专利名称：滤波石英晶体谐振器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种滤波石英晶体谐振器。
背景技术：
滤波石英谐振器与普通石英谐振器相比，有两个特殊要求①寄生频率的振幅和离主振的距离有严格的要求；②等效电气参数(动态电感、动态电容、静电容)要求控制到需要的范围内。它的基本构成是在一块石英晶片的中间位置两个对应面上镀上银层作为电极和引带，晶片与支架之间通过导电胶固化连接，加上封装外壳而构成，传统的镀膜结构的中心电极为一定大小的圆形电极，制作出的石英晶体谐振器寄生峰峰值较高为3 5dB， 只能满足普通要求的成品寄生抑制，现在的新型通信电台用石英晶体滤波器对寄生抑制有较高的要求，要求石英晶体谐振器寄生峰峰值< ldB。因此需要对现有的普通石英谐振器进行结构改进，以满足新设备的需要。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述现有石英晶体谐振器常规镀膜无法满足成品的寄生要求的不足之处，而提供一种滤波石英晶体谐振器，它能保证石英晶体滤波器的寄生抑制参数满足用户要求。本实用新型的目的是通过如下措施来达到的滤波石英晶体谐振器，它包括石英晶片、支架、外壳，石英晶片放置在支架上，石英晶片与支架之间通过导电胶固化连接，石英晶片上有镀膜层，引带和小圆点，位于石英晶片上中间位置的两个面上的镀膜层为圆形，两个面上的镀膜层分别通过引带与支架连接，镀膜层为圆形电极，位于镀膜层周边的小圆点为寄生抑制点，在小圆点上有导电胶。在上述技术方案中，所述镀膜层的周边分布着Φ0. 5mm的小圆点，所述镀膜层为 Φ1. 8mm的圆形结构。在上述技术方案中，所述小圆点有五个，镀膜层上端的小圆点为双面对称布置，镀膜层左端的小圆点为一个并正面布置，镀膜层右端的小圆点为一个并反面布置，位于镀膜层下端的小圆点为一个并正面布置。在上述技术方案中，所述镀膜层上端、镀膜层左端和镀膜层右端的小圆点距镀膜层为0. 25mm，镀膜层下端的小圆点距中心电极0. 75mm。本实用新型滤波石英晶体谐振器具有如下优点①将寄生抑制点以一定大小，一定距离通过镀膜的方式直接镀在晶片上，加工方便，能够提高寄生抑制效果，以及电参数的一致性。②采用镀膜辅助点胶设计，加工方便，可满足大批量生产，实用性强。
图1为本实用新型滤波石英晶体谐振器的结构示意图。图2为本实用新型中石英晶片的正面布置结构及尺寸示意图。[0011]图3为本实用新型中石英晶片的反面布置结构及尺寸示意图。图4为常规镀膜寄生特性扫描图。图5为本实用新型的寄生特性扫描图。图中1.石英晶片，2.支架，3.外壳，1-2.镀膜层，1-3.引带，1_4.小圆点，4.导电胶。
具体实施方式
以下结合附图详细说明本实用新型的实施情况，但它们并不构成对本实用新型的限定，仅作举例而已。同时通过说明本实用新型的优点将变得更加清楚和容易理解。参阅图1、图2、图3可知本实用新型滤波石英晶体谐振器，它包括石英晶片1、支架2、外壳3，石英晶片1放置在支架2上，石英晶片1与支架之间通过导电胶4固化连接，石英晶片1上有镀膜层1-2，引带1-3和小圆点1-4，位于石英晶片1上中间位置的两个面上的镀膜层1-2为圆形，两个面上的镀膜层1-2分别通过引带1-3与支架2连接，镀膜层1-2 为圆形电极，位于镀膜层1-2周边的小圆点1-4为寄生抑制点，在小圆点1-4上有导电胶4。 所述镀膜层1-2的周边分布着Φ0. 5mm的小圆点1_4，所述镀膜层1_2为Φ 1. 8mm的圆形结构。所述小圆点1-4有五个，镀膜层1-2上端的小圆点1-4为双面对称布置，镀膜层1-2左端的小圆点1-4为一个并正面布置，镀膜层1-2右端的小圆点1-4为一个并反面布置，位于镀膜层1-2下端的小圆点1-4为一个并正面布置。所述镀膜层1-2上端、镀膜层1-2左端和镀膜层1-2右端的小圆点1-4距镀膜层1-2为0. 25mm，镀膜层1_2下端的小圆点1_4距中心电极0. 75mm。如图4、图5所示本实用新型滤波石英晶体谐振器经网格分析仪扫描，远端寄生峰较常规电极有明显改善。本实用新型滤波石英晶体谐振器，在设计过程中充分考虑了产品的动态参数，经综合设计考虑，镀膜振荡面积有效面积选用Φ1. 8mm，分布寄生抑制点与中心电极保持一定的距离和大小，在保证产品谐振电阻满足要求的情况下对远端寄生进行抑制，设计上考虑到投入实际生产问题，保证产品电参数水平稳定。
权利要求1.滤波石英晶体谐振器，其特征在于它包括石英晶片(1)、支架O)、外壳(3)，石英晶片(1)放置在支架(2)上，石英晶片(1)与支架之间通过导电胶固化连接，石英晶片 (1)上有镀膜层(1-2)，引带(1-3)和小圆点(1-4)，位于石英晶片(1)上中间位置的两个面上的镀膜层(1-2)为圆形，两个面上的镀膜层(1-2)分别通过引带(1-3)与支架(2)连接， 镀膜层(1-2)为圆形电极，位于镀膜层(1-2)周边的小圆点(1-4)为寄生抑制点，在小圆点 (1-4)上有导电胶(4)。
2.根据权利要求1所述的滤波石英晶体谐振器，其特征在于所述镀膜层(1- 的周边分布着Φ0. 5mm的小圆点(1-4)，所述镀膜层(1_2)为Φ1. 8mm的圆形结构。
3.根据权利要求1和2所述的滤波石英晶体谐振器，其特征在于所述小圆点(1-4) 有五个，镀膜层(1-2)上端的小圆点(1-4)为双面对称布置，镀膜层(1-2)左端的小圆点 (1-4)为一个并正面布置，镀膜层(1-2)右端的小圆点(1-4)为一个并反面布置，位于镀膜层(1-2)下端的小圆点(1-4)为一个并正面布置。
4.根据权利要求3所述的滤波石英晶体谐振器，其特征在于所述镀膜层(1- 上端、 镀膜层(1-2)左端和镀膜层(1-2)右端的小圆点(1-4)距镀膜层(1-2)为0. 25mm，镀膜层 (1-2)下端的小圆点(1-4)距中心电极0.75mm。
专利摘要滤波石英晶体谐振器，它包括石英晶片(1)、支架(2)、外壳(3)，石英晶片(1)放置在支架(2)上，石英晶片(1)与支架之间通过导电胶(4)固化连接，石英晶片(1)上有镀膜层(1-2)，引带(1-3)和小圆点(1-4)，位于石英晶片(1)上中间位置的两个面上的镀膜层(1-2)为圆形，两个面上的镀膜层(1-2)分别通过引带(1-3)与支架(2)连接，镀膜层(1-2)为圆形电极，位于镀膜层(1-2)周边的小圆点(1-4)为寄生抑制点，在小圆点(1-4)上有导电胶(4)。本实用新型将寄生抑制点以一定大小，一定距离通过镀膜的方式直接镀在晶片上，加工方便，能够提高寄生抑制效果，以及电参数的一致性。
文档编号H03H9/05GK202085138SQ20112016091
公开日2011年12月21日 申请日期2011年5月18日 优先权日2011年5月18日
发明者何敏, 张军, 朱春燕, 闵芬娥 申请人:武汉海创电子股份有限公司