专利名称：低噪声放大器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种无线通信领域的低噪声放大器，特别是涉及一种电流复用型低噪声放大器。
背景技术：
近些年随着无线通讯技术的发展，对接收和发射模块的性能提出了更高的要求，更加的关注电路的功耗和成本以及性能指标。低噪声放大器作为无线通讯中的重要模块，其特性也决定着整个接收模块的性能，比如灵敏度等。低噪声放大器要求具有较低噪声系 数的同时又能提供一定的增益，从而来抑制混频器等后续模块的噪声，从而最终提高灵敏度。传统的低噪声放大器中，增益都是固定的，而有些系统则需要增益可调的模式。例如在RFID (无线射频识别)系统应用中，则要求有监听模式和读模式，对于读模式，灵敏度要求相对较低，而对于监听模式，则要求更高的灵敏度。描述低噪声放大器的性能的主要参数有电压增益、输入损耗、输出损耗、反向隔离度、线性度和噪声。由于这些参数是相互关联、相互制约的，因此采用何种折衷方案来提高低噪声放大器的整体性能成了设计的主要难点。如图I所示，一种现有低噪声放大器是共栅放大器，具有较好的输入匹配，构成了放大器的第一级，第二级采用反相器，提高了整体的增益和降低了噪声系数，但是功耗相对较大。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种电流复用型低噪声放大器，能够降低放大器的功耗，提闻放大器的性能。为解决上述技术问题，本发明的低噪声放大器，包括第一 NMOS (N沟道金属氧化物半导体)场效应晶体管，其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接，第一电容的另一端作为所述放大器的射频输入端；其漏极与第二电感的一端和第三电容的一端相连接，所述第二电感的另一端与第二 NMOS管的源极和第二电容的一端相连接；所述第一电感的另一端和第二电容的另一端接地；所述第二 NMOS管的栅极连接第三电感的一端，所述第三电感的另一端与所述第三电容的另一端、电阻的一端、第四电容的一端相连接；其漏极与第五电容的一端、第一PMOS(P沟道金属氧化物半导体)场效应晶体管的源极和电阻的另一端相连接，第五电容的另一端作为所述放大器的射频输出端；所述第一 PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接，其漏极连接电源。本发明的低噪声放大器在电路最顶端形成了一个反向电路，在不消耗电流的情况下增加等效总跨导，降低了放大器的功耗，提高了放大器的性能。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图I是一种现有的低噪声放大器示意图。图2是本发明一实施例的示意图。图中标记说明RFin是输入端 RFwt是输出端Cin是第一电容 C2是第二电容C3是第三电容 C4是第四电容Cwt是第五电容M1 第一 NMOS 管 M2 是第二 NMOS 管
M3 第一 PMOS 管Ls是第一电感 Ld是第二电感Lg是第三电感VDD是电源电压 R1是电阻。
具体实施例方式如图2所示,在一实施例中所述低噪声放大器,包括第一 NMOS管M1,其源极连接第一电容Cin的一端,该第一电容Cin的另一端作为所述放大器的射频输入端RFin ;其漏极连接第二电感Ld的一端，第二电感Ld的另一端连接第二匪05管仏的源极。第一匪05管乂的栅极接一偏置电压，保证晶体管正常在饱和状态。第二 NMOS管M2，其源极连接第二电容C2的一端，该第二电容C2的另一端接地；其栅极连接第三电感Lg的一端；其漏极连接第五电容Ctjut的一端，第五电容Crat的另一端作为所述放大器的射频输出端RF-。第一 PMOS管M3,其源极所述第二 NMOS管M2的漏极相连接，其栅极连接第四电容C4的一端，其漏极连接电源VDD，所述第四电容C4的另一端与所述第三电感C3的另一端、电阻R1的一端和第三电容C3的一端相连接。所述电阻R1的另一端连接第五电容Cwt。所述第三电容C3的另一端连接所述第一 NMOS管M1的漏极。第一电感Lg，其一端连接第一 NMOS管M1的源极，另一端接地。在上述低噪声放大器中，第一 NMOS管M1构成第一级放大器；第一电感Ls和第一电容Cin构成输入匹配电路，实现较好的输入匹配。第二 NMOS管M2和第一 PMOS管M3构成放大器的第二级，提高电路的等效输入跨导，实现了高增益和低噪声系数。电阻R1为反馈电阻，提供更好的宽带特性。第一电感Ls为源极负反馈电感，有利于匹配和降低噪声系数。第二电感Ld为负载电感，使直流电流顺利流过第一级放大器，阻止交流信号通过此电感直接进入第二级放大器。第三电容C3为耦合电容，使得第一级放大器的交流信号通过此电容进入第二级放大器。第三电感Lg和第四电容C4并联后与第二级放大器的输入串联，使高频处的增益更加平坦。本发明在电路最顶端形成了一个反向电路，在不消耗电流的情况下增加等效总跨导，降低低噪声放大器的功耗。以上通过具体实施方式
和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种低噪声放大器，其特征是，包括 第一 NMOS管，其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接，第一电容的另一端作为所述放大器的射频输入端；其漏极与第二电感的一端和第三电容的一端相连接，所述第二电感的另一端与第二 NMOS管的源极和第二电容的一端相连接；所述第一电感的另一端和第二电容的另一端接地； 所述第二 NMOS管的栅极连接第三电感的一端，所述第三电感的另一端与所述第三电容的另一端、电阻的一端、第四电容的一端相连接；其漏极与第五电容的一端、第一 PMOS管的源极和电阻的另一端相连接，第五电容的另一端作为所述放大器的射频输出端； 所述第一 PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接，其漏极连接电源。
全文摘要
本发明公开了一种低噪声放大器，包括第一NMOS管，其源极与第一电容的一端和第一电感的一端相连接，第一电容另一端作为所述放大器的射频输入端；其漏极与第二电感一端和第三电容一端相连接，所述第二电感另一端与第二NMOS管的源极和第二电容一端相连接；所述第一电感的另一端和第二电容另一端接地；所述第二NMOS管的栅极连接第三电感一端，所述第三电感另一端与所述第三电容另一端、电阻一端、第四电容一端相连接；其漏极与第五电容一端、第一PMOS管的源极和电阻另一端相连接，第五电容另一端作为所述放大器的射频输出端；所述第一PMOS管的栅极与所述第四电容的另一端相连接，其漏极连接电源。本发明提供的放大器能降低功耗，提高性能。
文档编号H03F1/26GK102780457SQ201110120470
公开日2012年11月14日 申请日期2011年5月11日 优先权日2011年5月11日
发明者马和良 申请人:上海华虹集成电路有限责任公司