一种高速电平转换电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种高速电平转换电路。电平转换电路是数模混合电路常用的模块，本发明利用数字正反馈，在实现电平转换的同时，加速电平翻转速度，即实现了一种高速电平转换电路。
【专利说明】一种高速电平转换电路
【技术领域】
[0001]本发明主要涉及电平转换电路的设计领域，特指一种高速电平转换电路。
【背景技术】
[0002]对于数模混合信号电路，考虑到功耗、面积等因素，通常会设计多种电压域电路，不同电压域之间通信需要电平转换电路。对于高速数模混合系统，需要成百上千个电平转换电路，此电平转换电路除了完成基本的电压域转换之外，还有一个更重要的任务就是实现高速通信。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的问题就在于:针对现有技术存在的技术问题，提出一种高速电平转换电路。
[0004]本发明提出的解决方案为:利用数字正反馈，在实现电平转换的同时，加速电平翻转速度，即实现了一种高速电平转换电路。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]图1是本发明的电路原理示意图。
【具体实施方式】
[0006]以下将结合附图和具体实施对本发明做进一步详细说明。
[0007]如图1所示，VDDH是高电平，VDDL是低电平，Ml、M2、M3、M4组成高电压域电路，M5、M6、M8、M10、Mll与M7、M9、M12组成低电压域电路。MU M2, M3、M4组成两个反相器串联，作为输入信号IN的缓冲电路，M5 二极管连接，调节信号的占空比；M6、M7和M11、M12组成低电压域的缓冲电路；M8、M9、MlO组成数字正反馈电路，当输入为IN为低电平时，M6的栅极为低电平，输出OUT为低电平，由于增加了数字正反馈电路，M8栅极为高电平，MlO的栅极为低电平，MlO导通，使得M2栅极快速充电到高电平，及加速OUT的翻转，从而提高整个电平转换的速度。
[0008]综上所述，本电路利用数字正反馈，在实现电平转换的同时，加速电平翻转速度，即实现了一种高速电平转换电路。
【权利要求】
1.一种高速电平转换电路，其特征在于: PMOS管M1、M3与NMOS管M2、M4组成两个串联的反向器，VDDH为高电平，IN为高电压域输入信号，连接到Ml和M2栅极，Ml、M2的漏极连接到M3和M4的栅极，Ml、M3的源极接VDDH，M2、M4 的源极接 GND ;PMOS 管 M5、M6、M8、M10、M11 与 NMOS 管 M7、M9、M12 组成低电压域电路，VDDL为低电平，M5、M8、M10、Mil的源极接VDDL，M7、M9、M12的源极接GND，M5栅极、漏极连接到M6的源极，M6、M7的漏极连接到M8、M9、Mil、M12的栅极以及M10的漏极，M6、M7的栅极连接到M3、M4的漏极；M8、M9的漏极连接到M10的栅极，M11、M12漏极即输出信号OUT。
【文档编号】H03K19/0175GK104506180SQ201410757761
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月12日 优先权日:2014年12月12日
【发明者】蒋仁杰 申请人:长沙景嘉微电子股份有限公司