技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高压NMOS驱动器死区时间控制电路，包括滞回保护模块、高侧逻辑模块、高侧延时模块、高侧驱动模块、高侧欠压锁定模块、低侧延时模块、低侧逻辑模块、低侧驱动模块和低侧感应模块。本发明通过控制输入信号与输出反馈信号的逻辑关系及时序，解决高、低侧输出信号同时为高的异常状态，避免整流管和驱动管同时开启，提高后级功率放大器的效率。
技术研发人员：赵永瑞;崔玉旺;张浩;贾东东
受保护的技术使用者：河北新华北集成电路有限公司
技术研发日：2017.05.04
技术公布日：2017.09.26