专利名称：电源复位电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电源复位电路。
背景技术：
电脑系统一般会设置电源复位电路，所述电源复位电路用于在一定延迟时间内电脑电源达到稳定后，才输出复位信号给系统主电路中的各个电子元件。请参阅图1，现有的电源复位电路一般包括相互串联的电阻R及电容C、相互串联的施密特触发器Ull以及反相器U12。所述电阻R的另一端接电源VCC，电容C的另一端接地。所述施密特触发器Ull的另一端连接至所述电阻R及电容C之间，该反相器U12的另一端输出一复位信号。当电源VCC开启时，电源VCC经电阻R对电容C充电，当电容C的电压充电达到施密特触发器Ull的门限电压时，该反相器U12则输出一复位信号。然而，上述电源复位电路由于电容充、放电的因素容易导致系统复位异常。例如，·当电源VCC开启对电容充电但还未到达施密特触发器Ul I的门限电压时，若此时电源VCC突然断电，电容C无法迅速放电而使得电容C上残留的电荷会造成系统下一次复位异常导致系统不稳。
发明内容
针对上述问题，有必要提供一种能实现系统稳定复位的电源复位电路。一种电源复位电路，包括相互串联的第一限流电阻及电容、相互串联的施密特触发器、反相器及N沟道金属氧化层半导体场效晶体管，该第一限流电阻的另一端连接至电源，该施密特触发器的输入端电性连接至所述第一限流电阻及电容之间，该反相器的输出端输出一复位信号，该N沟道金属氧化层半导体场效晶体管包括漏极、源极及栅极，该漏极电性连接至所述第一限流电阻，该源极电性连接至所述电容与施密特触发器之间，该栅极短接至所述源极，所述N沟道金属氧化层半导体场效晶体管用于加快所述电容的放电速度。所述的电源复位电路通过将所述N沟道金属氧化层半导体场效晶体管设置于所述电源与所述电容之间，当电源不稳定时，电容可通过所述N沟道金属氧化层半导体场效晶体管内的二极管快速放电，有效避免了所述电容上残留的电荷会造成系统下一次复位异
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图I是一现有的电源复位电路的电路图。图2是本发明较佳实施方式的电源复位电路的电路图。主要元件符号说明 __
电源复位电路110 -被控电子元件—20 电源IVCC、VCCl如下具体实施方式
将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施例方式请参阅图2，本发明较佳实施方式的电源复位电路10用于在一定的延时时间内，将稳定后的电源VCCl转换为复位(Reset)信号，并将该复位信号输出至被控电子元件20。所述电源复位电路10包括金属氧化层半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET) Q1、第一限流电阻R1、电容Cl、施密特触发器U1、反相器U2、光电耦合器U3、第二限流电阻R2以及下拉电阻R3。所述MOSFET Ql用于加快所述电容Cl的放电速度。在本较佳实施方式中，所述MOSFET Ql为N沟道M0SFET。该MOSFET Ql的漏极D电性连接至所述第一限流电阻Rl ;源极S电性连接至所述电容Cl ;栅极G短接至所述漏极D。所述第一限流电阻Rl的另一端电性连接至所述电源VCC1。所述电容Cl的另一端接地。所述施密特触发器Ul的输入端11电性连接至所述MOSFET Ql的源极与所述电容Cl之间；该施密特触发器Ul的输出端12电性连接至所述反相器U2的输入端21。该反相器U2的输出端22输出一复位信号SI。该复位信号SI为高电平有效。所述光电耦合器U3包括发光器件及光接收器件。当该发光器器件导通发光时，该光接收器件受到光照也相应导通。所述发光器件包括输入端I及输出端2，所述光接收器件包括输入端3及输出端4。所述发光器件的输入端I通过第二限流电阻R2电性连接至所述电源VCC1，该发光器件的输出端2电性连接至所述施密特触发器Ul及反相器U2之间。所述光接收器件的输入端3电性连接至该反相器U2的输出端22，以接收所述复位信号SI ;该光接收器件的输出端4电性连接至所述被控电子元件20，同时，所述光接收器件的输出端4还通过所述下拉电阻R3接地。在本较佳实施方式中，所述发光器件为发光二极管，所述光接收器件为光敏三极管。所述发光二极管的阳极及阴极分别对应该发光器件的输入端I及输出端2 ;该光敏三极管的集电极及发射极分别对应该光接收器件的输入端3及输出端4。请参阅图2，本发明较佳实施方式的电源复位电路10的工作过程如下所述电源VCCl在启动的过程中，若其发生异常导致电压下降或断电，此时MOSFET Ql截止，电容Cl通过该MOSFET Ql的源极S与漏极D之间的寄生二极管(图未标)迅速放电，该施密特触发器Ul的输入端为低电平，则该施密特触发器Ul输出高电平，使得该光电耦合器U3的发光器件截止，该光接收器件也相应地截止，此时该光接收器件的输出端4被下拉电阻R3拉至低电平，输出至所述被控电子元件20，使得被控电子元件20在电源VCCl不稳定时无法复位。当电源VCCl正常时，所述MOSFET Ql导通，电源VCCl通过该MOSFET Ql给所述电容Cl充电，当该电容Cl上的达到该施密特触发器Ul的门限电压时，使该施密特触发器Ul反向输出一低电平，经过所述反相器U2反向后输出有效的呈高电平的复位信号，同时该光电耦合器U3导通，该有效的复位信号经由所述光电耦合器U3输出至所述被控电子元件20，以控制被控电子元件20的复位。所述的电源复位电路10通过将所述MOSFET Ql设置于所述电源VCCl与所述电容Cl之间，当电源VCCl不稳定时，电容Cl可通过所述MOSFET Ql内的寄生二极管快速放电，有效避免了所述电容Cl上残留的电荷会造成系统下一次复位异常。此外，通过在电源VCCI与被控电子元件20之间设置所述光电耦合器U3来隔离输 入及输出，使得输入及输出之间在电气上完全隔离，有效避免了电源VCCl的不稳对被控电子元件20的影响。
权利要求
1.一种电源复位电路，包括相互串联的第一限流电阻及电容、相互串联的施密特触发器及反相器，该第一限流电阻的另一端连接至电源，该施密特触发器的输入端电性连接至所述第一限流电阻及电容之间，该反相器的输出端输出一复位信号，其特征在于所述电源复位电路还包括N沟道金属氧化层半导体场效晶体管，该N沟道金属氧化层半导体场效晶体管包括漏极、源极及栅极，该漏极电性连接至所述第一限流电阻，该源极电性连接至所述电容与施密特触发器之间，该栅极短接至所述源极，所述N沟道金属氧化层半导体场效晶体管用于加快所述电容的放电速度。
2.如权利要求I所述的电源复位电路，其特征在于所述电源复位电路还包 括光电耦合器，该光电耦合器包括发光器件及光接收器件，该发光器件的输入端电性连接至所述电源，该发光器件输出端电性连接至所述施密特触发器与反相器之间；该光接收器件的输入端电性连接至所述反相器的输出端，该光接收器件的输出端电性连接至一被控电子元件。
3.如权利要求2所述的电源复位电路，其特征在于所述电源复位电路还包括下拉电阻，所述下拉电阻一端电性连接至所述光接收器件的输出端及被控电子元件之间，另一端接地。
4.如权利要求2所述的电源复位电路，其特征在于所述电源复位电路还包括第二限流电阻，该第二限流电阻的一端电性连接至所述电源，另一端电性连接至所述发光器件的输入端。
5.如权利要求2所述的电源复位电路，其特征在于所述发光器件为发光二极管，该发光二极管的阳极及阴极分别对应该发光器件的输入端及输出端；该光接收器件为光敏三极管，该光敏三极管的集电极及发射极分别对应该光接收器件的输入端及输出端。
全文摘要
一种电源复位电路，包括相互串联的第一限流电阻及电容、相互串联的施密特触发器、反相器及N沟道金属氧化层半导体场效晶体管，该第一限流电阻的另一端连接至电源，该施密特触发器的输入端电性连接至所述第一限流电阻及电容之间，该反相器的输出端输出一复位信号，该N沟道金属氧化层半导体场效晶体管包括漏极、源极及栅极，该漏极电性连接至所述第一限流电阻，该源极电性连接至所述电容与施密特触发器之间，该栅极短接至所述源极，所述N沟道金属氧化层半导体场效晶体管用于加快所述电容的放电速度。所述电源复位电路可有效避免电源的不稳定对所述复位信号的影响。
文档编号H03K17/22GK102811040SQ20111014385
公开日2012年12月5日 申请日期2011年5月31日 优先权日2011年5月31日
发明者侯全才 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司