技术总结
去耦电容器电路设计在不牺牲面积效率的情况下促进了高工作频率。为了解除高工作频率和面积效率的有时相反的设计标准，以半交叉耦合(HCC)的方式来连接p沟道场效应晶体管(PFET)和n沟道场效应晶体管。然后由至少一个面积有效电容(AEC)器件来补充HCC电路。半交叉耦合晶体管满足了高频设计要求，同时AEC器件满足了高面积效率要求。该设计消除了一些常规的DCAP设计中工作频率和面积效率之间固有的不期望的折中。
技术研发人员：阿尔佛雷德·杨;罗恩·科汉
受保护的技术使用者：安培计算有限责任公司
技术研发日：2015.07.30
技术公布日：2018.06.08