工艺补偿的hbt功率放大器偏置电路和方法

工艺补偿的hbt功率放大器偏置电路和方法
【专利摘要】本公开涉及用于偏置功率放大器的系统。所述系统可以包括第一裸芯，所述第一裸芯包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件。此外所述系统可以包括第二裸芯，所述第二裸芯包含偏置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生偏置信号。
【专利说明】工艺补偿的HBT功率放大器偏置电路和方法
[0001] 相关申请
[0002] 本公开要求于2012年6月14日提交的名称为"PROCESS-COMPENSATED HBT POWER AMPLIFIER BIAS CIRCUITS AND METHODS (工艺补偿的HBT功率放大器偏置电路和 方法）"的美国61/659, 701号临时申请以及于2012年6月14日提交的名称为"RF POWER AMPLIFIERS HAVING SEMICONDUCTOR RESISTORS (具有半导体电阻器的RF功率放大器）"的 美国61/659, 834号临时申请的优先权，其公开内容通过引用而被明确地整体结合于此。

【技术领域】
[0003] 本公开一般地涉及功率放大器。更具体地，本公开涉及异质结双极型晶体管（HBT) 功率放大器偏置电路。

【背景技术】
[0004] 功率放大器通常是可以放大输入信号以产生显著地大于所述输入信号的输出信 号的有源元件。存在许多类型的功率放大器以及存在许多制造功率放大器的方式。例如， 一些功率放大器可以利用异质结双极型晶体管（HBT)制造。
[0005] 许多HBT功率放大器利用二极管堆栈偏置配置。在一些这样的配置中，二极管堆 栈偏置配置表现出对器件0 (beta)的敏感性，这可能导致放大器的显著的静态电流变化。 此外，静态电流的变化可能影响性能参数并且可能使产品良率劣化。


【发明内容】

[0006] 根据一些实施例，本公开涉及用于偏置功率放大器的系统。所述系统可以包括第 一裸芯，所述第一裸芯包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的 电气性质的无源组件。此外，所述系统可以包括第二裸芯，所述第二裸芯包含偏置信号产生 电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测 量结果（measurement)产生偏置信号。
[0007] 在一些情况中，所述第一裸芯包括异质结双极型晶体管（HBT)裸芯，并且所述第 二裸芯包括硅裸芯。此外，所述无源组件可以包括由HBT裸芯的一部分形成的电阻器。此 夕卜，所述无源组件的电气性质可以包括电气电阻。
[0008] 对于一些实施例，所述电阻器由HBT裸芯的基极材料形成。此外，所述第一裸芯的 一个或多个状态可以包括所述HBT裸芯的温度。此外，所述电阻器可以具有与第一裸芯的 温度近似成比例的电阻值。在一些实施例中，所述一个或多个状态可以包括HBT裸芯的工 艺变化。可替换地或额外地，所述一个或多个状态可以包括与HBT裸芯相关联的0参数。
[0009] 此外，在一些情况中，所述偏置信号产生电路包括被配置为将参考电流提供到所 述电阻器的V-I电路。所述参考电流可以具有取决于所述电阻器的电阻的值。此外，在一 些情况中，所述V-I电路基于PTAT参考电压提供所述参考电流，所述PTAT参考电压基本上 独立于所述第一裸芯的一个或多个状态。此外，在一些情况中，所述V-I电路还被配置为基 于所述电阻器所吸收的参考电流产生所述偏置信号。
[0010] 这里所述的某些实施例涉及功率放大器模块。所述功率放大器模块可以包括被配 置为容纳多个组件的封装基板，此外，所述功率放大器模块可以包括安装在所述封装基板 上的第一裸芯。所述第一裸芯可以包括功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或 多个状态的电气性质的无源组件。此外，所述功率放大器可以包括安装在所述封装基板上 并且与所述第一裸芯互连的第二裸芯。所述第二裸芯可以包括偏置信号产生电路，所述偏 置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生 偏置信号。
[0011] 在一些实例中，所述第一裸芯包括安装在所述封装基板上的III-V半导体裸芯。 此外，所述第一裸芯可以包括具有在子集电极层之上的所选择的层的HBT。所述第一裸芯还 可以包括半导体电阻器，该半导体电阻器具有相对于所选择的层横向布置并且与所选择的 层电隔离的电阻层的半导体电阻器。所述电阻层和所选择的层可以由基本上相同的材料形 成。此外，所述无源组件可以包括所述半导体电阻器。
[0012] 在一些实施例中，所选择的层包括基极层。此外，在一些情况中，所选择的层包括 子集电极层。所述半导体电阻器还可以包括布置在所述电阻层上以产生所述半导体电阻器 的电阻值的电接触垫。在一些实例中，所述半导体电阻器连接到位于所述第一裸芯外部的 电路。此外，所述半导体电阻器可以被配置为对与所述HBT的所选择的层相关联的一个或 多个状态的改变敏感。
[0013] 这里所述的额外的实施例涉及无线装置。所述无线装置可以包括被配置为处理RF 信号的收发器。此外，所述无线装置可以包括与所述收发器通信的天线，所述天线被配置为 促成放大的RF信号的发送。此外，所述无线装置可以包括被布置在第一裸芯上并且连接到 所述收发器的功率放大器，并且所述功率放大器被配置为产生所述放大的RF信号。所述第 一裸芯可以包括具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件。此外，所 述无线装置可以包括被布置在第二裸芯上并且互连到所述功率放大器的偏置电路。所述偏 置电路可以被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生用于 所述功率放大器的偏置信号。
[0014] 这里所述的一些实施例涉及半导体裸芯。所述半导体裸芯可以包括被配置为容纳 多个组件的基板。此外，所述半导体裸芯可以包括被布置在基板上的异质结双极型晶体管 (HBT)。所述HBT可以包括由基极材料形成的基极。此外，所述半导体裸芯可以包括被布置 在所述基板上并由所述基极材料形成的电阻器。在一些实施例中，所述基极材料的电阻率 取决于HBT的至少一个状态。此外，所述半导体裸芯可以包括形成在电阻器上的电触点，使 得电触点之间的电阻基本上跟随HBT的所述至少一个状态。
[0015] 根据一些实施例，本公开涉及III-V半导体裸芯。所述III-V半导体裸芯可以包 括基板以及形成在所述基板上的HBT。此外，所述HBT可以包括在子集电极层之上的所选择 的层。此外，III-V半导体裸芯可以包括被布置在所述基板上方的半导体电阻器。所述半 导体电阻器可以包括相对于所选择的层横向布置并且与所选择的层电隔离的电阻层。所述 电阻层和所选择的层可以由基本上相同的材料形成。
[0016] 在一些情况中，所述基板包括GaAs。此外，所选择的层可以包括发射极层。此外， 所选择的层可以包括基极层。在一些情况中，所选择的层可以包括离子注入的基极层。
[0017] 在某些实施例中，所述半导体电阻器连接到所述HBT。此外，所述半导体电阻器可 以被配置成提供用于HBT的镇流电阻。在一些情况中，所述半导体电阻器连接到位于所述 裸芯外部的电路。此外，所述半导体电阻器可以被配置为对与所述HBT的所选择的层相关 联的一个或多个状态的改变敏感。
[0018] 对于一些情况，所述半导体电阻器还包括布置在所述电阻层上以产生所述半导体 电阻器的电阻值的电接触垫。在一些实例中，所选择的层和所述电阻层在相同的处理步骤 期间形成。此外，在一些情况中，在所选择的层和所述电阻层之下的层结构基本上相同。此 夕卜，在一些实施例中，所述裸芯基本上没有薄膜电阻器。
[0019] 这里所述的一些实施例涉及III-V半导体裸芯，所述III-V半导体裸芯可以包括 基板以及形成在所述基板上的堆栈结构。所述堆栈结构可以包括所选择的层。此外，所述m-v半导体裸芯可以包括被布置在所述基板上方的半导体电阻器。所述半导体电阻器可 以包括相对于所述堆栈结构横向布置并且与所述堆栈结构电隔离的电阻层。此外，所述电 阻层和所选择的层可以由基本上相同的材料形成。
[0020] 在一些实施例中，所述III-V半导体裸芯还包括被布置在所述电阻层上并被配置 用于所述半导体电阻器的外部连接的电接触垫。此外，所述堆栈结构可以包括HBT。在一些 情况中，所选择的层包括基极层。此外，在一些情况中，所选择的层包括子集电极层。
[0021] 这里所述的某些实施例涉及功率放大器模块。所述功率放大器模块可以包括被配 置为容纳多个组件的封装基板。此外，所述功率放大器模块可以包括安装在所述封装基板 上的rn-v半导体裸芯。在一些情况中，所述裸芯包括具有在子集电极层之上的所选择的 层的HBT。所述裸芯还可以包括半导体电阻器，所述半导体电阻器具有相对于所选择的层横 向布置并且与所选择的层电隔离的电阻层。此外，所述电阻层和所选择的层可以由基本上 相同的材料形成。
[0022] 这里所述的一些实施例涉及无线装置。所述无线装置可以包括被配置为处理RF 信号的收发器。此外，所述无线装置可以包括与所述收发器通信的天线，所述天线被配置为 促成放大的RF信号的发送。此外，所述无线装置可以包括被布置在III-V半导体裸芯上并 且连接到所述收发器的功率放大器，并且所述功率放大器被配置为产生所述放大的RF信 号。所述裸芯还可以包括具有在子集电极层之上的所选择的层的HBT。此外，所述裸芯可以 包括半导体电阻器，所述半导体电阻器具有相对于所选择的层横向布置并且与所选择的层 电隔离的电阻层。此外，所述电阻层和所选择的层可以由基本上相同的材料形成。

【专利附图】

【附图说明】
[0023] 贯穿附图，参考标号被重复使用以表示所指代的元件之间的对应性。附图被提供 以说明这里所述的发明主题的实施例而并非限制其范围。
[0024] 图1示出了包括形成在半导体裸芯上的集成电路（1C)的射频（RF)配置的实施 例。
[0025] 图2示出了 RF配置的实施例，其中图1的1C和与裸芯相关的组件形成在第一半 导体裸芯上，并且图1的偏置电路形成在第二半导体裸芯上。
[0026] 图3示出了图2所示的RF配置的另一实施例。
[0027] 图4示出了具有标准〃二极管堆栈〃偏置配置的线性HBT PA裸芯的实施例。
[0028] 图5示出了 HBT PA裸芯包括电阻器的RF配置的另一实施例，所述电阻器的电阻 Rb是与工艺相关的。
[0029] 图6显示了形成在不同的晶片（W2到W10)上的HBT裸芯的1/Rb值的示例曲线图。 [0030] 图7显示了形成在示例晶片W2-W10上的相同的HBT裸芯的0值的示例曲线图。
[0031] 图8显示了对于HBT PA的不同的功率输出设置（以dBM为单位），参考电阻（Rref) 相对于操作温度的示例曲线图。
[0032] 图9示出了可以产生补偿的控制信号的V-I电路的实施例。
[0033] 图10显示了对于不同的Vbatt设置（2. 9V、3. 4V、3. 9V、4. 4V)，来自V-I电路的测 量的输出电压相对于温度的示例图。
[0034] 图11A和11B显示了不补偿的PA示例的第一和第二级的静态电流相对于温度的 示例曲线图。
[0035] 图12A和12B显示了补偿的PA示例的第一和第二级的静态电流相对于温度的示 例曲线图。
[0036] 图13示出了在三个示例温度（_20°C、25°C、85°C )处，计算的增益（dB)相对于功 率输出（dBm)的示例图。
[0037] 图14示出了对于参考图12所述的变化的参数的不同组合，增益相对于功率输出 的示例图。
[0038] 图15示出了具有集成电路（1C)的半导体裸芯的实施例。
[0039] 图16示出了具有形成在半导体基板（例如，半绝缘GaAs)上的层的堆栈的HBT的 实施例。
[0040] 图17A-17G示出了可以利用与图16的示例HBT相关联的各种层形成的半导体电 阻器的实施例。图17A1-17G-1分别是图17A-17G的半导体电阻器的电气示意图。
[0041] 图18A和18B示出了可以具有与堆栈的所选择的层的厚度基本上相同的厚度"t"、 以及横向尺寸（lateral dimension) "dl"和"d2"的半导体电阻器的实施例。
[0042] 图18C示出了参考图18A和18B所述的半导体电阻器的实施例可以被表示为具有 电阻"R"的电阻器。
[0043] 图19示出了形成在裸芯上并且具有这里所述的一个或多个特征的半导体电阻器 的实施例，该半导体电阻器可以与在相同裸芯上的诸如晶体管（例如，HBT)的堆栈器件耦 接。
[0044] 图20A - 20C示出了图19的半导体电阻器和堆栈器件组合的配置的实施例。
[0045] 图21示出了当半导体电阻器形成在裸芯上时的实施例。
[0046] 图22A和22B示出了可以包括具有这里所述的一个或多个特征的偏置裸芯和PA 的封装的模块的实施例。
[0047] 图23示出了具有这里所述的一个或多个有利特征的无线装置的实施例。

【具体实施方式】
[0048] 这里所提供的标题（如果有）仅是为了方便，而不一定影响所要求保护的发明的 范围或含义。
[0049] 图1示出了射频（RF)配置100,其包括形成在半导体裸芯102上的集成电路 (IC) 104。可以通过位于裸芯102外部的偏置电路110促成IC 104的至少一部分的操作。 在如这里所述的一些实现方式中，裸芯102可以包括与裸芯相关的组件106,所述与裸芯相 关的组件106具有取决于与裸芯102相关联的一个或多个状态的一个或多个操作参数。将 更加详细地在这里描述这样的与裸芯相关的组件的非限制性示例。
[0050] 如图1进一步所示，与裸芯相关的组件106可以耦接到偏置电路110使得偏置电 路110可以至少部分根据与裸芯相关的组件106的状态而操作。因为与裸芯相关的组件 106的这样的状态代表裸芯102的状态，以前述方式操作偏置电路可以允许1C 104以改善 的方式操作。将更加详细地在这里描述这样的与裸芯相关的操作的各种示例。
[0051] 图2示出了在一些实现方式中，图1的1C 102和与裸芯相关的组件106可以形成 在第一半导体裸芯102上，并且偏置电路110 (图1的）可以形成在第二半导体裸芯120上。 将更加详细地在这里描述第一和第二裸芯102、120的种类的示例。
[0052] 图3示出了图2的两个分开的裸芯102、120的示例。第一裸芯102可以是基于异 质结双极型晶体管（HBT)工艺技术的裸芯130。如图3进一步所示，形成在这样的裸芯上的 1C可以包括功率放大器（PA)电路104。如图3进一步所示，与工艺相关的组件可以包括组 件 106〇
[0053] 图3进一步示出第二裸芯120可以是基于硅工艺技术的裸芯140。偏置电路110 被示出为形成在这样的裸芯上。尽管在这里在HBT和硅裸芯的上下文中描述各种示例，但 是应理解的是，本公开的一个或多个特征也可以应用到裸芯类型的其它组合中。还应理解 的是，尽管在PA操作以及这样的PA的偏置的上下文中描述，本公开的一个或多个特征也可 以应用于其它类型的1C和这样的1C的控制。
[0054] 在基于HBT的PA裸芯以及在分开的硅裸芯上的偏置电路的上下文中，用在许多线 性HBT功率放大器设计中的标准的"二极管堆栈"偏置配置通常表现出对器件0的敏感性， 导致放大器的显著的静态电流的变化。静态电流的变化可能影响诸如增益、线性和耗用电 流的性能参数。产品良率也可能因为这些参数的变化而劣化。
[0055] 处理这样的0敏感性的能力的缺乏或下降可以导致需要参考电路的增大的偏置 的操作配置，这通常增加产品的耗用电流。在一些情况中，更复杂的电路设计可以被应用于 二极管堆栈偏置手段（approach)，这通常增加电路面积和耗用电流。除了二极管堆栈拓扑 以外，可以使用替换偏置手段；然而，这些手段常常损害带宽、劣化噪声和/或需要外部无 源组件。
[0056] 图4示出了具有前述标准的"二极管堆栈"偏置配置的示例线性HBT PA裸芯10。 为了说明的目的，示例PA裸芯10被示出为包括两级12a、12b。应理解的是，级的数目可以 多于或少于2。第一级12a被示出为通过输入匹配电路16从RFIN节点14接收将被放大的 RF信号。第一级12a的输出被示出为通过级间电路18被传送到第二级12b，所述级间电路 18提供匹配和谐波终止。第二级12b的输出被示出为通过输出匹配和谐波终止电路20被 传送到RF0UT节点22。
[0057] 在图4所示出的示例中，每个PA级被示出为通过输入24从CMOS偏置电路（未示 出）接收DC偏置电流。偏置电流被示出为被提供给具有二极管堆栈的2xVbe二极管镜以 产生偏置信号。这样设计拓扑表明对工艺0的敏感性，所述对工艺0的敏感性可以导致 静态电流的增大的部件到部件变化，从而影响增益、效率和线性。
[0058] 在一些实现方式中，本公开涉及一种PA配置，该PA配置利用在放大器裸芯上的无 源器件，以有效地感测与裸芯相关的参数（诸如0)并补偿相关联的效应（诸如静态电流 的变化），从而提高性能和/或减少产品的部件到部件变化。在一些实施例中，这样的PA 配置可以包括硅偏置裸芯和HBT放大器裸芯。传统上，硅裸芯会产生用于PA裸芯的参考电 流，所述参考电流相对于PA裸芯的温度基本上恒定并且实质上仅因为分立电阻器的容差 变化。
[0059] 在本公开的一些实现方式中，这样的分立参考电阻器可以被在HBT裸芯上的集成 的电阻器替代。在一些实施例中，该集成的电阻器可以用HBT器件基极材料形成，并且可以 展现出跟随工艺0的薄层电阻（sheet resistance)特性。基于这样的电阻，参考电流可 以被配置为跟随0并消除或减小对0的"二极管堆栈"敏感性。
[0060] 在一些实施例中，前述基极电阻器（Rb)类型可以被配置为产生高温系数，所述高 温系数可以通过在硅控制裸芯中的偏置产生电路补偿，使得在参考电阻器上施加的电压随 着周围温度增加。提供给放大器的所得到的参考电流可以在周围温度的所选择的范围上基 本恒定并且基本上跟随HBT工艺0。
[0061] 图5示出了 HBT PA裸芯130包括电阻器106的示例配置100,所述电阻器106的电 阻Rb是与工艺相关的。这样的电阻器可以被用作用于产生用于两个示例PA级104a、104b 的偏置信号的参考电阻。应理解的是，与参考电阻以及基于这样的参考电阻的偏置信号的 产生相关联的一个或多个特征可以被应用于具有更多或更少数目的级的PA配置。
[0062] 在示例配置100中，参考电阻器106的一端被示出为连接到V-I电路144 ;并且另 一端被示出为连接到地。V-I电路144被描述为在硅裸芯140上，并且被示出为促成电流源 146a、146b为第一和第二级104a、104b提供偏置信号。如这里所述，可以针对HBT PA裸芯 130的一个或多个状态的变化而补偿这样的偏置信号。在这里更加详细地描述可以如何结 合与绝对温度成比例（PTAT)的电压参考142和参考电阻器106而配置和操作V-I电路144 的示例。
[0063] 图6-8示出了与参考电阻器106相关联的电阻（Rref，并且也被称为Rb)的测量结 果（measurement)如何可以检测|3参数和温度的变化。图6示出了形成在不同的晶片（W2 到W10)上的HBT裸芯的1/Rb值的图。图7示出了形成在示例晶片W2-W10上的相同的HBT 裸芯的e值的图。可以做出多个观察结果。人们可以在图7中看到在给定晶片中的0参 数中，可以有裸芯到裸芯的变化。在不同的晶片之间，也可以有0参数的显著的变化。类 似地，人们可以在图6中看到在1/Rb中，可以有显著的裸芯到裸芯和晶片到晶片的变化。
[0064] 根据经验，人们也可以在图6和7中看到1/Rb的晶片到晶片的值与M直相关。例 如，晶片W2到W5的平均0值的下降对应于相同晶片的平均1/Rb值的上升（hump)。当0 减小/增大时1/Rb的增大/减小的这种趋势贯穿晶片的示例样本而继续。
[0065] 尽管不期望或不意欲受到任何特定的理论限制，但是可以考虑与基极电阻Rb和 0参数相关联的一些理论。基极电阻Rb可以被表示为薄层电阻Rbsh，所述薄层电阻Rbsh继 而可以被表示为

【权利要求】
1. 一种用于偏置功率放大器的系统，所述系统包括： 第一裸芯，包含功率放大器电路以及具有取决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性 质的无源组件；以及 第二裸芯，包含偏置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第 一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生偏置信号。
2. 如权利要求1所述的系统，其中，所述第一裸芯包含异质结双极型晶体管（HBT)裸 芯，并且所述第二裸芯包含硅裸芯。
3. 如权利要求2所述的系统，其中，所述无源组件包含由HBT裸芯的一部分形成的电阻 器，并且所述电气性质包含电气电阻。
4. 如权利要求3所述的系统，其中，所述电阻器由HBT裸芯的基极材料形成。
5. 如权利要求4所述的系统，其中，所述一个或多个状态包含HBT裸芯的温度。
6. 如权利要求5所述的系统，其中，所述电阻器具有与第一裸芯的温度近似成比例的 电阻值。
7. 如权利要求4所述的系统，其中，所述一个或多个状态包含HBT裸芯的工艺变化。
8. 如权利要求4所述的系统，其中，所述一个或多个状态包含与HBT裸芯相关联的0 参数。
9. 如权利要求3所述的系统，其中，所述偏置信号产生电路包含被配置为将参考电流 提供到所述电阻器的V-I电路，所述参考电流具有取决于所述电阻器的电阻的值。
10. 如权利要求9所述的系统，其中，所述V-I电路基于PTAT参考电压提供所述参考电 流，所述PTAT参考电压基本上独立于所述第一裸芯的一个或多个状态。
11. 如权利要求9所述的系统，其中，所述V-I电路还被配置为基于所述电阻器所吸收 的参考电流产生所述偏置信号。
12. -种功率放大器模块，包括： 封装基板，被配置为容纳多个组件； 第一裸芯，被安装在所述封装基板上，所述第一裸芯包含功率放大器电路以及具有取 决于第一裸芯的一个或多个状态的电气性质的无源组件；以及 第二裸芯，被安装在所述封装基板上并且与所述第一裸芯互连，所述第二裸芯包含偏 置信号产生电路，所述偏置信号产生电路被配置为至少部分基于第一裸芯的无源组件的电 气性质的测量结果产生偏置信号。
13. 如权利要求12所述的功率放大器模块，其中，所述第一裸芯包含安装在所述封装 基板上的III-V半导体裸芯，所述第一裸芯包含在子集电极层之上具有所选择的层的HBT， 所述第一裸芯还包含半导体电阻器，所述半导体电阻器具有相对于所选择的层横向布置并 且与所选择的层电隔离的电阻层，所述电阻层和所选择的层由基本上相同的材料形成。
14. 如权利要求13所述的功率放大器模块，其中，所述无源组件包含所述半导体电阻 器。
15. 如权利要求13所述的功率放大器模块，其中，所选择的层包含基极层。
16. 如权利要求13所述的功率放大器模块，其中，所选择的层包含子集电极层。
17. 如权利要求13所述的功率放大器模块，其中，所述半导体电阻器还包含布置在所 述电阻层上以产生所述半导体电阻器的电阻值的电接触垫。
18. 如权利要求13所述的功率放大器模块，其中，所述半导体电阻器连接到位于所述 第一裸芯外部的电路。
19. 如权利要求13所述的功率放大器模块，其中，所述半导体电阻器被配置为对与所 述HBT的所选择的层相关联的一个或多个状态的改变敏感。
20. -种无线装置，包括： 收发器，被配置为处理RF信号； 天线，与所述收发器通信，所述天线被配置为促成放大的RF信号的发送； 功率放大器，被布置在第一裸芯上并且连接到所述收发器，并且所述功率放大器被配 置为产生所述放大的RF信号，所述第一裸芯包含具有取决于第一裸芯的一个或多个状态 的电气性质的无源组件；以及 偏置电路，被布置在第二裸芯上并且互连到所述功率放大器，所述偏置电路被配置为 至少部分基于第一裸芯的无源组件的电气性质的测量结果产生用于所述功率放大器的偏 置信号。
【文档编号】H03F1/30GK104508975SQ201380037566
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2013年6月13日 优先权日:2012年6月14日
【发明者】D.S.里普利, P.J.莱托拉, P.J.赞帕迪, H.邵, T.M.科, M.T.奥扎拉斯 申请人:天工方案公司