高效率半交叉耦合去耦电容器的制作方法

技术特征：

1.一种去耦电容器电路，包括：

第一p沟道场效应晶体管(PFET)；

第一n沟道场效应晶体管(NFET)；以及

至少一个电容器件，

其中

所述第一PFET的第一PFET源极和第一PFET主体连接到电压源，

所述第一NFET的第一NFET源极和第一NFET主体接地，

所述至少一个电容器件连接到所述第一PFET的第一PFET栅极或所述第一NFET的第一NFET栅极中的至少一个，并且

所述至少一个电容器件的包含使得在不改变所述去耦电容器电路的频率响应的情况下增加了所述去耦电容器电路的面积效率。

2.根据权利要求1所述的去耦电容器电路，其中，

所述第一PFET的第一PFET漏极连接到所述第一NFET的第一NFET栅极，以及

所述第一NFET的第一NFET漏极连接到所述第一PFET的第一PFET栅极。

3.根据权利要求2所述的去耦电容器电路，其中，

所述至少一个电容器件包括第二PFET，

所述第二PFET的第二PFET漏极、第二PFET源极和第二PFET主体连接到所述电压源，以及

所述第二PFET的第二PFET栅极连接到所述第一PFET的第一PFET栅极。

4.根据权利要求2所述的去耦电容器电路，其中，

所述至少一个电容器件包括第二NFET，

所述第二NFET的第二NFET漏极、第二NFET源极和第二NFET主体接地，以及

所述第二NFET的第二NFET栅极连接到所述第一NFET的第一NFET栅极。

5.一种抑制电源噪声的方法，包括：

将第一p沟道场效应晶体管(PFET)的第一源极和第一主体连接到电压源；

将n沟道场效应晶体管(NFET)的第二源极和第二主体接地；

将所述第一PFET的第一漏极连接到所述NFET的第一栅极；

将所述NFET的第二漏极连接到所述第一PFET的第二栅极；

将第二PFET的第三漏极、第三源极和第三主体连接到所述电压源；以及

将所述第二PFET的第三栅极连接到所述第一PFET的第二栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述NFET包括第一NFET，并且所述方法还包括：

将第二NFET的第四漏极、第四源极和第四主体接地；以及

将所述第二NFET的第四栅极连接到所述第一NFET的第一栅极。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，将所述第一PFET的第一源极和第一主体连接到所述电压源包括连接到配电网络的电压源。

8.一种抑制电源噪声的系统，包括：

第一p沟道场效应晶体管(PFET)，其中，所述第一PFET的第一PFET源极和第一PFET主体连接到电压源；

第一n沟道场效应晶体管(NFET)，其中，所述第一NFET的第一NFET源极和第一NFET主体接地；以及

第二NFET，

其中

所述第一PFET的第一PFET漏极连接到所述第一NFET的第一NFET栅极，

所述第一NFET的第一NFET漏极连接到所述PFET的第一PFET栅极，

所述第二NFET的第二NFET漏极、第二NFET源极和第二NFET主体接地，以及

所述第二NFET的第二NFET栅极连接到所述第一NFET的第一NFET栅极。

9.根据权利要求8所述的系统，还包括第二PFET，其中，

所述第二PFET的第二PFET漏极、第二PFET源极和第二PFET主体连接到所述电压源，以及

所述第二PFET的第二PFET栅极连接到所述第一PFET的第一PFET栅极。

10.根据权利要求8所述的系统，其中，

所述第二NFET的包含使得在不增加所述第一PFET和所述第一NFET的沟道长度的情况下增加了所述系统的面积效率，以及

所述电压源是超大规模集成电路(VLSI)系统的配电网络的电压源。