，该申请的公开通过引用全文并入本文。
背景技术：
本申请涉及用于放大器电路中的偏移校准的电路和方法。除非本文中另有说明，否则在本章节中描述的方案不是本申请权利要求的现有技术，并且也不因包含于本节中而承认是现有技术。放大器电路是许多电子系统的基础构建块。放大器电路(或“放大器”)用于增加信号的特定特征，例如电压、电流或功率。放大器通常具有偏移。例如，当放大器输入为 0时，理想情况下输出应该也是0。但是，由于大多数放大器内部构造的限制，因此当放大器输入为0时，放大器通常会生成非零输出。这一非理想情形被称为放大器的偏移。下文描述的特定实施例减少了放大器中的偏移。
发明内容
本申请的一些实施例包括具有减少了偏移的放大器电路。在一个实施例中，本发明包括一种电路，该电路包括放大器，具有输入和输出；偏移检测电路，被配置成检测放大器的在放大器输出处的偏移；以及偏移生成电路，具有耦合到偏移检测电路的输入和耦合到放大器输入的输出，该偏移检测电路被配置成在放大器的操作阶段期间基于检测到的偏移生成在放大器的输入处的偏移。所生成的偏移被配置成抵消放大器的偏移的至少一部分。在一个实施例中，偏移检测电路被配置成在校准阶段期间检测在放大器的输出处的偏移以生成在放大器的输入处的偏移，并且在操作阶段期间保持在放大器的输入处的偏移。在一个实施例中，偏移生成电路产生进入放大器输入的电流以抵消放大器的偏移的至少一部分。在一个实施例中，放大器包括第二输入；当检测到的在放大器输出处的偏移具有第一极性时，偏移生成电路生成进入放大器第一输入的第一偏移；当检测到的在放大器输出处的偏移具有第二极性时，偏移生成电路生成进入放大器第二输入的第二偏移。 在一个实施例中，偏移生成电路接收数字信号以生成在放大器输入处的特定偏移值，并且该数字信号被改变以产生多个偏移值以减少放大器的偏移。在一个实施例中，放大器是存储器中的读出放大器。该读出放大器包括耦合到存储器单元的第一输出的第一输入和耦合到存储器单元的第二输出的第二输入。偏移生成电路包括耦合到读出放大器的第一输入的第一电流生成器和耦合到读出放大器的第二输入的第二电流生成器。在一个实施例中，响应于单个控制信号，同时校准多个读出放大器。
在一个实施例中，本发明包括一种方法，该方法包括检测放大器的在放大器输出处的第一偏移，以及在放大器操作阶段期间基于第一偏移生成放大器输入处的第二偏移， 其中第二偏移抵消放大器的第一偏移的至少一部分。在一个实施例中，在校准阶段期间执行检测第一偏移以生成放大器输入的第二偏移，并且在操作阶段期间保持在该放大器输入处的第二偏移。在一个实施例中，放大器包括第二输入，并且生成第二偏移包括当在放大器的输出处的第一偏移具有第一极性时生成进入第一放大器输入的第二偏移，当在放大器的输出处的第一偏移具有第二极性时生成进入第二放大器输入的第二偏移。在一个实施例中，该方法进一步包括由偏移生成电路接收数字信号以生成在放大器的输入处的特定第二偏移值，其中该数字信号被改变以产生多个第二偏移值以便减少放大器的第一偏移。在一个实施例中，放大器是存储器中的读出放大器。该放大器的输入是耦合到存储器单元的第一输出的第一输入，并且读出放大器包括耦合到存储器单元的第二输出的第二输入，其中生成第二偏移包括当在放大器的输出处的第一偏移具有第一极性时生成去往读出放大器的第一输入的第一电流，以及当放大器的输出处的第一偏移具有第二极性时生成去往读出放大器第二输入的第二电流。下文的详细描述和所附附图提供了对本发明的性质和优点的更好的理解。图说明
图1示出根据一个实施例的放大器电路。图2示出根据另一实施例的放大器电路。图3示出根据另一实施例的校准算法。图4示出根据另一实施例的包括读出放大器电路的存储器。图5示出根据一个实施例的用于生成偏移的电路。
具体实施例方式在此描述的是用于减少放大器中的偏移的技术。在以下的描述中，出于说明的目的，阐述了许多示例和特定细节以提供对一些特定实施例的透彻理解。在此公开的电路和方法可以用于多种电子系统中。进一步地，在此描述的电路和方法可以在集成电路(IC)上实现。如权利要求书限定的一些特定实施例可以包括这些示例单独的或与其他下述特征组合的特征中的一些或全部，并且可以进一步包括在此描述的特征或概念的修改或等同物。图1示出根据一个实施例的放大器电路。电路100包括具有输入(“IN”)和输出 (“OUT”)的放大器101。放大器101的输出耦合到偏移检测电路102。偏移检测电路102 检测在放大器输出处的偏移。例如，在放大器的输入和/或输出处的偏移可以是偏移电压。 偏移检测电路102耦合到偏移生成电路103。偏移生成电路103生成在放大器101的输入处的偏移。所生成的偏移与放大器的偏移的极性相反，从而减少放大器的偏移。前级104 可以耦合到放大器101的输入。前级104可以提供输入信号到放大器101的输入，并且该输入信号在正常操作期间被放大器101放大。在一个实施例中，放大器101在校准阶段和操作阶段中操作。在校准阶段期间，放大器101的输入可以被设置为特定值(例如，接地)，并且偏移检测电路102检测在放大器101的输出处的偏移。响应于检测到的偏移，偏移生成电路103生成在放大器101的输入处的偏移，以抵消放大器101的偏移。在操作阶段期间，偏移生成电路103保持在放大器101 的输入处的偏移以抵消放大器101的经检测的偏移。因此，前级104在操作阶段期间可以生成去往放大器101的输入信号，并且该输入信号将以减小的偏移被放大。在一个特定实施例中，偏移生成电路103产生进入放大器101输入的电流以抵消放大器的偏移的至少一部分。例如，放大器101输入可以具有相关联的电容C。偏移生成电路103可以产生进入电容C的、达一段特定时间段的电流以产生根据下面的等式Ios*t/C =Δ V的电压变化来抵消掉放大器101的偏移电压，其中，Ios表示由偏移生成电路103生成的在放大器101的输入处的电流，t表示时间段，而ΔV表示在输入处的、抵消放大器偏移的、所生成的偏移。在另一特定实施例中，偏移生成电路103接收数字信号以生成在放大器101的输入处的特定偏移值，并且该数字信号被改变以产生多个偏移值以减少放大器101的偏移。 例如，偏移检测电路102可以响应于检测在放大器102的输出处的偏移生成数字信号。例如，数字信号可以是指示放大器101的输出电压高于或者低于特定值的单个数字比特，或者该数字信号可以是表示放大器101的输出电压值的多个数字比特。偏移生成电路103可以接收该数字信号并产生偏移电压以抵消放大器的偏移。例如，如果偏移检测电路102检测到放大器101输出的电压高于0V，则偏移生成电路103可以生成-IOOmV的偏移。偏移检测电路102可以再次检测放大器101输出处的偏移。如果放大器101输出的电压仍然高于 0V，则放大器的偏移大于IOOmV并且可以生成更多的抵消偏移。然而，如果放大器101输出的电压现在低于0V，则放大器的偏移少于IOOmV并且可以生成更少的抵消偏移。下文提供根据一个实施例的用于检测和减少放大器偏移的更详细的算法。图2示出了根据另一实施例的放大器电路。电路200包括具有第一输入(+)和第二输入(_)的放大器201。在该示例中，放大器201具有差分输出，该差分输出具有第一输出(+)和第二输出(_)。第一偏移校准电路和第二偏移校准电路可以用于在校准阶段期间校准偏移。例如，耦合在第一输入和第一输出之间的第一校准电路包括偏移检测电路210、 控制电路211、偏移值储存器212和偏移生成电路213。耦合在第二输入和第二输出之间的第二校准线路包括偏移检测电路220、控制电路221、偏移值储存器222和偏移生成电路 223。在该示例中，控制电路211和221接收数字信号以配置电路200，从而在校准阶段期间校准偏移。例如，控制电路211和221可以包括用于处理和存储数字信号以执行校准算法的数字逻辑和寄存器。在校准阶段期间，当控制电路211和221发送信号打开开关215和 225时，前级230可以从放大器201第一输入和第二输入解耦合。进一步地，控制电路211 和221可以发送信号来闭合开关214和224以向放大器201的第一输入、第二输入或者同时向第一输入和第二输入注入偏移。在这个示例中，偏移检测电路210具有耦合到放大器201的第一输出以检测放大器201的偏移的输入。偏移检测电路210的输出耦合到控制电路211，并且控制电路211响应于检测到的偏移生成数字信号。控制电路211的输出耦合到偏移生成电路213以配置偏移生成电路213，从而生成在放大器201的第一输入处的偏移。类似地，偏移检测电路220 具有耦合到放大器201的第二输出以检测放大器201的偏移的输入。偏移检测电路220的输出耦合到控制电路221，并且控制电路221响应于检测到的偏移生成数字信号。控制电路221的输出耦合到偏移生成电路223以配置偏移生成电路223，从而生成在放大器201的第二输入处的偏移。在上述校准阶段期间，可以检测偏移，并且可以确定抵消放大器的偏移的输入偏移(例如，抵消偏移)。在校准过程结束时，数字值可以被保存在偏移值储存模块212 和222中的任一个或两个。因而，在操作阶段期间，可以访问存储在偏移值储存模块212和 222中的一个或两个中的值以生成在放大器201输入处的抵消偏移。虽然可以使用多种算法确定待生成的用于减少放大器201的偏移的最优偏移，但是在一个实施例中可以使用逐次逼近(successive approximation)。例如，控制电路211 和控制电路221接收的控制信号可以使得电路执行逐次逼近以确定偏移，从而减少放大器 201的偏移。例如，在放大器操作阶段之前或之间的校准阶段期间，可以执行逐次逼近。图3示出了根据另一实施例的校准算法。可以使用下面的校准算法的示例以确定待生成的、用于减少放大器偏移的偏移。在301处，隔离信号源。例如，参见图2，可以打开开关215和225。附加地，在一些实施例中，可以使用寄存器来存储表示是否需要偏移注入的标记(例如“需要偏移注入”标记)。偏移可以被注入到放大器正输入或负输入。因此， 在一个实施例中，可以使用正和负“需要偏移注入”标记。在302处，例如，初始化“需要偏移注入”标记为假值。在303处，通过闭合开关214由偏移生成电路213注入最精细精度的偏移。例如，偏移生成电路213和223可以以特定增量(例如电压或电流阶跃)生成在取值范围内的偏移，该偏移例如以50mV的增量从Ov至lv。在该示例中，偏移生成电路213可以从在303处的向放大器201正输入注入最小偏移(例如_50mV)开始。在此，例如所生成的偏移是负值。在304处，放大器被激活，并且偏移检测电路210检测正输出是否为高。如果正输出为高(Vout+ = H)，则在306处设置正“需要偏移注入”标记(例如“真值”)。如果当向正输入注入负偏移时放大器正输出为高，则该状况指示放大器的偏移比注入偏移更大。因此，为了进一步抵消放大器的偏移，在307处增加注入偏移到下一个增量 (例如-IOOmV)。例如，如果注入偏移由变量X表示而增量由变量Dn表示，则fti = Xo+Dn， 其中紐是“第η个”增量而Xo是之前的值。在308处，新的偏移被注入到正输入。在309 处，如果正输入仍然为高(Vout+ = H)，则该过程返回到307处以生成进一步增量。如果在 309处正输出为低(Vout+ = L)，则在310处存储最后偏移(例如存储在图2的偏移值存储 212中)，并且在350处过程结束。例如，偏移生成电路可以包括数模转换器，用于接收存储在寄存器中或者来自控制电路的比特，并将数字比特转化为模拟电压或电流以生成偏移。在305处，如果正输出为低(Vout+ = L)，则该状况指示放大器可能具有负的偏移。 因而，如312处所示的步骤示出的那样，针对放大器的负输入重复该过程。在此情况下，在 313处，向负输入注入负偏移，而在315处该被检测的输出的状况为高(Vout- = H )。例如，在315处，如果图2中的偏移生成电路223通过开关2M注入了负偏移并且输出为低， 则在316，设置负“需要偏移注入”标记，并且在步骤317-320处，迭代地增加、注入和存储所生成的偏移，直到放大器偏移被抵消。最后生成的偏移可以被存储在例如图2中的偏移值储存器222。在一些实施例中，可以在少到两个时钟周期内完成校准，例如其中每个时钟周期执行一次迭代。在校准之后，对应于在校准阶段期间存储的值的偏移可以在操作阶段期间被注入到输入信号路径。例如，在操作阶段期间，开关215和225闭合，可以在放大器201的输入接收输入信号。如果在校准阶段期间设置了 “需要偏移注入”标记，则将生成偏移。例如，如果设置了正的“需要偏移注入”标记，则偏移生成电路213，基于保存在偏移值储存器212 中的值，生成进入放大器201正输入的偏移。类似地，如果设置了负的“需要偏移注入”标记，则偏移生成电路223基于存储在偏移值储存器222中的值生成进入放大器201的正输入的偏移。因而，取决于正和负标记的值，没有偏移被注入(两个标记都没有设置)或者偏移被注入到放大器201的正或负输入。该标记可以存储在例如控制电路211或221中的双稳态触发器或寄存器中。图4示出了根据另一实施例的存储器电路400中的读出放大器电路。在该示例应用中，存储器可以包括许多存储器单元，举例来说，存储器单元401。存储器单元401耦合到两条位线BL 402和BL*403，其中，BL*是BL的补。位线402通过例如晶体管450耦合到读出放大器405的正输入。类似地，位线403通过例如晶体管451耦合到读出放大器405 的负输入。例如，晶体管450和451可以由使能信号(EN)导通或截止。放大器405的输出 (OUT)耦合到偏移检测电路420。晶体管450和451可以作为到读出放大器405输入的多个 BL、BL*信号对的列选择。读出放大器405输入有时被称为数据线(例如DL/DL*)。偏移检测电路420检测放大器405的在放大器405输出处的偏移。下面将更详细地描述，可以使用列选择晶体管450和451的导通或截止来执行偏移检测。偏移检测电路420耦合到控制电路421。控制电路421可以包括数字电路以从偏移检测电路420接收数字信号，并生成去往偏移生成电路422和423的数字信号。控制电路421可以具有耦合到晶体管似4和425 的栅极的输出以导通和截止晶体管4M和425。这样，在该示例中，晶体管4M和425作为开关来将偏移生成电路422和423与放大器405的正和负输入分别连接和断开。在该示例中，偏移生成电路422和423分别生成电流il和i2。在读取操作期间， 来自偏移生成电路422的电流il可以选择性地通过晶体管似4耦合到放大器405的正输入，以减少放大器405的偏移。类似地，在读取操作期间，来自偏移生成电路423的电流i2 可以选择性地通过晶体管425耦合到放大器405的负输入，以减少放大器405的偏移。如上所述在校准阶段期间通过迭代地生成进入放大器405正或负输入的或者进入这两者的偏移，或者使用另一校准算法，可以抵消放大器405的偏移。所生成的偏移与放大器的偏移极性相反，从而减少或完全抵消放大器偏移。例如，最后的偏移可以存储在寄存器中以供在操作阶段期间使用。在诸如读取操作之类的操作阶段期间，激活字线404以导通晶体管412和413。反相器410和411上作为电压存储的数据比特被耦合到放大器405的输入。反相器410作为源或宿提供进入放大器405的正输入的电流。如果偏移生成电路422被配置为基于校准过程的结果生成进入放大器405正输入的偏移，则电流il与来自反相器410的电流相结合。 其中，电流il减少了放大器405的偏移。类似的，反相器411作为源或宿提供进入放大器 405负输入的电流。如果偏移生成电路423被配置为基于校准过程的结果生成进入放大器 405负输入的偏移，则电流i2与来自反相器411的电流相结合，其中电流i2减少了放大器 405的偏移。在一些存储器应用中，响应于单个控制信号同时校准多个读出放大器。例如， 在操作阶段期间，可以使用一个控制信号对多个读出放大器405中的偏移进行校准和/或纠正。例如，该控制信号可以被耦合到多个读出放大器以激活读出放大器组中的读出放大器。图4中的实例的一个优点在于，放大器405较低的偏移增加了存储器的速度，这是由于放大器405能够更快地解析存储在存储器单元401中的差分数据比特的值，这改善了放大能力和等待时间。这个示例的另一个优点是放大器405中偏移的减少增加了集成电路存储器尤其在较低电压下的产出，这是由于随着放大器405的偏移降低，存储器可以在制造变化的更大范围内进行读取操作。该实施例的另一优点在于放大器405中减少的偏移允许放大器405使用较少的功率来解析输入。本发明的特定实施例可以用于使用少量晶体管(例如每个芯片上晶体管数目是 100数量级或1000数量级)实现读出放大器的偏移调整。例如，这可以对具有大量读出放大器的高密度存储器应用有利。在一个实施例中，读出放大器405的输出耦合到两个锁存器一个用于存储偏移大于第一值(例如，IOOmV)的条件，另一个用于存储偏移小于第一值 (例如，-IOOmV)的条件。在另一特定实施例中，偏移生成电路422和423被配置成生成为放大器405预先确定的偏移电压(例如+/_200mV)。如果在校准中设置了上述锁存器之一， 用以表明放大器405的输出是高于还是低于一个预先定义的阈值，则在操作阶段期间，在放大器405输入施加相反极性偏移。从而，偏移检测电路420可以包括，例如，两个锁存器， 用于捕捉上述两种条件。例如，在一个实施例中，在校准期间WL404可以为低来断开存储器单元401，可以导通晶体管450和451，并且可以通过使用晶体管460-461将读出放大器405的输入预先充电到Vdd(例如，PRECHG = 0V)。接下来，晶体管460和461截止，通过导通晶体管似4达对应于待注入的偏移量的时间段，由来自偏移生成电路422的电流脉冲驱动读出放大器405 的正输入。例如，电流脉冲可以被配置为持续一段足以产生IOOmV偏移的时间段。在注入偏移之后，可以监测放大器405的输出。例如，如果负偏移IOOmV被施加于正输入，则预期输出为负。然而，如果输出仍然为正，则偏移大于100mV。如上所述，偏移检测电路420可以包括一个锁存器，如果放大器450的输出为正则触发该锁存器。这样，该锁存器可以存储指示在操作阶段期间将生成负偏移的标记。因此，在操作阶段期间，当存储器单元401被字线404激活时，负偏移(例如，200mV)可以被同时注入到放大器405的正输入以抵消放大器405的偏移电压。例如，在操作阶段期间注入的负(或抵消)偏移可以高达在校准阶段期间为检测偏移所使用的偏移的两倍( )。增加被注入的偏移到在校准阶段期间所使用的偏移的2倍可以进一步改善存储器电路中读出放大器偏移的全面分配，从而改善了速度、 产出或功率。在该实施例中，不需要读出放大器最后偏移电压的储存器，并且线路数量和校准时间被最小化。从而，在一些实施例中，可以省略步骤307-310和317-320。上述示例的一个优点是，检测偏移的机制与抵消偏移的机制相同，例如，这减少实现该电路所需晶体管的数量并且减少失配错误。可以理解，相似的技术可以被用于检测负偏移。例如，如果放大器405的输出响应于如上所述的偏移生成电路422的负偏移注入而变成负的，则可以由偏移生成电路423在校准阶段期间注入另一偏移。在此情形中，如果放大器405的输出是负的，则可以触发偏移检测电路420中的第二锁存器。因此，校准阶段可以包括上述的正偏移和负偏移注入测试，并且在操作阶段期间(例如在读取操作期间)抵消偏移可以根据需要被注入到放大器405的正输入或负输入。图5示出了根据一个实施例的所产生偏移的电路。在该示例中，可以导通晶体管 424达对应于如上所述的待注入的特定偏移的时间段。所生成的偏移的量由来自偏移生成电路422的电流il和在晶体管4 的栅极处所产生的脉冲的脉冲宽度来设置。这里，脉冲由XOR门513和反相器510-512生成。反相器510-512延迟时钟信号，从而M)R门生成脉冲，该脉冲的脉冲宽度由反相器的延迟设置。因此，电路向放大器450的输入提供由反相器延迟和电流il幅度设置的特定量偏移。如图5所示的电路的优点在于，所注入的偏移对晶体管似4的处理和温度变量是稳定的。例如，如果晶体管似4快，则反相器也会快并且脉冲将较短。相反，如果晶体管似4慢，则反相器也慢并且脉冲将较长。
上述说明以示例示出了本发明的多个实施例，以说明如何实现本发明的观点。上面的示例和实施例不应该被视为仅有的实施例，而是被介绍来阐述如下文权利要求所定义的本发明的灵活性和优点。例如，尽管上述实施例中的一些已经公开使用PMOS和匪05，但是其他实施例可以使用其他类型的晶体管。进一步举例来说，上面所讨论的方法或处理的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或者并发的)执行并仍然能够达到所需的结果。基于上述公开和下文的权利要求，其他组合，实施例，实现和替代方式可以被应用，而不脱离权利要求所定义的本发明的范围。
权利要求
1.一种电路，包括放大器，具有输入和输出；偏移检测电路，被配置成检测所述放大器的在所述放大器的输出处的偏移；以及偏移生成电路，具有耦合到所述偏移检测电路的输入和耦合到所述放大器的输入的输出，所述偏移生成电路被配置成在所述放大器的操作阶段期间基于检测到的偏移生成在所述放大器的输入处的偏移，其中所生成的偏移被配置成抵消所述放大器的偏移的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的电路，其中所述偏移检测电路被配置成在校准阶段期间检测所述放大器的输出处的偏移以生成在所述放大器的输入处的偏移，并且其中在所述操作阶段期间，所述放大器的输入处的偏移被保持。
3.根据权利要求1所述的电路，其中检测到的在所述放大器的输出处的偏移是偏移电压。
4.根据权利要求1所述的电路，其中所生成的偏移与所检测到的偏移的极性相反。
5.根据权利要求1所述的电路，其中所述偏移生成电路产生进入所述放大器输入的电流以抵消所述放大器的偏移的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的电路，其中所述放大器的输入是第一输入，在所述输入处生成的偏移是第一偏移，并且其中所述放大器包括第二输入，并且其中当检测到的在所述放大器的输出处的偏移具有第一极性时所述偏移生成电路生成进入所述第一输入的第一偏移，并且其中当检测到的在所述放大器的输出处的偏移具有第二极性时所述偏移生成电路生成进入所述第二输入的第二偏移。
7.根据权利要求1所述的电路，其中所述偏移生成电路接收数字信号以生成在所述放大器的输入处的特定偏移值，并且其中所述数字信号被改变以产生多个偏移值，从而减少所述放大器的偏移。
8.根据权利要求7所述的电路，其中对应于最后生成的偏移的最后的数字信号值被存储在寄存器中。
9.根据权利要求1所述的电路，其中所述放大器是存储器中的读出放大器，其中所述读出放大器包括耦合到存储器单元第一输出的第一输入，并且其中所述读出放大器包括耦合到所述存储器单元的第二输出的第二输入，并且其中所述偏移生成电路包括耦合到所述读出放大器的第一输入的第一电流生成器和耦合到所述读出放大器的第二输入的第二电流生成器。
10.一种装置，包括存储器，其中所述存储器包括多个根据权利要求1所述的电路。
11.根据权利要求10所述的电路，其中在所述多个根据权利要求1所述的电路中的各个放大器是读出放大器，并且其中响应于单个控制信号，多个所述读出放大器被同时校准。
12.一种方法，包括检测放大器的在所述放大器的输出处的第一偏移；以及在所述放大器的操作阶段期间，基于所述第一偏移生成在所述放大器的输入处的第二偏移，其中所述第二偏移抵消所述放大器的第一偏移的至少一部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在校准阶段期间执行所述检测第一偏移以生成在所述放大器的输入处的所述第二偏移，并且在所述操作阶段期间在所述放大器的输入处的第二偏移被保持。
14.根据权利要求12所述的方法，其中检测到的在所述放大器的输出处的第一偏移是偏移电压。
15.根据权利要求12所述的方法，其中生成所述第二偏移包括产生一个进入所述放大器的输入的电流。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二偏移与所述第一偏移的极性相反。
17.根据权利要求12所述的方法，其中所述放大器的输入是第一输入，并且其中所述放大器包括第二输入，并且其中生成所述第二偏移包括当所述放大器的输出处的第一偏移具有第一极性时，生成进入所述第一输入的第二偏移；当所述放大器的输出处的第一偏移具有第二极性时，生成进入所述第二输入的第二偏移。
18.根据权利要求12所述的方法，进一步包括由偏移生成电路接收数字信号以生成在所述放大器的输入处的特定第二偏移值，其中所述数字信号被改变以产生多个第二偏移值，从而减少所述放大器的第一偏移。
19.根据权利要求18所述的电路，其中对应于最后生成的第二偏移的最后的数字信号值被存储在寄存器中。
20.根据权利要求12所述的方法，其中所述放大器是存储器中的读出放大器，其中所述放大器输入是耦合到存储器单元的第一输出的第一输入，并且其中所述读出放大器包括耦合到所述存储器单元的第二输出的第二输入，其中生成所述第二偏移包括当在所述放大器的输出处的第一偏移具有第一极性时生成去往所述读出放大器的第一输入的第一电流以及当所述放大器的输出处的第一偏移具有第二极性时生成去往所述读出放大器的第二输入的第二电流。
全文摘要
在一个实施例中，本公开包括一种电路，该电路包括放大器，具有输入和输出；偏移检测电路，用于检测放大器的在放大器的输出处的偏移；以及偏移生成电路，具有耦合到偏移检测电路的输入和耦合到放大器的输入的输出以在所述放大器的操作阶段期间基于检测到的偏移生成在放大器的输入处的偏移。生成的偏移抵消放大器的偏移的至少一部分。在一个实施例中，放大器是存储器中的读出放大器。
文档编号H03F1/02GK102577102SQ201080045652
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月6日 优先权日2009年12月10日
发明者P·李, W·李 申请人:马维尔国际贸易有限公司