技术总结
本申请公开了一种射频功率放大器版图及射频功率放大器，其中，所述放大器版图中的第零层导电层用于连接所述第二晶体管的栅极作为所述射频功率放大器的第二引出端并作为第一电容的第一极板；所述第一层导电层用于连接所述第一晶体管的源极，通过所述晶圆背孔连接到所述晶圆背离所述第零层导电层一侧的接地金属层，并作为第一电容的第二极板；所述第二层导电层用于连接第二晶体管的漏极，并引出作为所述射频功率放大器的信号输出端。通过上述版图结构可以发现，由于所述第一电容的第一极板和第二极板与所述第二层导电层并不处于同一层，因此按所述放大器版图设置的所述射频功率放大器所用晶圆的面积较小，进而使得所述射频功率放大器的成本较低。
技术研发人员：刘磊;黄清华;刘海玲;陈高鹏;
受保护的技术使用者：宜确半导体（苏州）有限公司;
文档号码：201610076293
技术研发日：2016.02.03
技术公布日：2016.07.06