用于启动模拟电路的系统和方法与流程

技术特征：
1.一种启动电路，包括：输出节点，其处于输出电压；运算放大器，其耦合到所述输出节点；比较器，其包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端被配置为被耦合到参考电压；反馈回路，其将所述输出节点耦合到所述第二输入端；以及增压电路，其被耦合在所述输出端和所述输出节点之间，并且被配置为被耦合到供电电压，所述增压电路被配置为增加所述输出电压，其中：所述比较器被配置为比较所述输出电压和所述参考电压，当在所述输出节点处的所述输出电压在所述参考电压的预定电压内时，所述增压电路被停用，当在所述输出节点处的所述输出电压在所述参考电压的预定电压之外时，所述运算放大器启动，并且所述运算放大器驱动被耦合到所述输出节点的负载。2.根据权利要求1所述的启动电路，其中所述增压电路包括：第一p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；第二p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其耦合到所述第一p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；以及第一n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。3.根据权利要求2所述的启动电路，还包括被耦合在所述比较器和所述增压电路之间的控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于从所述比较器接收的信号启用和停用所述增压电路。4.根据权利要求3所述的启动电路，其中所述比较器被配置为当所述输出电压在所述参考电压的预定电压内时跳变，所述信号指示所述输出电压是否在所述参考电压的所述预定电压内。5.根据权利要求4所述的启动电路，其中所述预定电压是在所述参考电压的约5mV至约50mV范围内的迟滞电压。6.根据权利要求4所述的启动电路，其中所述预定电压在所述参考电压的5mV内。7.根据权利要求3所述的启动电路，其中：所述第一p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极；所述第二p-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极；所述第一n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管包括第三栅极、第三源极和第三漏极；所述第一栅极被耦合到所述控制逻辑，所述第一源极被耦合到所述供电电压，并且所述第一漏极被耦合到所述第二源极；所述第二栅极被耦合到接地电压并且所述第二漏极被耦合到所述第三漏极；并且所述第三栅极被耦合到所述参考电压并且所述第三源极被耦合到所述输出电压。8.根据权利要求1所述的启动电路，其中，所述运算放大器包括耦合到所述参考电压的第三输入端、耦合到所述反馈回路的第四输入端以及耦合到所述增压电路的第三输出端的第二输出端。9.根据权利要求8所述的启动电路，还包括被耦合到所述输出节点和与所述第二输出端和所述第三输出端耦合的节点之间的n-跟随器设备。10.根据权利要求9所述的启动电路，其中所述n-跟随器设备包括n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，所述n-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管包括：栅极，其耦合到所述与所述第二输出端和所述第三输出端耦合的节点；漏极，其耦合到所述供电电压；源极，其耦合到所述输出节点；以及主体，其耦合到所述输出节点。11.一种用于启动电路的系统，包括：参考电压；模拟设备；以及启动电路，其耦合到所述模拟设备并且耦合到所述参考电压，所述启动电路包括：输出节点，其处于输出电压，运算放大器，其耦合到所述输出节点，启动部分，其包括比较器，所述比较器包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端被耦合到所述参考电压，反馈回路，其将所述输出节点耦合到所述第二输入端，以及增压电路，其被耦合在所述输出端和所述输出节点之间，并且被耦合到供电电压，所述增压电路被配置为增加所述输出电压，其中：所述比较器被配置为比较所述输出电压和所述参考电压，当在所述输出节点处的所述输出电压在所述参考电压的预定电压内时，所述增压电路被停用，当在所述输出节点处的所述输出电压在所述参考电压的预定电压之外时，所述运算放大器启动，并且所述运算放大器驱动被耦合到所述输出节点的负载。12.根据权利要求11所述的系统，还包括被耦合在所述比较器和所述增压电路之间的控制逻辑，所述控制逻辑被配置为基于从所述比较器接收的信号启用和停用所述增压电路。13.根据权利要求12所述的系统，其中所述比较器被配置为当所述输出电压在所述参考电压的预定电压内时跳变，所述信号指示所述输出电压是否在所述参考电压的所述预定电压内，所述预定电压是在所述参考电压的约5mV至约50mV的范围内的迟滞电压。14.根据权利要求11所述的系统，其中，所述运算放大器包括耦合到所述参考电压的第三输入端、耦合到所述反馈回路的第四输入端、以及耦合到所述增压电路的第三输出端的第二输出端。15.根据权利要求14所述的系统，还包括被耦合在所述输出节点和与所述第二输出端和所述第三输出端耦合的节点之间的n-跟随器设备。16.根据权利要求11所述的系统，其中所述模拟设备是芯片上模拟电源域、SONOS阵列设备、存储器读出放大器和参考电压模拟电路中的一个。