专利名称：光学石英晶体单面长控制板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光学级石英晶体单面长生长工艺中使用的器 械，直接涉及光学级石英晶体单面长生长工艺中用的控制板。
技术背景人造石英晶体生长工艺是釆用水热温差法在立式密封的高压釜 内实现的。由于水热温差法生长石英晶体是在碱性溶液中生长又是在比较 复杂的物理化学条件下进行的，且其生长又是在密封的高压釜内完成，因 此不能直接观察到生长的全过程。而不同碱性溶液的配比，釜内填充度参 数的选取，高压釜加热时温度、时间、压力参数的控制等又都会对生长出 的石英晶体的等级产生重要影响。这就为该类课题的研究与试验增加了难 度。不仅如此，工艺中所使用的器械也会对生长出的石英晶体的等级产生 重要影响。光学石英晶体单面长控制板就是与籽晶体紧密结合的器械，它
可以控制晶体朝着z轴的单一方向生长。当前，许多企业就在尝试用控制
板提高石英晶体的生长质量，实践中一般是采用单一结构的铁板作为控制 板并将其连接籽晶后竖着悬挂于籽晶架上使用，这样做虽然对液体的阻力 很小，然而这种结构和使用状态也未真正对石英晶体的生长质量产生积极 的影响。
发明内容本实用新型的目的就是要提供一种改进的光学石英晶体单面 长控制板，它在光学级石英晶体单面长生长工艺中的应用并结合保持一定 的状态，能有效地克服现有工艺釆用单一结构的铁板作为控制板并将其连 接籽晶后竖着悬挂于籽晶架上存在的难以使石英晶体的生长质量提高的弊端。
本实用新型的目的是这样实现的光学石英晶体单面长控制板，具有 主板，在主板的一个侧边与主板成直角设置副板。
作为本实用新型的进一步方案是所述主板与副板各自的边角上分别 设置抹角。
本实用新型由于在主板的一个侧边与主板成直角设置了副板，因而当 主板水平布置时，随着晶体朝着单一Z向的生长，比-X方向生长速率快一 倍的+X方向得到抑制，从而提高了晶体Z区的比例，晶体的可利用率大大
提高；同时由于主板的水平布置，晶体生长过程中随着液体的上下流动，
包裹体会直接落在主板水平面之上，而失去了接近并进入生长晶体的机会， 从而使晶体的包裹体指标得到极大改善。
附图是本实用新型的结构原理图，
以下结合附图对本实用新型 作进一步说明。
具体实施方式
附图示出了本实用新型光学石英晶体单面长控制板的结
构，具有主板1，在主板1的一个侧边与主板1成直角设置副板3。作为一 种优选方案，所述主板1与副板3各自的边角上分别再设置抹角2。使用 时，主板1下侧面贴面连接籽晶，并将其水平放置于籽晶架上，每块主板 1之间留有供液体流动的空隙在10亳米左右。
权利要求1.一种光学石英晶体单面长控制板，具有主板(1)，其特征是:在主板(1)的一个侧边与主板(1)成直角设置副板(3)。
2、 根据权利要求l所述的光学石英晶体单面长控制板，其特征是 所述主板(1)与副板(3)各自的边角上分别设置抹角(2)。
专利摘要本实用新型公开了一种光学石英晶体单面长控制板，具有主板，在主板的一个侧边与主板成直角设置副板。本实用新型在使用时，主板水平布置，随着晶体朝着单一Z向的生长，比-X方向生长速率快一倍的+X方向得到抑制，提高了晶体Z区的比例，晶体的可利用率大大提高；晶体生长过程中，随着液体的上下流动，包裹体会直接落在主板水平面之上，而失去了接近并进入生长晶体的机会，从而使晶体的包裹体指标得到极大改善。
文档编号C30B7/00GK201198499SQ200820021959
公开日2009年2月25日 申请日期2008年5月8日 优先权日2008年5月8日
发明者刘盛浦 申请人:刘盛浦