1.一种多层线路的制作方法，包括：
提供一基材；
于该基材上形成线路层，包括：
于该基材上形成图案化胶体层，其中该图案化胶体层包括60wt％～90wt％的高分子材料与10wt％～40wt％的第一触发子；
活化该第一触发子；以及
通过一化学镀液与活化的该第一触发子反应，以在该图案化胶体层的表面成长导电层；以及
形成导电通孔，包括：
于该基材与该导电层上形成绝缘胶体层，其中该绝缘胶体层包括绝缘胶体与第二触发子，该第二触发子占该绝缘胶体层的比例为0.1wt％～10wt％之间；
利用雷射于该绝缘胶体层中形成至少一开口，暴露该导电层并活化部分该第二触发子；以及
通过被活化的该第二触发子进行无电镀，以于该开口内形成该导电通孔。
2.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该图案化胶体层的表面张力小于等于45mN/m。
3.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中形成该图案化胶体层的方法包括凹版转印、网版印刷、柔版印刷、凸版转印或喷印。
4.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该图案化胶体层的线宽小于等于30微米。
5.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该图案化胶体层的厚度小于等于3微米。
6.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该高分子材料包括压克力系、环氧树脂、酚类树脂或其混合物。
7.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该第一触发子包括离子化合物、金属粒子或其混合物。
8.如权利要求7所述的多层线路的制作方法，其中该金属粒子包括铜粒子、银粒子或钯粒子。
9.如权利要求7所述的多层线路的制作方法，其中该金属粒子包括纳米金属粒子。
10.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该第二触发子包括有机金属化合物、离子化合物、金属螯合物、或能隙大于等于3电子伏特的半导体材料。
11.如权利要求7或10所述的多层线路的制作方法，其中该离子化合物包括CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、Cu(OAc)2、AgCl、AgNO3、Ag2SO4、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl2、Pd(NO3)2、PdSO4、Pd(OAc)2、FeCl2、Fe(NO3)2、FeSO4或[Fe3O(OAc)6(H2O)3]OAc。
12.如权利要求10所述的多层线路的制作方法，其中该半导体材料是选自由氮化镓、硫化锌、碳化硅、氧化锌、二氧化钛、氮化铝镓、氮化铝、氧化铝、氮化硼、氮化硅及二氧化硅所组成的集合中的一种或其组合。
13.如权利要求10所述的多层线路的制作方法，其中该有机金属化合物的结构为R-M-R’或R-M-X，其中R与R’各自独立为烷基、芳香烃、环烷、卤烷、杂环或羧酸；M是选自由银、钯、铜、金、锡、铝、镍及铁中的一种或其所组成的集合；X为卤素化合物或胺类。
14.如权利要求13所述的多层线路的制作方法，其中该有机金属化合物的该结构中的R与R’中至少一个的碳数≥3。
15.如权利要求10所述的多层线路的制作方法，其中该金属螯合物是由一螯合剂螯合一金属所组成，该螯合剂为吡咯烷二硫代氨基甲酸铵、乙二胺四乙酸、N，N’-双(羧基甲基)甘氨酸氨三乙酸或二乙烯三胺五乙酸。
16.如权利要求15所述的多层线路的制作方法，其中该金属选自由银、钯、铜、金、锡、铝、镍及铁中的一种或其所组成的集合。
17.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该绝缘胶体包括聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪、环烯烃共聚物、液晶高分子聚合物或环氧树脂。
18.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中活化该第一触发子的方法包括照射UV光、加热制程或等离子制程。
19.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中形成该绝缘胶体层的方法包括涂布、喷涂或刮涂。
20.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，其中该雷射的波长介于200nm-1100nm。
21.如权利要求1所述的多层线路的制作方法，更包括重复形成该线路层以及形成该导电通孔的步骤。
22.一种多层线路结构，包括：
基材；
线路层，位于该基材上，该线路层由图案化胶体层与导电层构成，该图案化胶体层与该导电层之间具有一界面，其中该图案化胶体层包括60wt％～90wt％的高分子材料与10wt％～40wt％的第一触发子；
绝缘胶体层，覆盖该基材与该线路层，其中该绝缘胶体层具有绝缘胶体与第二触发子，该第二触发子占该绝缘胶体层的比例为0.1wt％～10wt％之间；以及
至少一导电通孔，形成于该绝缘胶体层中并与该导电层电性连接。
23.如权利要求22所述的多层线路结构，其中该图案化胶体层的线宽小于等于30微米。
24.如权利要求22所述的多层线路结构，其中该图案化胶体层的厚度小于等于3微米。
25.如权利要求22所述的多层线路结构，其中该界面实质上平行于该基材的表面。
26.如权利要求22所述的多层线路结构，其中该高分子材料包括压克力系、环氧树脂、酚类树脂或其混合物。
27.如权利要求22所述的多层线路结构，其中该绝缘胶体包括聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪、环烯烃共聚物、液晶高分子聚合物或环氧树脂。
28.如权利要求22所述的多层线路结构，其中该该第一触发子包括离子化合物、金属粒子或其混合物。
29.如权利要求28所述的多层线路结构，其中该金属粒子包括铜粒子、银粒子或钯粒子。
30.如权利要求28所述的多层线路结构，其中该金属粒子包括纳米金属粒子。
31.如权利要求22所述的多层线路结构，其中该第二触发子包括有机金属化合物、离子化合物、金属螯合物、或能隙大于等于3电子伏特的半导体材料。
32.如权利要求28或31所述的多层线路结构，其中该离子化合物包括CuCl2、Cu(NO3)2、CuSO4、Cu(OAc)2、AgCl、AgNO3、Ag2SO4、Ag(OAc)、Pd(OAc)、PdCl2、Pd(NO3)2、PdSO4、Pd(OAc)2、FeCl2、Fe(NO3)2、FeSO4或[Fe3O(OAc)6(H2O)3]OAc。
33.如权利要求31所述的多层线路结构，其中该半导体材料是选自由氮化镓、硫化锌、碳化硅、氧化锌、二氧化钛、氮化铝镓、氮化铝、氧化铝、氮化硼、氮化硅及二氧化硅所组成的集合中的一种或其组合。
34.如权利要求31所述的多层线路结构，其中该有机金属化合物的结构为R-M-R’或R-M-X，其中R与R’各自独立为烷基、芳香烃、环烷、卤烷、杂环或羧酸；M是选自由银、钯、铜、金、锡、铝、镍及铁中的一种或其所组成的集合；X为卤素化合物或胺类。
35.如权利要求34所述的多层线路结构，其中该有机金属化合物的该结构中的R与R’中至少一个的碳数≥3。
36.如权利要求31所述的多层线路结构，其中该金属螯合物是由一螯合剂螯合一金属所组成，该螯合剂为吡咯烷二硫代氨基甲酸铵、乙二胺四乙酸、N，N’-双(羧基甲基)甘氨酸氨三乙酸或二乙烯三胺五乙酸。
37.如权利要求36所述的多层线路结构，其中该金属选自由银、钯、铜、金、锡、铝、镍及铁中的一种或其所组成的集合。