用于给引导电荷存储装置充电的方法及装置制造方法
【专利摘要】用于惯性负载驱动器电路中的至少一个引导电荷存储元件的充电电路，所述至少一个引导电荷存储元件包括能操作地耦合于所述惯性负载驱动器电路的至少一个开关元件的输出节点的第一节点。所述充电电路包括能控制成给所述至少一个引导电荷存储元件的第二节点提供电流的至少一个电流源，以及至少一个检测组件，其被布置成在其第一输入接收所述惯性负载驱动器电路的所述至少一个开关元件的所述输出节点的电压电平的指示；检测所述惯性负载驱动器电路的所述开关元件的所述输出节点的所述电压电平是否低于负阈值电压电平；以及如果所述惯性负载驱动器电路的所述开关元件的所述输出节点的所述电压电平低于所述负阈值电压电平，控制所述至少一个电流源给所述至少一个引导电荷存储元件的所述第二节点提供电流。
【专利说明】用于给引导电荷存储装置充电的方法及装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及给弓I导电荷存储装置充电的方法及装置，尤其涉及用于惯性负载驱动器电路中的至少一个弓I导电荷存储元件的充电电路及其方法。
【背景技术】
[0002]在集成电路(IC)装置的领域中，主要由于管芯尺寸减小以及其它益处，只使用N-沟道MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)装置，也被称为NMOS装置，是一种常见的降低成本的方法。然而，用NMOS装置代替PMOS (P-沟道M0SFET)装置通常涉及NMOS装置被放置在负载的“高侧”，在此处NMOS装置位于负载和电源电压轨之间。当NMOS装置处于完全“开通”状态的时候(即，在电流能够自由流动通过NMOS装置的饱和模式)，源极节点经由导通的NMOS装置被有效地耦合于电源电压轨。为了达到完全开通状态，在栅极和源极节点之间的显著正电压(Ves)是必需的，以将NMOS装置偏置到饱和模式。为了达到这一目标，栅极电压必须比漏极电压(即电源轨电压)高出了至少阈值电压电平(Vth)。显然，在电源轨电压是最高可用供给电压信号的情况下，就需要一些生成较高电压电平的手段。
[0003]为此，已知的是，使用引导电荷存储装置，例如引导电容器，来生成更高的电压电平。图1说明了包括高侧NMOS装置110和引导电容器120的DC(直流)电机驱动器电路100的例子的简化电路图。NMOS装置110的栅极节点电压是由被传递通过栅极控制电路的控制信号130而生成的，其在图1的简化例子中被示为包括缓冲器逻辑140。该缓冲器逻辑140的负电源轨能操作地耦合于NMOS装置110的源极节点112，并且用于该缓冲器逻辑140的正电源轨144经由引导电容器120能操作地耦合于负电源轨142。以这种方式，“浮动”电源电压轨被提供给缓冲器逻辑140，其中负轨电压被连接到NMOS装置110的源极电压，并且正轨电压是由跨越引导电容器120的电压确定的。因此，通过保持引导电容器120内的合适的电荷，可能生成足够高到迫使NMOS装置120进入其饱和模式的栅极电压。
[0004]在典型的间歇驱动模式(例如，开启100ms，关闭100ms)，引导电容器120在驱动器电路100的关闭状态期间放电。因此，有必要补偿引导电容器120的这种放电，以在其中保持足够大的电荷来生成足够高到迫使NMOS装置120进入其饱和模式的栅极电压。在包括这样引导电容器120的传统驱动器电路100中，电荷泵150通常被提供并且被布置成在驱动器电路100的关闭状态期间将一些电流注入引导电容器120。以这种方式，位于引导电容器120内的合适的电荷可以被保持。
[0005]最近，对这种驱动器电路的要求规定在驱动器电路100的关闭状态期间可能不发生功率消耗。因此，在这种客户要求下，在驱动器电路100的关闭状态期间不允许使用这种电荷泵150。因此，这种电荷泵150的使用将被限于在驱动器电路100的开启状态期间。然而，由于在驱动器电路100的关闭状态期间引导电容器内的固有电荷损失，在驱动器电路100的开启状态期间将有初始时段，其中引导电容器120在该初始时段需要被充电。在这样的初始时段，没有足够高的偏置电压将可用于完全使NMOS装置110导通，从而导致在该初始时段期间NMOS装置110内增加的电流限制，并从而增加了 NMOS装置110内热的生成，这是不期望的，并在某些情况下可能是不可接受的。
【发明内容】
[0006]如附属权利要求所描述的，本发明提供了一种用于惯性负载驱动器电路中的至少一个弓I导电荷存储兀件的充电电路、一种包括该充电电路的惯性负载驱动器电路和一种给正惯性负载驱动器电路中的至少一个弓I导电荷存储元件充电的方法。
[0007]本发明的具体实施例在从属权利要求中被陈述。
[0008]根据下文中描述的实施例，本发明的这些或其它方面将会很明显并且被阐述。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]根据附图，仅仅通过举例的方式，本发明的进一步细节、方面和实施例将被描述。在附图中，类似的符号被用于表示相同的或功能相似的元素。为了简便以及清晰，附图中的元素不一定按比例绘制。
[0010]图1说明了已知DC(直流)电机驱动器电路的一个例子的简化电路图。
[0011]图2说明了用于惯性负载的驱动器电路的一个例子的简化电路图。
[0012]图3说明了给惯性负载驱动器电路中的至少一个引导电荷存储元件充电的方法的一个例子的简化流程图。
【具体实施方式】
[0013]本发明现在将参照直流(DC)电机驱动器电路中的引导电荷存储元件(例如引导电容器)的充电电路及其方法进行描述。然而，应了解，本发明并不限于附图中说明的以及本发明所描述的具体实施例，并且尤其不限于用于给DC电机的驱动器电路中的引导电荷存储装置充电的方法及设备，并且同样可以在用于给任何形式的惯性负载驱动器电路内的引导电荷存储装置充电的方法及装置内被实现。例如，可以预见本发明可以替代地在用于给例如电感负载的驱动器电路内的引导电荷存储装置充电的充电电路内被实现。清楚起见，本发明使用的术语惯性负载可能指包括了对流过其中的电流改变的电阻的任何负载。通常，这种负载能够在其中储存能量，这使得具有对电流流动的这种改变的电阻。例如，在DC电机的情况下，能量被存储为在DC电机的旋转电枢内的转动动能。同样，在电感负载的情况下，能量被存储在由电感负载所生成的磁场内。
[0014]而且，由于本发明说明的所示出的实施例可能大部分是通过使用本领域所属技术人员所熟知的电子组件和电路被实施，因此细节不会在比上述所说明的认为有必要的程度大的任何程度上进行解释。对本发明基本概念的理解以及认识是为了不混淆或偏离本发明所教之内容。
[0015]现在参照图2，图2说明了用于惯性负载的驱动器电路200的一个例子的简化电路图，其中在图示的例子中驱动器电路200包括DC电机210，并且驱动器电路200在集成电路装置205中被实现。驱动器电路200包括开关元件，例如诸如功率晶体管的电源开关，例如场效应晶体管或双极晶体管。合适的例子是例如功率(金属氧化物)场效应晶体管((M0S-)FET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、双极结型晶体管(BJT)、异质结双极晶体管(HBPS)、异质结构FET(HFET)或任何其它类型的功率晶体管。功率晶体管例如可以例如能够控制50A或更大(例如10A或更大)的电流。在一个例子中，使用具有2毫欧姆内部电阻的功率晶体管的驱动器电路并且能够控制120A最大电流已被试验用于实例。
[0016]在图示的例子中，开关包括η-沟道金属氧化物半导体(NMOS)装置220，例如NMOS场效应晶体管。NMOS装置220的漏极节点222能操作地耦合于正电源电压230。在一些例子中，驱动器电路200可以在汽车应用中被实现，其中正电源电压230例如由12V的车用电池提供。NMOS装置220的源极节点224能操作地耦合于DC电机210，并因此包括NMOS装置220的输出。以这种方式，NMOS装置220能操作地耦合于DC电机210和正电源电压230之间，并因此包括高侧NMOS装置，并且被布置成根据在其栅极节点226接收的偏置电压来选择性地将DC电机210耦合于正电源电压230。
[0017]为了达到NMOS装置220的完全开通状态，跨越栅极和源极节点226、224的显著正电压(Ves)是必需的，以将NMOS装置220偏置到饱和模式。尤其，在该高侧配置中，如果NMOS装置220处于完全开通状态(即，在电流能够自由流动通过NMOS装置220的饱和模式)，源极节点224被有效地直接耦合于漏极节点222，并且经由开通的NMOS装置220耦合于正电源电压230。因此，为了达到完全开通状态，栅极节点226处的电压必须比漏极节点222处的电压(即正电源电压230)高出了至少阈值电压电平(Vth)，其中跨越栅极和源极节点226、224的该阈值电压电平是必需的，以将NMOS装置220偏置到饱和模式。由于电源电压230通常是最高的可用供给电压信号，因此就需要生成较高电压电平的一些手段。为此，图2的驱动器电路200包括通常通过弓丨导电容240被说明的引导电荷存储装置。
[0018]驱动器电路200还包括开关元件控制组件，其包括被布置成将控制信号输出至NMOS装置220的电路。在图示的例子中，开关元件控制组件包括缓冲器逻辑门260形式的电路。缓冲器逻辑门电路260被布置成接收控制信号250，并根据控制信号250，以偏置电压信号的形式将对应控制信号输出至NMOS装置220的栅极节点226。缓冲器逻辑门260的负电源电压输入262能操作地耦合于NMOS装置220的输出，即在图示的例子中耦合于源极节点224。缓冲器逻辑门260的正电源电压输入264经由引导电容240能操作地耦合于缓冲器逻辑门260的负电源电压输入262。特别是，在图示的例子中，引导电容240的第一节点242能操作地耦合于缓冲器逻辑门260的负电源电压输入262和NMOS装置220的源极节点224，而引导电容240的第二节点244能操作地耦合于缓冲器逻辑门260的正电源电压输入264。以这种方式，“浮动”电源电压被提供给缓冲器逻辑门260，其中负电源电压被绑定(tied to)到NMOS装置220的源极节点224(即输出)处的电压，并且正电源电压是由跨越引导电容240的电压确定的。因此，通过保持引导电容240内的合适电荷，缓冲器逻辑门260可能在NMOS装置220的栅极节点226的栅极节点226处生成的偏置电压信号足够高到迫使NMOS装置220进入其饱和模式。
[0019]在典型的间歇驱动模式(例如，开启100ms，关闭100ms)中，引导电容240在驱动器电路200的关闭状态期间放电。因此，有必要补偿引导电容240的放电，以便于在其中保持足够大的电荷以生成足够高到迫使NMOS装置220进入其饱和模式的栅极电压。最近的客户要求规定在驱动器电路200的关闭状态期间可能不发生功率消耗。因此，在驱动器电路200的关闭状态期间，不允许从正电源电压230拉动电荷以保持引导电容240内的电荷。然而，在驱动器电路200的关闭状态期间允许引导电容240放电意味着在驱动器电路200的每个开启状态期间将有初始时段，在其中引导电容240需要被重新充电。在这样的初始时段期间，不够高的偏置电压将可用于完全导通NMOS装置220，从而导致在该初始时段期间NMOS装置220内的增加的电流限制，并从而增加了 NMOS装置220内的热生成，这是不期望，并在某些情况下是不可接受的。
[0020]在惯性负载中，例如在图2所示的DC电机210的情况下，如果NMOS装置220是开通的，则DC电机210是由正电压电源230供电的，并且DC电机210运行。如果NMOS装置220随后被“关闭”，则电流流动通过NMOS装置220，并因此被提供给DC电机210，下降到零。然而，DC电机210的惯性意味着DC电机210将在NMOS装置220随后被关闭之后继续旋转。DC电机210的这个持续旋转将DC电机210变换成电压生成器，从而导致跨越DC电机210建立了反电动势(BEMF)。所生成的电压与DC电机210的速度成比例，并因此将随着DC电机210旋转的减慢而逐渐下降。
[0021 ] 在图2所示的例子中，DC电机210耦合于NMOS装置220的源极节点224和接地平面235之间。因此，作为BEMF的结果而造成的跨越DC电机210的电压的生成导致NMOS装置220的源极节点224处的电压相对于接地平面235被下拉。因此，在驱动器电路200的关闭状态期间，NMOS装置220的源极节点224包括相对于接地平面235的负电压。在一些例子中，例如，在驱动器电路200在汽车应用中被实现的例子中，在其中正电源电压230包括由例如车用电池供给的12V，在驱动器电路200的关闭状态期间由DC电机210生成的平均电压在开始时通常为大约5V的量值，并且随着DC电机210旋转的减慢而减少。然而，本发明人已观察到，虽然由BEMF创建的平均电压包括相对低的平均量值DC电压(例如，低于5V量值)，当更深入研究的时候，所述低的平均量值DC电压包括电压尖峰(由电刷从DC电机210内的一个触点改变为另一个触点引起的)，其单独地包括相对高的DC电压。特别是，本发明人已观察到，每次DC电机210内的电气电路从一个触点改变为另一个触点，BEMF就生成电压尖峰，其中这些尖峰的峰值电压为-5V以下(即，具有大于5V的量值)；甚至下降到-12V。
[0022]在图示的例子中，跨越引导电容240的电压被齐纳二极管245钳位。在驱动器电路200在汽车应用中被实现的例子中，在其中正电源电压230包括由车用电池供给的12V，跨越引导电容240的电压可以被钳位在例如10伏。因此，为了能够充分(再)充电引导电容240，至少1V的电压必须跨越引导电容240被施加。发明人已认识到，虽然由DC电机210的BEMF生成的相对低的平均量值DC电压太低而不能够充分地(再)充电引导电容240，但是在NMOS装置220的源极节点224处的BEMF生成电压内的单独电压尖峰具有能够充分(再)充电引导电容240的足够量值。
[0023]在图示的例子中的驱动器电路200还包括充电电路270。该充电电路包括能控制成给引导电容240的第二节点提供电流的电流源280和检测组件290。检测组件290被布置成在其第一输入292处接收NMOS装置220的输出(源极)节点224处的电压电平的指示，检测NMOS装置220的输出节点224处的电压电平是否低于负阈值电压电平，以及如果NMOS装置220的输出节点224处的电压电平低于负阈值电压电平，则控制电流源280给引导电容240的第二节点224提供电流。
[0024]在图示的例子中，检测组件290包括比较器组件，其被布置成在其第二输入294处接收负阈值电压电平(Vkef)的指示，将NMOS装置220的输出节点224处的电压电平的接收指示和负阈值电压电平的接收指示进行比较，并且将比较的结果输出至电流源280。在一些例子中，电流源280可能包括开关元件(例如NMOS装置)，其能操作地耦合于引导电容240的第二节点224和接地平面235之间，并可能因此根据由检测组件290执行的比较结果，选择性地将引导电容240的第二节点224耦合于接地平面235。在这个例子中，电流源被表示为理想电流源，而在其它例子中，电流源可以被配置为仅来自于正电源电压230(例如，V+电池)。在这样的例子中，到接地平面235连接可以被到正电源电压230的连接所取代。
[0025]以这种方式，如果NMOS装置220的输出节点224处的电压电平下降到低于负阈值电压电平，则检测组件290使电流能够由电流源280提供给引导电容240。因为引导电容240的第一节点242能操作地耦合于NMOS装置220的输出节点224，其包括低于负阈值电压电平的电压电平，因此该负电压电平从电流源280将电荷“拉”到引导电容中，(再)充电引导电容240。因此，在图示的例子中，在驱动器电路200的关闭状态期间，由DC电机210的BEMF在NMOS装置220的源极节点224处生成的负电压可以被用于(再)充电引导电容240。特别是，在图示的例子中，通过配置适当的负阈值电压电平，电流源280可以被布置成在(由从DC电机210内的一个触点改变为另一个触点引起的)电压尖峰期间仅给引导电容240的第二节点244提供电流，其中该电压尖峰单独地包括能够将引导电容240充分(再)充电到在所示例子中是1V的所需电压电平的足够高量值DC电压电平。以这种方式，已发现BEMF电压尖峰能够给引导电容240提供足够的电荷，以防止引导电容240在驱动器电路200的关闭状态期间放电，并且不需要从电压源230拉动电流。结果，在驱动器电路200的后续开启状态期间不存在初始时段，因此有必要再充电引导电容以完全导通NMOS装置220。
[0026]在图示的例子中，在驱动器电路200的关闭状态期间，如果惯性负载的电源电压例如被移除或降低，已知的是，使用反激二极管(也被称为续流二极管)、缓冲二极管等等来提供跨越惯性负载的电流路径，以允许惯性负载从其自身拉动电流。以这种方式，惯性负载内的能量可以被安全地消散。然而，在汽车应用中，要求装置能够维持反向电池状况，其中，如果车用电池被反向连接一段时间，例如I或2分钟，则应该没有电气或电子装置或模块被损坏。在图示的例子中，在高侧NMOS装置220的情况下，NMOS装置220包括位于其漏极节点222和源极节点224之间的本征二极管。同样，在反向电池状况下，电流能够从“接地”连接(其在反向电池状况下将包括正电压电平)通过DC电机210、通过NMOS装置220的本征二极管，从源极节点224流动到漏极节点222，并因此到正电源电压轨230 (其在反向电池状况下将包括负电压电平)。流动通过NMOS装置220的电流将受到DC电机210的电阻的限制，其将仅仅在“反向”运行，从而保护NMOS装置220免于反向电池状况。
[0027]然而，如果反激二极管被引入到跨越DC电机210，那么在反向电池状况下，电流流动将能够有效地绕过DC电机210，并且只有串联的两个二极管(即，NMOS装置220的反激二极管和本征二极管)给电流流动提供电阻。具体来说，串联的两个二极管将反向电池电压钳位在1.6V(0.8+0.8);如此低的钳位电压导致了损坏NMOS装置220的足够高的电流。因此，在汽车应用中，并且如图2所示，跨越DC电机210没有提供反激二极管，以使反向电池状况能够在不损坏NMOS装置220的情况下被保持。
[0028]代替反激二极管，在NMOS 二极管220的源极节点224处的电压可以被钳位电路(未显示)钳位在例如-5V，如果源极节点224处的电压低于-5V，该钳位电路迫使电流流动通过NMOS装置220。有利的是，通过配置阈值电压电平(Vkef)以包括等于所需负钳位电压(_5V)的量值，每当NMOS装置220的源极节点224处的电压下降到该所需负钳位电压，检测组件290将如此检测，并且导致电流源280给引导电容240供给电流，其接下来将允许从那里拉动电流，并进入DC电机210。
[0029]因此，说明并描述了用于惯性负载驱动器电路200的充电电路270，其使得在驱动器电路的关闭状态期间驱动器电路200的引导电容能够被(再)充电，而在驱动器电路的关闭状态期间没有从电源电压等等消耗功率。特别是在图示的例子中，充电电路270被布置成利用存储在惯性负载内的能量来(再)充电引导电容240。
[0030]现在参照图3，图3说明了给惯性负载驱动器电路中的至少一个引导电荷存储元件充电的方法的一个例子的简化流程图300。该方法开始于310，并进行到320，其中接收驱动器电路的开关元件的输出电压的指示，诸如例如在图2所示的例子中的NMOS装置220的源极节点224处的电压。接着，在330，接收负阈值电压的指示。随后在340，开关元件的输出电压的指示和负阈值电压的指示进行比较。在350，如果指示的输出电压小于指示的负阈值电压，该方法进入360，其中耦合于引导电荷存储装置的电流源被启用，使得电流被驱动器电路的开关元件的输出处的负电压拉动进入引导电荷存储装置。反之，在350，如果指示的输出电压不低于指示的负阈值电压，则该方法进行到370，其中电流源被禁用。随后，该方法在380结束。
[0031]在前面的说明中，参照本发明实施例的特定例子已对本发明进行了描述。然而，很明显各种修改和变化可以在不脱离附属权利要求中所陈述的本发明的宽范围精神及范围的情况下被做出。
[0032]本发明所讨论的连接可以是任何类型的连接。该连接适于将信号从或传输到各自的节点、单元或装置，例如通过穿孔中间装置。因此，除非暗示或说明，连接，例如，可能是直接连接或间接连接。连接可以被说明或描述，涉及到是单一连接、多个连接、单向连接、或双向连接。然而，不同实施例可能改变连接的实现。例如，可以使用单独单向连接而不是双向连接，反之亦然。此外，多个连接可以被替换为连续地或以时间多路复用方式传输多个信号的单一连接。同样地，携带多个信号的单一连接可以被分离成各种不同的携带这些信号的子集的连接。因此，存在传输信号的许多选项。
[0033]关于具体导电类型或电位极性，虽然本发明已被描述，技术人员知道导电类型和电位极性可以是相反的。
[0034]为实现相同功能的任何元件的排列是有效地“关联”以便所需的功能得以实现。因此，为实现特定功能，本发明中结合在一起的任何两个元件可以被看作彼此“相关联”以便所需的功能得以实现，不论架构还是中间元件。同样地，如此关联的任何两个元件还可以被认为是彼此被“能操作连接”或“能操作耦合”以实现所需的功能。
[0035]此外，本领域所属技术人员将认识到上述描述的操作功能之间的界限只是说明性的。所述多个操作可以组合成单一的操作，单一的操作可以分布在附加操作中以及操作可以在至少部分重叠的时间内被执行。而且，替代实施例可能包括特定操作的多个实例，并且操作的顺序在各种其它实施例中会改变。
[0036]又如，在一个实施例中，说明的例子可以被作为位于单一集成电路上的电路或在相同装置内的电路被实现。或者，所述例子可以作为任何数量的单独集成电路或以一种合适的方式彼此相联接的单独装置被实现。
[0037]然而，其它修改、变化和替代也是可能的。说明书和附图相应地被认为是从说明性的而不是严格意义上来讲的。
[0038]在权利要求中，放置在括号之间的任何参考符号不得被解释为限定权利要求。单字“包括”不排除其它元素或随后在权力要求中列出的那些步骤的存在。此外，本发明所用的“a”或“an”被定义为一个或多个。并且，在权利要求中所用字语如“至少一个”以及“一个或多个”不应该被解释以暗示通过不定冠字“a”或“an”引入的其它权利要求元素限定任何其它特定权利要求。所述特定权利要求包括这些所介绍的对发明的权利元素，所述权利元素不仅仅包括这样的元素。即使当同一权利要求中包括介绍性短语“一个或多个”或“至少一个”以及不定冠字，例如“a”或“an”。使用定冠字也是如此。除非另有说明，使用术语如“第一”以及“第二”是用于任意区分这些术语描述的元素的。因此，这些术语不一定表示时间或这些元素的其它优先次序。某些措施在相互不同的权利要求中被列举的事实并不表示这些措施的组合不能被用于获取优势。
【权利要求】
1.一种用于惯性负载驱动器电路中至少一个引导电荷存储元件的充电电路，所述至少一个引导电荷存储元件包括第一节点，所述第一节点能操作地耦合于所述惯性负载驱动器电路的至少一个开关元件的输出节点，所述充电电路包括: 至少一个电流源，所述至少一个电流源能控制成给所述至少一个引导电荷存储元件的第二节点提供电流；以及 至少一个检测组件，所述至少一个检测组件被布置成: 在其第一输入处，接收所述惯性负载驱动器电路的所述至少一个开关元件的所述输出节点处的电压电平的指示； 检测所述惯性负载驱动器电路的所述开关元件的所述输出节点处的所述电压电平是否低于负阈值电压电平；以及 如果所述惯性负载驱动器电路的所述开关元件的所述输出节点处的所述电压电平低于所述负阈值电压电平，则控制所述至少一个电流源，以给所述至少一个引导电荷存储元件的所述第二节点提供电流。
2.根据权利要求1所述的充电电路，其中所述负阈值电压电平包括与所述惯性负载驱动器电路的负钳位电压相等的负电压电平。
3.根据权利要求1或2所述的充电电路，其中，所述至少一个检测组件被布置成: 在其第二输入处，接收所述负阈值电压电平的指示； 将所述惯性负载驱动器电路的所述开关元件的所述输出节点处的电压电平的所接收指示和所述负阈值电压电平的所接收指示进行比较；以及 将所述比较结果的指示输出至所述至少一个电流源。
4.根据权利要求3所述的充电电路，其中所述至少一个检测组件包括比较器组件。
5.根据任何一项前述权利要求所述的充电电路，其中，所述至少一个电流源包括至少一个开关元件，至少一个开关元件能操作地耦合于所述至少一个引导电荷存储元件的所述第二节点和所述电感负载驱动器电路的接地平面之间，并且被布置成:选择性地将所述至少一个引导电荷存储元件的所述第二节点耦合于所述接地平面。
6.根据权利要求5所述的充电电路，其中所述至少一个电流源的至少一个开关元件包括至少一个η-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
7.根据任何一项前述权利要求所述的充电电路，其中所述惯性负载驱动器电路的至少一个开关元件包括至少一个η-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。
8.根据任何一项前述权利要求所述的充电电路，其中所述惯性负载驱动器电路被布置成驱动直流DC电机。
9.根据任何一项前述权利要求所述的充电电路，其中所述惯性负载驱动器电路被布置成能操作地耦合于惯性负载电路与正电源电压之间。
10.根据任何一项前述权利要求所述的充电电路，其中所述惯性负载驱动器电路包括至少一个开关元件控制组件，所述至少一个开关元件控制组件包括被布置成将控制信号输出至所述惯性负载驱动器电路的所述至少一个开关元件的电路；其中，用于所述开关元件控制组件电路的负电源电压输入能操作地耦合于所述惯性负载驱动器电路的所述至少一个开关元件的所述输出，而所述开关元件控制组件电路的正电源电压输入经由所述至少一个引导电荷存储元件能操作地耦合于所述负电源。
11.根据任何一项前述权利要求所述的充电电路，被实施在集成电路装置中，所述集成电路装置包括位于单一集成电路封装中的至少一个管芯。
12.—种惯性负载驱动器电路，包括根据任何一项前述权利要求所述的充电电路。
13.—种给惯性负载驱动器电路中的至少一个引导电荷存储元件充电的方法，所述至少一个引导电荷存储元件包括第一节点，所述第一节点能操作地耦合于所述惯性负载驱动器电路的至少一个开关元件的输出，所述方法包括: 接收所述惯性负载驱动器电路的所述至少一个开关元件的所述输出节点处的电压电平的指示； 检测所述惯性负载驱动器电路的所述开关元件的所述输出节点处的所述电压电平是否低于负阈值电压电平；以及 如果所述惯性负载驱动器电路的所述开关元件的所述输出节点处的所述电压电平低于所述负阈值电压电平，则控制所述至少一个电流源，以给所述至少一个引导电荷存储元件的第二节点提供电流。
【文档编号】H03K17/06GK104365020SQ201280073733
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2012年6月5日 优先权日:2012年6月5日
【发明者】蒂埃里·西卡尔 申请人:飞思卡尔半导体公司