压电性氧化物单晶基板的制作方法

文档序号:12289575阅读:来源:国知局
技术总结
本发明的目的在于提供一种翘曲小,无破裂、损伤,温度特性良好的用于表面声波元件等的压电性氧化物单晶基板。本发明是具有基板表面和基板内部的Li浓度不同的浓度分布曲线的压电性氧化物单晶基板,具体地说,具有在基板的厚度方向上越靠近基板表面则Li浓度越高,越靠近基板的厚度方向的中心部则Li浓度越减小的浓度分布曲线。另外,在本发明的压电性氧化物单晶基板中,从基板表面到Li浓度开始减小为止的范围或者到Li浓度结束增大为止的范围为伪化学计量组成,基板的厚度方向的中心部为大致同成分组成。

技术研发人员:丹野雅行;阿部淳;桑原由则
受保护的技术使用者:信越化学工业株式会社
文档号码:201580024395
技术研发日:2015.04.30
技术公布日:2017.02.22

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