直流低压电源四推挽注锁发光二极管LED阵列灯的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种直流低压电源四推挽注锁发光二极管LED阵列灯，包括直流低压电源、发光二极管LED阵列灯，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、四个型号为IR2156的自振荡芯片A、自振荡芯片B、自振荡芯片C、自振荡芯片D、推挽逆变器A′、推挽逆变器B′、推挽逆变器C′、推挽逆变器D′、相加耦合器TB1、相加耦合器TB2、相加耦合器TB3、灯管电路、灯管异常电流检测器；其中，基准晶振由石英晶体谐振器、六个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，第一个反相器输入与输出两端分别连接电容C1、C2的一端，电容C1、C2的另一端接地，同时，第一个反相器输入与输出两端还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器；第二个反相器输入端连接基准晶振信号，第二个反相器输出端连接分频器的输入端，分频器的输出端连接四个反相器的输入端，四个反相器输出分别连接四个自振荡芯片CT端注入基准晶振信号锁定相位，自振荡芯片内含振荡器、推挽逆变驱动电路、灯故障关闭控制器SD，自振荡芯片RT端连接电阻R2，自振荡芯片CT端连接电容C4产生振荡频率；未注入基准信号自振荡芯片RC振荡器产生自由振荡频率，注入基准信号RC振荡电压与其矢量合成，通过自振荡芯片非线性变频锁定相位，振荡信号与注入基准信号仅有一个固定的相位差；自振荡芯片A内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器A′，自振荡芯片B内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器B′，自振荡芯片C内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器C′，自振荡芯片D内部的推挽逆变驱动电路输出驱动由两个大功率MOS场效应管构成推挽逆变器D′；推挽逆变器A′输出端连接输出功率变压器T1初级线圈T1L1、推挽逆变器B′输出端连接输出功率变压器T2初级线圈T2L1；输出功率变压器T1次级线圈T1L2和输出功率变压器T2次级线圈T2L2串联端子连接电阻R10一端并接地，电阻R10另一端连接相加耦合器TB1初级线圈TB1L1的中心抽头，相加耦合器TB1初级线圈TB1L1的另外两个端子分别连接输出功率变压器T1次级线圈T1L2的另一端和输出功率变压器T2次级线圈T2L2的另一端；推挽逆变器C′输出端连接输出功率变压器T3初级线圈T3L1、推挽逆变器D′输出端连接输出功率变压器T4初级线圈T4L1；输出功率变压器T3次级线圈T3L2和输出功率变压器T4次级线圈T4L2串联端子连接电阻R11一端并接地，电阻R11另一端连接相加耦合器TB2初级线圈TB2L1的中心抽头，相加耦合器TB2初级线圈TB2L1的另外两个端子分别连接输出功率变压器T3次级线圈T3L2的另一端和输出功率变压器T4次级线圈T4L2的另一端；相加耦合器TB1次级线圈TB1L2和相加耦合器TB2次级线圈TB2L2串联端子连接电阻R12一端并接地，电阻R12另一端连接相加耦合器TB3初级线圈TB3L1的中心抽头，相加耦合器TB3初级线圈TB3L1的另外两个端子分别连接相加耦合器TB1次级线圈TB1L2的另一端和相加耦合器TB2次级线圈TB2L2另一端；全波整流电路由功率MOS场效应管Q4、Q5组成，功率MOS场效应管Q4源极接相加合耦器TB3电感TB3L2的一端，功率MOS场效应管Q5源极接相加合耦器TB3电感TB3L2的另一端，偏置分压电阻R15和电阻R16串联点连接功率MOS场效应管Q5栅极，偏置分压电阻R13和电阻R14串联点连接功率MOS场效应管Q4栅极，电阻R14和电阻R16另一端连接功率MOS场效应管Q4、Q5漏极，分压电阻R15另一端连接功率MOS场效应管Q4源极，分压电阻R13另一端连接功率MOS场效应管Q5源极，功率MOS场效应管Q4、Q5漏极并接作为全波整流输出端，功率MOS场效应管Q4、Q5漏极源极之间分别并联整流二极管VD1、VD2，漏极连接整流二极管阴极，源极连接整流二极管阳极；相加耦合器TB3次级电感TB3L2中心点穿过灯电流检测互感磁环接地，灯电流检测互感磁环电感LS1一端接二极管VD3阳极，灯电流检测互感磁环电感LS1另一端接地，二极管VD3阴极连接电容C8、电阻R17的一端，电容C8、电阻R17的另一端接地，二极管VD3阴极还连接电阻R8的一端，电阻R8另一端和电阻R9一端的接点连接场效应管Q3栅极，电阻R9一另端和场效应管Q3源极接地，场效应管Q3漏极连接到触发四个自振荡芯片灯故障保护控制端SD；全波整流电路输出端连接到灯管电路发光二极管LED阵列灯，灯管异常电流检测器信号接入四个自振荡芯片SD端，使自振荡芯片快速停振并关断推挽逆变器功率MOS场效应管，直流低压电源低压连接基准晶振、分频器电源端，直流低压电源高压接入四个自振荡芯片、四个推挽逆变器的电源端。