1.一种3G射频功率放大器电路，其特征是：包括用于接收输入信号的第一级放大结构以及用于将放大后信号输出的第二级放大结构，第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接；
第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；
第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；
所述输入匹配电路包括与射频放大管T1基极端连接的电阻R1，电阻R1的另一端与芯片电容C1的一端连接，芯片电容C1的另一端通过基板绕线电感L1接地，且芯片电容C1的另一端与基板绕线电感L1的一端相互连接后形成输入端IN；
级间匹配电路包括芯片电容C4、芯片电容C3以及基板绕线电感RFC1，芯片电容C4的一端与射频放大管T2的基极端连接，芯片电容C4的另一端与射频放大管T1的集电极端连接，射频放大管T1的集电极端还与基板绕线电感RCF1的一端连接，基板绕线电感RCF1的另一端与芯片电容C3的一端以及电源VCC2连接，芯片电容C3的另一端接地；
输出匹配电路包括芯片电容C5、基板绕线电感RFC2以及基板绕线电感L2，射频放大管T2的集电极端与基板绕线电感RFC2的一端、芯片电容C5的一端连接，基板绕线电感RFC2的另一端与电源VCC2连接，芯片电容C5的另一端与基板绕线电感L2的一端连接，基板绕线电感L2的另一端接地，且芯片电容C5与基板绕线电感L2相连的一端形成放大输出端OUT。
2.根据权利要求1所述的3G射频功率放大器电路，其特征是：所述放大管T1偏置电路包括偏置放大管T3、偏置放大管T4以及偏置放大管T5，偏置放大管T3的发射极与电阻R1的另一端、电容C1的一端连接以及电阻R4的一端连接，电阻R4的另一端与电容C2的一端连接，电容C2的另一端与射频放大管T1的集电极连接；
偏置放大管T3的集电极端与电压Vreg连接，偏置放大管T3的基极端与电容C6的一端、偏置放大管T5的集电极端、偏置放大管T5的基极端以及电阻R2的一端连接，电容C6的另一端与偏置放大管T4的发射极端连接后接地，偏置放大管T4的基极端与偏置放大管T4的集电极端以及偏置放大管T5的发射极端连接，电阻R2的另一端与电压Vreg连接。
3.根据权利要求1所述的3G射频功率放大器电路，其特征是：所述放大管T2偏置电路包括偏置放大管T6、偏置放大管T7以及偏置放大管T8，偏置放大管T6的发射极端与射频放大管T2的基极端连接，偏置放大管T6的基极端与电容C7的一端、偏置放大管T8的基极端、偏置放大管T8的集电极端以及电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端以及偏置放大管T6的集电极段均与电压Vreg连接，电容C7的另一端与偏置放大管T7的发射极端连接后接地，偏置放大管T7的基极端与偏置放大管T7的集电极端以及偏置放大管T8的发射极端连接。