RF放大器的制作方法

本发明涉及RF放大器。

背景技术：

低噪声放大器LNA和可变增益放大器VGA可用于基站中。中等功率放大器MPA和功率放大器PA也可用于基站中，例如用于小型小区基站的PA。这些放大器可用于接收和发射RF阵式中，且可级联。因此，在过载条件下，这些放大器的输出处的最大RF饱和功率Psat也可(临时)存在于输入处。RF放大器应能够在400到4000MHz范围内的RF频率下处理这些高(例如大于20dBm(100mW))输入功率。

技术实现要素：

根据本发明的第一方面，提供一种RF放大器，所述RF放大器包括：

输入晶体管，该输入晶体管具有输入晶体管基极端子、输入晶体管集电极端子和输入晶体管发射极端子；

简并组件，该简并组件连接在输入晶体管发射极端子与接地端子之间；以及

保护晶体管，该保护晶体管具有保护晶体管基极端子、保护晶体管集电极端子和保护晶体管发射极端子；

其中输入晶体管基极端子连接到保护晶体管发射极端子，且保护晶体管基极端子连接到输入晶体管发射极。

这种RF放大器可有利地提供针对大RF输入功率的良好稳健性，同时保持良好RF性能。

在一个或多个实施例中，保护晶体管的发射极区域小于输入晶体管的发射极区域的40％。

在一个或多个实施例中，简并组件包括简并电感。

在一个或多个实施例中，保护晶体管的基极-发射极结直接跨越输入晶体管的基极-发射极结连接。

在一个或多个实施例中，RF放大器另外包括串联晶体管。串联晶体管可具有串联晶体管基极端子、串联晶体管集电极端子和串联晶体管发射极端子。串联晶体管发射极端子可连接到输入晶体管的输入晶体管集电极端子。串联晶体管基极端子可连接到偏置电路。串联晶体管集电极端子可连接到RF输出端子。

在一个或多个实施例中，RF放大器可另外包括ESD保护电路。ESD保护电路可包括一个或多个第一ESD保护二极管，该一个或多个第一ESD保护二极管在第一极性中串联连接在RF输出端子与接地端子之间。一个或多个第一ESD保护二极管的串联电路可具有连接到RF输出端子的阴极端子，和连接到接地端子的阳极端子。

在一个或多个实施例中，ESD保护电路包括一个或多个第二ESD保护二极管，该一个或多个第二ESD保护二极管在与第一极性相反的第二极性中与ESD箝位电路串联连接在RF输出端子与接地端子之间。一个或多个第二ESD保护二极管的串联电路可具有直接或间接连接到RF输出端子的阳极端子，和直接或间接连接到接地端子或连接到ESD箝位电路的阴极端子。

在一个或多个实施例中，RF放大器可另外包括电流传感器电路，该电流传感器电路被配置成将穿过输入晶体管的电流电平与一个或多个阈值电平比较，且提供表示比较的结果的输出信号。电流传感器电路可包括感测电阻器，该感测电阻器被配置成在与流动穿过输入晶体管的电流电平相对应的电平下传导电流。

在一个或多个实施例中，电流传感器电路包括感测晶体管，该感测晶体管具有感测晶体管基极端子、感测晶体管集电极端子和感测晶体管发射极端子。感测晶体管发射极端子可连接到输入晶体管集电极端子。感测晶体管集电极端子可连接到感测电阻器的端子。感测晶体管基极端子可连接到偏置电路。

可提供一种包括本文中所公开的任何RF放大器的集成电路。

可提供一种集成电路，所述集成电路包括：

从第一信号输入端子到第一信号输出端子的第一信号通道，其中该第一信号通道包括低噪声放大器，该低噪声放大器包括本文中所公开的任何RF放大器；以及

从第二信号输入端子到第二信号输出端子的第二信号通道，其中该第二信号通道包括低噪声放大器，该低噪声放大器包括本文中所公开的任何RF放大器；

其中该集成电路提供为倒装芯片。

虽然本发明容许各种修改和替代形式，但其细节已经借助于实例在图式中示出且将详细地描述。然而，应理解，超出所描述的特定实施例的其它实施例也是可能的。也涵盖落在所附权利要求书的精神和范围内的所有修改、等效物和替代实施例。

以上论述并不意图呈现当前或将来权利要求集的范围内的每一个实例实施例或每一个实施方案。以下图式和具体实施方式还例示了各种实例实施例。结合附图考虑以下具体实施方式可以更全面地理解各种实例实施例。

附图说明

现将参看附图仅借助于实例描述一个或多个实施例，在附图中：

图1示出具有静电放电(ESD)保护的RF放大器；

图2示出RF放大器的实例实施例；

图3a到3d示出RF放大器的替代实例实施例；

图4示出垂直轴上的hFE降级、水平轴上的输入功率的曲线；

图5示出图3a的RF放大器的传输线脉冲(TLP)表征；

图6示出可包括本文中所公开的RF放大器中的一个或多个的集成电路的实例实施例；

图7示出也提供ESD保护的RF放大器的另一实例实施例；

图8示出具有电流传感器电路的RF放大器的实例实施例；以及

图9示出具有电流传感器电路的RF放大器的另一实例实施例。

具体实施方式

低噪声放大器LNA和可变增益放大器VGA可用于基站中。中等功率放大器MPA和功率放大器PA也可用于基站中，例如用于小型小区基站的PA。这些放大器可用于接收和发射RF阵式中，且可级联。因此，在过载条件下，这些放大器的输出处的最大RF饱和功率Psat也可(临时)存在于输入处。RF放大器应能够在400到4000MHz范围内的RF频率下处理这些高(例如大于20dBm(100mW))输入功率。

图1示出具有静电放电(ESD)保护的RF放大器100或类似产品。在一些实例中，RF放大器100可包括此项技术中已知的但图1中未示出的额外组件，例如匹配电路、偏置电路和稳定性电路。RF放大器100包括输入晶体管102，该输入晶体管102出于输入匹配或凭借串联反馈改进线性的原因可电阻式(宽带放大器)或电感式(窄带放大器)简并在发射极中。

RF放大器100还包括ESD二极管104和简并组件，该简并组件在此实例中为简并电感106。ESD二极管104的阳极连接到接地端子108，且ESD二极管104的阴极连接到输入晶体管102的基极端子。简并电感106连接在输入晶体管102的发射极端子与接地端子108之间。

在大于20dBm(其等于100mW)的输入功率Pin下，将存在超过约3V(假定50Ω系统)的峰值电压。原则上，这将增加输入晶体管102的基极-发射极电压的DC偏压电平。基极-发射极电压在接通状态中可为约0.7-0.8V，且在断开状态中为约0V。此大Pin的正向峰值可由输入晶体管102的(极其)稳健的前向基极-发射极二极管操作安全地吸收。因此，前向基极-发射极电压应不超出约1V。

在检查图1中的电路后，可能期望ESD二极管104将限制负向峰值并保护输入晶体管102的基极-发射极以实现逆向电压。然而，可能情况并非如此，因为：

●ESD二极管104可能不够快(以遵循RF放大器可能必需的GHz频率)；以及

●ESD二极管104并不直接跨越输入晶体管102的基极-发射极连接(因为简并电感106连接在输入晶体管102的发射极端子与接地端子108之间)。

就ESD保护而言，图1的RF放大器(当恰当地设定尺寸时)可为ESD顺应＞＞2kV HBM(人体模型)。正脉冲/zap可由输入晶体管102处置。负脉冲/zap可由ESD二极管104处置。

图2示出RF放大器200的实例实施例。RF放大器200包括输入晶体管202，该输入晶体管202具有输入晶体管基极端子、输入晶体管集电极端子和输入晶体管发射极端子。RF放大器200还包括连接在输入晶体管发射极端子与接地端子208之间的简并电感206。简并电感206为简并组件的实例，在其它实例中简并组件可包括简并电阻。

输入晶体管基极端子连接到RF输入端子210。输入晶体管集电极端子连接到RF输出端子212。应了解，在一些实例中，RF输出端子212不是包括RF放大器200的集成电路的外部端子。下文参看图7更详细描述此类实例。

图2的RF放大器200包括保护晶体管204，该保护晶体管204具有保护晶体管基极端子、保护晶体管集电极端子和保护晶体管发射极端子。输入晶体管基极端子连接到保护晶体管发射极端子，且保护晶体管基极端子连接到输入晶体管发射极。在此实例中，保护晶体管集电极端子连接到RF输出端子212，但其可连接到任何任意节点，或甚至保持为断路。

如下文将论述，以此方式将保护晶体管204连接到输入晶体管202改进了RF放大器200的输入稳健性，尤其针对大RF输入功率。稳健性改进能够形成在装置的寿命期间改进的可靠性。并且，在本文中所公开的一些实例中，可连同必需的ESD顺应性一起实现改进的稳健性。

出人意料地，已发现使用与输入晶体管202相同类型(但不必相同大小)的保护晶体管204能够在输入稳健性方面提供特别好的结果。也就是说，用于提供快速保护的二极管(保护晶体管204的基极-发射极结)与应被保护的二极管(输入晶体管202的基极-发射极结)相同。当背靠背连接时(如图2中)，基极-发射极结的顽固的前向特性对弱逆向特性施加影响，从而形成其中正向和负向Pin均可被箝位到约1V的安全电压的情形。以此方式，保护晶体管204的基极-发射极结直接跨越输入晶体管的基极-发射极结连接。

为使对RF性能参数的不利影响最小，保护晶体管装置204(就发射极区域Ae而言)可比输入晶体管202的小。针对图2的实例，已发现，将输入晶体管202和相对较小保护晶体管204背靠背连接可实现良好输入稳健性，并且还满足ESD要求。如从下文的描述将了解，保护晶体管204的发射极区域可小于输入晶体管202的发射极区域的40％、30％、25％或20％，而不对RF放大器200的RF性能具有显著影响。

本文献中所公开的实例中的一个或多个可非常适于SiGe技术，例如NXP的所确立的Qubic技术。此SiGe技术可用于提供极小晶体管，例如具有0.3um²的发射极区域的晶体管。在Qubic4Xi平台中，超βHBT可具有约1.5V的BVebo值(基极-发射极结的反向击穿电压，表示逆向稳健性)，下限为1V。这与一些GaAs装置的大于7V的值形成对比。因此，利用SiGe装置的本文中所公开的RF放大器中的一个或多个可尤其得益于输入稳健性的改进，因为此类RF放大器中的输入晶体管可被认为具有弱逆向稳健性(BVebo)。

保护晶体管204可提供快速保护二极管的功能性，且可实施为晶体管，甚至具有弱逆向稳健性的晶体管。在其它实例中，肖特基二极管可用作保护装置，代替保护晶体管204的基极-发射极连接。肖特基二极管可为有利的，因为它可存储与保护晶体管204相比更少的电荷。

图2的RF放大器200能够为输入晶体管202的接通状态和断开状态两者提供保护，并且还由于RF输入端子210处的大摆幅的负部分的快速箝位而提供保护。

图2的RF放大器可为ESD顺应＞＞2kV HBM。正脉冲/zap可再次由输入晶体管202处置。负脉冲/zap可由保护晶体管204处置。因此，可不需要单独ESD二极管。下文参看图5论述此ESD顺应性。

图3a到3d示出RF放大器的替代实例实施例。将不必参看图3a到3d描述已经参看图2描述过的特征。

在图3a中，保护晶体管集电极端子连接到接地端子308a。

在图3b中，保护晶体管集电极端子连接到输入晶体管发射极端子与简并电感306b之间的节点。以此方式，保护晶体管集电极端子也连接到保护晶体管基极端子。

在图3c中，保护晶体管集电极端子连接到RF输入端子310a，RF输入端子310a还连接到输入晶体管基极端子和保护晶体管发射极端子。

在图3d中，保护晶体管集电极端子保持断开/浮动。

图3a到3d中每个图的RF放大器的共同之处是输入晶体管和保护晶体管的基极-发射极结的背靠背连接。图3b和3c的RF放大器还可提供闩锁灵敏度方面的优点。图3c的RF放大器还可有利地对噪声指数仅具有小的负面影响。从图3a到3d应了解，保护晶体管的集极可连接到任何任意节点，或甚至如图3d中保持为断开。

本文中所公开的RF放大器中的一个或多个可在SiGe技术中实施。在此技术中，在逆向发射极-基极偏压的情况下，热载流子可导致发射极周界处的界面状态。该界面状态可引起对基极电流Ib的非理想贡献，基极电流Ib预期与发射极周界Pe成比例。集极电流Ic与发射极区域Ae成比例。因此，如果存在热载流子，我们将预期晶体管(NPNβ或hFE)的增益减小，因为Ib增加而Ic保持大体恒定。由于热载流子，NPN晶体管寿命被限定为10％β(hFE)降级的时间。在一些实例中，最大所允许NPN逆向发射极-基极电压为1.5V。

已发现，图2和3a到3d的RF放大器提供针对逆向发射极-基极降级的解决方案。这也已通过应用类测量得到验证，如下文参看图4所论述。

图4示出垂直轴上的hFE降级和水平轴上以dBm计的Pin(输入功率)的曲线。图4中的曲线示出在偏压接通和断开的情况下的hFE降级。hFE等于输入晶体管的电流增益Ic/Ib。当在每一个自然数的Pin(0、1、2…29、30dBm)下对输入晶体管加压持续(仅)60秒且在两个自然数的Pin之间在进行测量时示出hFE的降级。在1.95GHz的频率和25℃的温度下进行操作。

图4以第一曲线测量值示出针对根据图1的电路的产品。从图4的第一曲线可见，在约Pin＝25dBm处，逆向发射极-基极降级很大程度上波动，且hFE降级急剧下降。

图4以第二和第三测量值403、405示出针对根据图3a的电路的两个产品。第二曲线403与在加压期间偏置电路接通的情况下的操作有关。第三曲线405与在加压期间偏置电路断开的情况下的操作有关。从图4中的这些曲线可见，在Pin＝24dBm＝250mW处，保护晶体管开始有助于输入稳健性，因为hFE降级水平停止如此快速地下降，且随后开始提高。这与如第一曲线401所示的图1的电路的操作形成对比，对于第一曲线401，hFE降级在大于25dBm的Pin电平下急剧下降。并且，在加压期间偏置电路接通的情况下的操作(第二曲线403)比在加压期间偏置电路断开的情况下的操作(第三曲线405)产生略为改善的hFE性能。

用于提供图4的结果的电路包括：

具有90um²的发射极区域(Ae)的输入晶体管；以及

具有33um²的发射极区域(Ae)的保护晶体管。

这些组件预期提供与大容限(例如约4.6kV处的预期故障电平)的2kV HBM ESD顺应性。在此实例中的保护晶体管的发射极区域为输入晶体管的发射极区域的约37％。从图4可见，在此实例中的组件的尺寸并不对RF性能具有显著负面影响。

图5示出用作低噪声放大器(LNA)的图3a的RF放大器的传输线脉冲(TLP)表征。在垂直轴上示出电流，且在水平轴上示出电压。如上文所指出，图2的RF放大器可为ESD顺应的。针对图3a的RF放大器，此顺应性由图5中示出的TLP测量值得到验证。

图5中的第一曲线511示出针对正ESD脉冲(RFin/GND(exdp)pos)的结果。接通电压(Von)为约0.8V。在此实例中，LNA输入晶体管(图3a中的Q1)为NPN晶体管。图5示出正ESD脉冲的故障电流电平为约8A，其对应于大于8kV HBM的稳健性。

图5中的第二曲线513示出针对负ESD脉冲(RFin/GND(exdp)neg)的结果。接通电压为约0.8V。在此实例中，保护晶体管(图3a中的Q2)的基极-发射极结为HBT PA型，这只是可使用的一个实例布局类型。从图5可见，负ESD脉冲的故障电流电平为约2.3A，其对应于大于4kV HBM的稳健性。

1A的TLP电流值(图5中的垂直轴上)约等效于2kV HBM的ESD保护。对应于1ATLP电流的测得的箝位电压在图5中为2.5V，且因此ESD功率电平为2.5W。如上文参看图4所论述，保护晶体管在约250mW的功率电平下开始有助于输入稳健性。稳健性功率电平(250mW)与必需ESD功率电平(2.5W)之间的这种区别是为何相对较小保护晶体管装置可用于改进输入稳健性的物理基础，相对较小保护晶体管装置可用于改进输入稳健性是指有可能利用保护装置仅针对大RF输入功率而非针对ESD顺应性保护RF放大器。在利用此特征的那些情况下，在RF输入处可存在处置ESD脉冲的单独的ESD装置(类似于如图1所示的二极管)。

本文中所公开的电路中的一个或多个可用于成本效益和稳健性重要的RF应用中，包括蜂窝式基站中的应用。在这些应用中，服务质量会很重要，因为15-20年连续(24小时/天，7天/周)操作会需要良好可靠性。

图6示出可包括本文中所公开的RF放大器中的一个或多个的集成电路(IC)620。在IC电平下，本文中所公开的RF放大器可用于作为高度集成基站产品(例如图6的IC)的一部分的LNA中。

IC 620具有穿过该IC 620的两个信号通道：从第一信号输入端子(RFIN_M)622到第一信号输出端子(LNA2OUT_M)624的第一/主信号通道；以及从第二信号输入端子(RFIN_D)626到第二信号输出端子(LNA2OUT_D)628的第二/分集信号通道。图6的两个通道(主_M和分集_D)具有良好隔离，在此实例中通过在倒装芯片封装技术中实施IC620(具有到层压体的导电/铜柱)来提供该良好隔离。使用这些相对较短长度的导电柱可提供比可用于其它技术中的相对较长长度的接合线更好的隔离。在一些实例中，还可在两个通道(主_M和分集_D)之间使用深沟槽隔离(DTI)。

第一信号输入端子(RFIN_M)622和第二信号输入端子(RFIN_D)626是IC 620的外部端子，且可连接到相应RF天线或之前的RF组件(比如双工滤波器或RF开关)。第一信号输出端子(LNA2OUT_M)624和第二信号输出端子(LNA2OUT_D)628也是IC 620的外部端子，且可连接到相应混频器，用于例如将处理后的信号下转换到基带。

IC 620的主块是四个LNA 628、630、632、634；两个DSA(数字步进衰减器)636、638；一个SPDT(单刀双掷)RF开关640；以及用于控制和通信的串行外围接口(SPI)642。

在第一信号通道中处理所接收的RF信号的IC 620的组件为：

●第一输入LNA(LNA1_M)628，该第一输入LNA(LNA1_M)628具有连接到第一信号输入端子(RFIN_M)622的输入端子和连接到第一输入LNA输出端子(LNA1OUT_M)的输出端子，是IC 620的外部引脚/端子。

●第一DSA 636，该第一DSA 636具有连接到第一DSA输入端子(DSAIN_M)的输入端子和连接到第一输出LNA 630的输入端子的输出端子。第一DSA输入端子(DSAIN_M)为IC 620的外部引脚/端子。在使用中，外部滤波器电路可连接在第一输入LNA输出端子(LNA1OUT_M)与第一DSA输入端子(DSAIN_M)之间。

●第一输出LNA 630，该第一输出LNA 630具有连接到第一DSA636的输出端子的输入端子和连接到第一信号输出端子(LNA2OUT_M)624的输出端子。

第二信号通道具有以如针对第一信号通道所描述的相同方式连接的对应组件。第二信号通道包括第二输入LNA(LNA1_D)632、第二DSA 638和第二输出LNA 634。

第一输入LNA 628和第二输入LNA 632(LNA1_M和LNA1_D)是天线之后的第一放大器。因此，这些组件尤其容易受(例如)因至接收路径中的功率放大器(PA)泄漏而导致的过载条件影响。因此，第一输入LNA 628和第二输入LNA 632可尤其得益于使用图2和3a到3d的RF放大器中的一种RF放大器来改进IC 620的输入稳健性。

图7示出也能够提供RFout ESD保护的RF放大器700的另一实例实施例。此处将不必再次描述图7中已经参看图2描述过的特征。

图7的RF放大器700包括串联晶体管750。串联晶体管750具有串联晶体管基极端子、串联晶体管集电极端子和串联晶体管发射极端子。串联晶体管发射极端子连接到输入晶体管702的输入晶体管集电极端子。串联晶体管集电极端子连接到RF输出端子712。以此方式，串联晶体管750的导电通道、输入晶体管702的导电通道和简并电感706串联连接在接地端子708与RF输出端子712之间。

串联晶体管基极端子可连接到偏置电路(未示出)，该偏置电路可在适当电压(例如2V)下提供低欧姆电压源特性。串联晶体管750可增加开环电压增益和RF放大器700的RF输入到输出隔离。此外，串联晶体管750可改进针对大RF输出电压的稳健性，因为通常串联晶体管的BVcbo比输入晶体管702等共同发射极配置的输入晶体管的BVceo大得多。

在此实例中，RF放大器700还包括任选ESD保护电路758。ESD保护电路758包括一个或多个(在此实例中，两个)第一ESD保护二极管752，该第一ESD保护二极管752串联连接在RF输出端子712与接地端子708之间。在此实例中，RF输出端子712为在上面设置RF放大器700的IC的外部端子。一个或多个第一ESD保护二极管752的串联电路具有连接到RF输出端子712的阴极端子和连接到接地端子708的阳极端子，使得第一ESD保护二极管752在第一极性中连接在RF输出端子712与接地端子708之间。在此实例中，第一ESD保护二极管752可在RF输出端子712处传导负ESD脉冲。

ESD保护电路758还包括一个或多个(在此实例中，三个)第二ESD保护二极管754，该第二ESD保护二极管754与ESD箝位电路756串联连接在RF输出端子712与接地端子708之间。ESD箝位电路756(其也可被称作撬杠电路)可由RC触发电路组成，RC触发电路在跨越该电路的端子检测到ESD事件dV/dt后即刻接通大NPN晶体管。因此，大NPN晶体管将吸收ESD电流，借此保护RF放大器700的功能电路。一个或多个第二ESD保护二极管754的串联电路在第二极性中连接在RF输出端子712与ESD箝位电路756之间，该第二极性与第一ESD保护二极管752的第一极性相反。第二ESD保护二极管754具有(直接或间接)连接到RF输出端子712的阳极端子，和(直接或间接)连接到ESD箝位电路756的阴极端子。以此方式，第二ESD保护二极管754和ESD箝位电路756可串联连接在RF输出端子712与接地端子708之间，且可在RF输出端子712处传导正ESD脉冲。ESD箝位电路756当在IC上可用时可连接到电源电压VCC。

有利地，本文中所公开的RF放大器中的一个或多个可与电流监视器/传感器一起使用。这可有利于尤其关注输入稳健性的情况。参看图6，电流监视器可提供为输入LNA(LNA1_M和LNA1_D)的一部分。已发现，LNA1级中存在过高或过低的电流电平能很好地指示损坏部分。电流监视器可因此用于在LNA1处的电流不正确时对信号进行标记，在一些实例中该信号可由SPI传送到系统。在一些实例中，可对两个信号进行标记，一个针对过高LNA电流，一个针对过低LNA电流。在基站应用中，移动运营商可利用此信息来更换损坏的电路板。

图8示出具有电流传感器/监视器电路860的RF放大器800的实例实施例。此处将不必再次描述图8中已经参看图7描述过的特征。电流传感器电路860将穿过输入晶体管802的电流电平与一个或多个阈值电平比较，且提供表示比较的结果的输出信号。

图8的RF放大器800包括具有第一输出电感器端子和第二输出电感器端子的输出电感器862。第一输出电感器端子连接到RF输出端子812。

电流传感器电路860包括感测电阻器864，该感测电阻器864连接在输出电感器862的第二输出电感器端子与VCC电压供应端子866之间。以此方式，感测电阻器864在与流动穿过输入晶体管802的导电通道(在输入晶体管集电极端子与输入晶体管发射极端子之间)的DC电流电平几乎一致的电平下传导DC电流。

电流传感器电路860还包括比较器868，该比较器868具有连接到感测电阻器864的相应末端的第一输入端子和第二输入端子。以此方式，比较器868接收表示流动穿过输入晶体管802的电流的信号。在此实例中，比较器868还在两个阈值输入端子(未示出)处接收两个阈值/参考信号。比较器868将跨越感测电阻器864的电压与两个参考电压信号比较。参考电压信号中的一个表示指示穿过RF放大器的电流(该电流在一些应用中可被称为LNA电流)何时过低的跳脱电平。另一参考电压信号表示指示穿过RF放大器的电流何时过高的跳脱电平。可使是否已经超出跳脱电平(高于上限阈值电平或低于下限阈值电平)的指示符在寄存器中可用，该指示符可经由(任选地串行)数字接口传送到系统。这些指示符可以是比较器868的输出。

比较器868具有提供输出信号的输出端子，该输出信号指示跨越感测电阻器864的电压是否过高或过低。在此实例中，比较器868的输出端子连接到数字接口870(该数字接口870的实例为图6中的SPI组件)，以将输出信号以适当形式提供到电流感测输出端子872以供后续处理。电流感测输出端子872可以是在其中设置了RF放大器800的IC的外部端子。参看图6，标记为RST/SCLK/CS/SDIO/SDO的引脚可为IC的外部端子。标记为SDIO和SDO的端子可提供是否已经超出跳脱电平的指示符。

在此实例中，输出线圈/电感器862与RF放大器800的其它组件集成在相同的IC上。这可使得能够在输出电感器862的冷侧(其中存在微弱RF信号)感测到穿过输入晶体管802的电流。图8中示出的所有组件可设置在相同集成电路(IC)上。

图9示出具有电流传感器/监视器电路960的RF放大器900的实例实施例。此处将不必再次描述图9中已经参看图8描述过的特征。

电流传感器960包括类似于图8的对应组件的以下组件：感测电阻器964、比较器968和数字接口970。

在此实例中，电流传感器960还包括感测晶体管951。感测晶体管951具有感测晶体管基极端子、感测晶体管集电极端子和感测晶体管发射极端子。感测晶体管发射极端子连接到输入晶体管集电极端子。感测晶体管基极端子连接到串联晶体管基极端子，串联晶体管基极端子如上文所论述可连接到偏置电路。感测晶体管集电极端子连接到感测电阻器964以及比较器968的输入端子。

以此方式，感测晶体管951可被认为是与串联晶体管950并联。感测晶体管951可具有相对于串联晶体管950的发射极区域更小/缩小的发射极区域。在一些实例中，感测晶体管951可被热耦合到串联晶体管950。

当输出线圈(图9中未示出)并不与RF放大器900集成在相同的IC上时，图9的RF放大器900可特别有利。实际上，输出线圈可作为离散组件连接到应用板，这为待使用的具有不同组件值的不同输出线圈提供设计自由。这些不同组件值可用于不同应用，例如与不同频带一起使用。

本文中所公开的RF放大器中的一个或多个可用于基站系统中。

本文中所公开的RF放大器中的一个或多个可提供以下优点：

●改进针对大RF输入功率的放大器稳健性；和/或

●改进输入晶体管的基极电流降级，该基极电流降级否则将导致例如噪声指数和线性等RF性能参数劣化。

以上图式中的指令和/或流程步骤可按任何次序执行，除非明确陈述特定次序。并且，本领域的技术人员将认识到，虽然已论述一个实例指令集/方法，但本说明书中的材料也可通过多种方式组合从而产生其它实例，且应在由此详细描述提供的上下文内理解。

在一些实例实施例中，上文描述的指令集/方法实施为功能和软件指令，这些功能和软件指令体现为可执行指令集，这些指令在以所述可执行指令编程和控制的计算机或机器上实现。这些指令经加载以在处理器(例如一个或多个CPU)上执行。术语处理器包括微处理器、微控制器、处理器模块或子系统(包括一个或多个微处理器或微控制器)，或其它控制或计算装置。处理器可指代单一组件或多个组件。

在其它实例中，本文示出的指令集/方法以及与本文示出的指令集/方法相关联的数据和指令存储在相应存储装置中，所述存储装置实施为一个或多个非暂时性机器或计算机可读或计算机可用存储媒体。这些计算机可读或计算机可用存储媒体被认为是物品(或制品)的一部分。物品或制品可以指代任何所制造的单一组件或多个组件。如本文所限定的非暂时性机器或计算机可用媒体不包括信号，但这些媒体可能够接收和处理来自信号和/或其它暂时性媒体的信息。

本说明书中论述的材料的实例实施例可整体或部分经由网络、计算机或基于数据的装置和/或服务实施。这些可包括云、因特网、内联网、移动装置、台式计算机、处理器、查找表、微控制器、消费者设备、基础架构，或其它致能装置和服务。如本文和权利要求书中可使用，提供以下非排他性定义。

在一个实例中，使本文论述的一个或多个指令或步骤自动化。术语自动化或自动(及其类似变化)意味着使用计算机和/或机械/电气装置的设备、系统和/或过程的受控操作，而不需要人类干预、观测、努力和/或决策。

应了解，称为耦合的任何组件可直接或间接耦合或连接。在间接耦合的情况下，在所谓经过耦合或连接的两个组件之间可设置额外组件，同时仍能够实现必需的功能性。

在本说明书中，已经依据选定细节集合呈现实例实施例。然而，本领域的一般技术人员将理解，可实践包括这些细节的不同选定集合的许多其它实例实施例。所附权利要求书意图涵盖所有可能的实例实施例。