本发明涉及屏蔽膜领域，具体涉及一种新型电磁屏蔽膜。
背景技术：
随着城市信息化产业的不断发展，越来越多的电子产品采用大规模或超大规模集成电路，其内部的电子部件之间相互接收的电磁波或从外部接收的电磁波都会对电子设备的运作产生严重干扰，降低运行效率，且由于需屏蔽的电磁频谱越来越宽,对电磁屏蔽效能的要求也越来越高,单一材料已无法满足当前电磁屏蔽的要求，进而推动了电磁屏蔽材料从单一材料向复合材料的方向发展。
目前电子产品外壳大多采用塑料制成，具有轻、薄和小的优势，但塑料制品的绝缘体属性使其完全不具备屏蔽电磁波的功效，因此设计一种具有电磁波屏蔽功能的塑料对电子产品的持续发展具有重要意义。此外，为保证有较高的屏蔽效能，市场上的抗电磁干扰薄膜通常采用两层以上的多层复合形式，主要由基层、绝缘层、金属网层、导电胶层和保护层组成，但大都存在材料取用和结构设计欠妥、生产成本高、屏蔽性能及力学性能差的弊端。
技术实现要素：
为解决现有技术中存在的屏蔽性能及力学性能差的问题，本发明提供一种新型电磁屏蔽膜。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种新型电磁屏蔽膜，包括由下至上顺序设置的基层、绝缘层、金属网层、入射层和保护层，金属网层设有两个且分别与绝缘层和入射层相接，两个金属网层之间设有导磁层，入射层包括由碳纳米管和改性石墨构成的导电填料，保护层的下表面依次通过吸光层和近红外遮蔽层与入射层相接。
进一步的，所述碳纳米管和改性石墨的质量比为1：7-1：2。
进一步的，所述入射层的体积电阻率为0.1-10ω·cm，厚度为300-800nm。
进一步的，所述绝缘层选自yd128环氧树脂、聚酰亚胺树脂中的任一种。
进一步的，所述金属网层为1cr18ni9ti、铜箔、镍箔的任一种，用于屏蔽电磁辐射和电磁的相互干扰。
进一步的，所述导磁层为非晶带材，包括钴镍非晶软磁合金、铁镍非晶软磁合金中的任一种。
进一步的，所述近红外遮蔽层选自纳米铯钨青铜粉、纳米氧化锡锑中的一种或两种的组合。
进一步的，所述吸光层为炭黑、石墨、氧化铁黑中的一种或多种，吸光层的厚度为10-400nm。
进一步的，所述基层和保护层分别为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或两种，所述保护层为离型膜层。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
本发明公开了一种新型电磁屏蔽膜，包括由下至上依次设置的基层、绝缘层、金属网层、入射层和保护层，金属网层有两个且分别与绝缘层的上表面和入射层的下表面相接触，两个金属网层之间设有导磁层，绝缘层的下表面与基层相接，保护层的下表面依次通过吸光层和近红外遮蔽层与入射层的上表面相接。本发明提供的新型电磁屏蔽膜具有多层复合结构，结合高导电和高导磁材料，在保证绝缘层与金属网层之间具有较高粘合力的同时有效阻止电磁波对邻近线路及元件的干扰，提高电磁屏蔽性能和光吸收能力，保持色纯度和高透光性，具有广阔的应用前景。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
其中，1-基层；2-绝缘层；3-金属网层；4-导磁层；5-入射层；6-近红外遮蔽层；7-吸光层；8-保护层。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作更进一步的说明。
名词解释：
聚对苯二甲酸乙二醇酯，英文简称：pet；聚萘二甲酸乙二醇酯，英文简称：pen。
如图1所示，一种新型电磁屏蔽膜，包括由下至上依次设置的基层1、绝缘层2、金属网层3、入射层5和保护层8，金属网层3有两个且分别与绝缘层2的上表面和入射层5的下表面相接触，两个金属网层3之间设有导磁层4，绝缘层2的下表面与基层1相接，保护层8的下表面依次通过吸光层7和近红外遮蔽层6与入射层5的上表面相接。
基层1和保护层8用于保护绝缘层2、金属网层3、导磁层4、入射层5、近红外遮蔽层6和吸光层7免受外界环境的污染，基层1和保护层8的材料分别选用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或两种，保护层8为离型膜层，绝缘层2采用yd128环氧树脂和/或聚酰亚胺树脂制备而成，金属网层3为1cr18ni9ti、铜箔、镍箔中的任一种，用于屏蔽电磁辐射和电磁的相互干扰，金属网层3的形状呈网格状，有利于后续导磁层4的涂布，二者的接触面积更大，金属网层3的厚度不超过3μm，导磁层4为非晶带材，包括钴镍非晶软磁合金、铁镍非晶软磁合金中的任一种，远离干扰源，入射层5以碳纳米管和改性石墨为导电填料，近红外遮蔽层6用于遮蔽近红外线，避免与周围电子器件发生干扰，近红外遮蔽层6的材料选自纳米铯钨青铜粉、纳米氧化锡锑中的一种或两种的组合，纳米铯钨青铜粉的粒径不超过20nm，比表面积为60-80m2/g，可通过购买获得，其在波长为800-1200nm的近红外区域具有良好的吸收能力，在波长为380-780nm的可见光区域具有高透过率，在950nm处红外吸收率可达到90%以上，同时550nm处的可见光透过率达到70%以上，吸光层7用于吸收橙色光，避免图像成橙红色，保持色纯度，吸光层7为炭黑、石墨、氧化铁黑中的一种或多种，吸光层7的厚度为10-400nm。
入射层5通过一定质量比的碳纳米管和石墨在yd128环氧树脂中混炼制备而成，入射层5的体积电阻率为0.1-10ω·cm，厚度为300-800nm，碳纳米管和石墨的质量比为1：7-1：2，可直接涂布在金属网层3上。本发明可根据实际需求添加醇类或阴离子分散剂和/或消泡剂促进形成分散均一且平整的入射层5，醇类分散剂包括聚乙二醇、乙醇、聚乙丙烯或其衍生物或混合物，阴离子分散剂包括羧酸盐、硫酸酯盐、十二烷硫酸钠或其衍生物或混合物，消泡剂包括有机矽氧烷、聚醚、矽和醚接枝、含胺、亚胺和醯胺类。
本发明不限定绝缘层2、金属网层3、入射层5、近红外遮蔽层6、吸光层7和保护层8的涂布方式，可根据实际情况选择化学沉积、蒸镀、溅镀、胶带贴合或刮刀涂布的方式。
实施例1
如图1所示，一种新型电磁屏蔽膜，包括由下至上依次设置的基层1、绝缘层2、金属网层3、入射层5和保护层8，金属网层3有两个且分别与绝缘层2的上表面和入射层5的下表面相接触，两个金属网层3之间设有导磁层4，绝缘层2的下表面与基层1相接，保护层8的下表面依次通过吸光层7和近红外遮蔽层6与入射层5的上表面相接。
基层1采用pet制备而成，pet具有很好的韧性和抗撕裂性，绝缘层2采用yd128环氧树脂制备而成，金属网层3为镍箔，形状呈网格状，用于屏蔽电磁辐射和电磁的相互干扰，镍箔的厚度为300nm，导磁层4为铁镍非晶软磁合金，远离干扰源，厚度为60nm，入射层5以碳纳米管和改性石墨为导电填料，近红外遮蔽层6用于遮蔽近红外线，避免与周围电子器件发生干扰，近红外遮蔽层6的材料选自通过购买获得的纳米铯钨青铜粉和纳米氧化锡锑，纳米铯钨青铜粉的粒径不超过20nm，比表面积为60-80m2/g，其在波长为800-1200nm的近红外区域具有良好的吸收能力，在波长为380-780nm的可见光区域具有高透过率，在950nm处红外吸收率可达到90%以上，同时550nm处的可见光透过率达到70%以上，吸光层7用于吸收橙色光，避免图像成橙红色，保持色纯度，吸光层7为炭黑，吸光层7的厚度为400nm，保护层8的材料选自pen即聚萘二甲酸乙二醇酯，保护层8为离型膜层。
本发明的制备及使用过程：
首先在基层1上通过刮刀涂布厚度为3μm的yd128环氧树脂绝缘层2，随后将其放置于烘箱中进行固化，固化时间为1min，固化温度设定为200°c，在固化的绝缘层2上通过溅镀方式依序形成镍箔、铁镍非晶软磁合金和镍箔的三层结构；将碳纳米管（20重量百分比）和石墨（100重量百分比）、聚乙二醇（5重量百分比））和有机矽氧烷（8重量百分比）在yd128环氧树脂（280重量百分比）中混炼制备得到入射层5，碳纳米管和石墨的质量比为1：5，入射层5的体积电阻率为0.2ω·cm，厚度为300nm，再将入射层5直接涂布在镍箔的上表面，镍箔与绝缘层2及入射层5的结合力为ni-o形成的共价键的化学结合，而非单纯的机械咬合，在入射层5上通过溅射方式涂布近红外遮蔽层6，并将炭黑均匀涂覆在近红外遮蔽层6上，最后将其与pen保护层8贴合，完成电磁屏蔽膜的制备。
基层1和保护层8用于保护绝缘层2、金属网层3、导磁层4、入射层5、近红外遮蔽层6和吸光层7免受外界环境包括微小颗粒、水滴等的污染，在使用该电磁屏蔽膜时撕掉保护层8并与元件相接触。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。