专利名称：一种新型的上电复位电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种上电复位电路。
背景技术：
上电复位电路产生芯片内部的复位信号，对芯片的正常工作至关重要。2004年，W. C. Yen 等人在一篇发表于 “IEICE Trans. Electron” 中的名为 “A precision CMOSpower-on reset circuit with power noise immunity for low-voltage technology，，的学术论文中介绍了他们所研究的基于Kuijk带隙基准的上电复位电路，如图I所示，其原理是检测电源电压VDD与b点电压Vb的差是否高于带隙基准电压，由于Vb接地，可视为Vb=0，即检测电源电压VDD是否高于带隙基准电压。由于三极管的发射极与基极的压差和 二极管的压降具有同样的负温度系数，故可以用基极与集电极相连的三极管等效替换二极管，用于检测VDD-Vb是否大于带隙基准电压，改造后的电路如图2所示，由图2可知Vb为零，故该电路的检测效果与图I所示的电路的检测效果一致。上述两种基于Kuijk带隙基准电压的电路，具有电路结构简单、随温度和工艺偏差较小等优点，缺点是其检测的电源电平固定在带隙基准电压。然而一般应用中电源电平的高低是根据其它电路需求来决定的，因此上述电路无法满足该要求。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种新型的上电复位电路，以实现对不同电源电平的精确检测。为解决上述问题，采用了如下技术方案一种新型的上电复位电路，包括比较器、三极管Q1、三极管Q2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，以及电阻R5 ；电阻R4 —端连接于比较器的同向输入端，电阻R5 —端连接于比较器的反向输入端，电阻R4和电阻R5的另一端均连接于电源，电阻R4的阻值等于R5的阻值，三极管Ql与Q2的基极相连，三极管Ql与Q2的集射极均接地，Ql发射极连接于比较器的同向输入端，Q2的发射极通过电阻R3连接到比较器的反向输入端，电阻Rl连接于电源与三极管Ql的基极之间，电阻R2连接于三极管Ql基极与地之间，通过调节电阻Rl与R2的比值可以得到不同的检测阈值电压。三极管Ql与Q2的面积成比例，其中Q2的面积大于Ql的面积。一种新型的上电复位电路，包括比较器、三极管Q1、三极管Q2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，以及电阻R5 ；电阻R4 —端连接于比较器的反向输入端，电阻R5 —端连接于比较器的同向输入端，电阻R4和电阻R5的另一端均连接于电源，电阻R4的阻值等于R5的阻值，三极管Ql与Q2的基极相连，三极管Ql与Q2的集射极均接地，Ql发射极连接于比较器的反向输入端，Q2的发射极通过电阻R3连接到比较器的同向输入端，电阻Rl连接于电源与三极管Ql的基极之间，电阻R2连接于三极管Ql基极与地之间，通过调节电阻Rl与R2的比值可以得到不同的检测阈值电压。极管Ql与Q2的面积成比例，其中Q2的面积大于Ql的面积。[0009]根据I C. Yen论文描述的电路工作原理，当VDD-Vb = Vref时，电路输出复位信号，其中Vref为带隙基准电压，VDD代表电源电平，如果想解决实际应用中遇到的检测不同电源电平的问题，必须改变Vb的值。为了达到这个目的，本实用新型对W. C. Yen等人提出的上电复位电路进行了改进，由于三极管的发射极与基极的压差和二极管的压降具有同样的负温度系数，故将原电路中的成比例的二极管等效替换为同比例的三极管代替并将俩个三极管的基极相
权利要求1.一种新型的上电复位电路，其特征在于，包括比较器、三极管Q1、三极管Q2，电阻Rl，电阻R2，电阻R3，电阻R4，以及电阻R5 ;电阻R4—端连接于比较器的同向输入端，电阻R5一端连接于比较器的反向输入端，电阻R4和电阻R5的另一端均连接于电源，电阻R4的阻值等于R5的阻值，三极管Ql与Q2的基极相连，三极管Ql与Q2的集射极均接地，Ql发射极连接于比较器的同向输入端，Q2的发射极通过电阻R3连接到比较器的反向输入端，电阻Rl连接于电源与三极管Ql的基极之间，电阻R2连接于三极管Ql基极与地之间，通过调节电阻Rl与R2的比值可以得到不同的检测阈值电压。
2.根据权利要求I所述的一种新型的上电复位电路，其特征在于，三极管Ql与Q2的面积成比例，其中Q2的面积大于Ql的面积。
3.一种新型的上电复位电路，其特征在于，包括比较器、三极管Q1、三极管Q2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，以及电阻R5 ;电阻R4—端连接于比较器的反向输入端，电阻R5一端连接于比较器的同向输入端，电阻R4和电阻R5的另一端均连接于电源，电阻R4的阻值等于R5的阻值，三极管Ql与Q2的基极相连，三极管Ql与Q2的集射极均接地，Ql发射极连接于比较器的反向输入端，Q2的发射极通过电阻R3连接到比较器的同向输入端，电阻Rl连接于电源与三极管Ql的基极之间，电阻R2连接于三极管Ql基极与地之间，通过调节电阻Rl与R2的比值可以得到不同的检测阈值电压。
4.根据权利要求3所述的一种新型的上电复位电路，其特征在于，三极管Ql与Q2的面积成比例，其中Q2的面积大于Ql的面积。
专利摘要本实用新型公开了一种新型的上电复位电路。上电复位电路产生芯片内部的复位信号，对芯片的正常工作至关重要。本实用新型在不需要外界电压基准或者产生内部带隙基准的前提下可以精确检测各种电源电压。克服了传统的上电复位电路需要外界提供精确基准电压的缺点，该电路较传统的上电复位电路有较大的性能提升，具有较低的功耗和温度系数以及较小的工艺变化。
文档编号H03K17/22GK202550986SQ20122007765
公开日2012年11月21日 申请日期2012年3月4日 优先权日2012年3月4日
发明者万培元, 宜婷, 师浩, 常云峰, 张泽军, 林平分, 汤益明, 胡燕子, 陈俊 申请人:北京工业大学