提高芯片充分接地和散热的焊接方法与流程

本发明涉及一种提高芯片充分接地和散热的焊接方法，属于元器件焊接技术领域。

背景技术：

随着微电子技术的发展，芯片集成度越来越高，大功率集成芯片的出现，使得对芯片焊接工艺的要求越来越高，特别是大功率芯片，需要充分接地和散热，这样才能保证芯片正常工作。在现有工艺中，采用在电路板上待焊接芯片焊盘区域涂覆焊膏，发现在焊膏熔化后，由于焊锡流淌性不好，导致焊锡并没有充分流淌入到电路板上待焊接芯片焊盘接地孔内，接地孔内的焊锡不饱满，甚至有些接地孔内基本没有焊锡，这就使得焊接时芯片没有充分接地，且芯片散热也不好。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种提高芯片充分接地和散热的方法，该方法通过手工逐个向接地孔中填充锡球，然后放置在加热平台上加热使接地孔的锡球熔化，这样使每个接地孔都充满焊锡。本发明跟现有工艺比较，增加了逐个向接地孔中填充锡球，然后放置在加热平台上加热使接地孔的锡球熔化工序，从而来提高芯片背面充分接地，并且保证了芯片充分散热，提高了芯片焊接质量。

本发明采用如下技术方案：提高芯片充分接地和散热的焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤ss1：制备锡球；

步骤ss2：向电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔中填充所述步骤ss1中的所述锡球；

步骤ss3：加热使所述步骤ss2中的焊盘接地孔中的所述锡球熔化。

作为一种较佳的实施例，所述步骤ss1中具体包括：在显微镜下，将焊锡丝用手术刀切割成多个类似球状物，所述类似球状物的大小小于等于电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔的孔径。

作为一种较佳的实施例，所述焊锡丝的温度为183℃。

作为一种较佳的实施例，所述步骤ss2具体包括：在显微镜下，用镊子夹取所述锡球逐个放入到电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔内，直至所述电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔内填充满所述锡球。

作为一种较佳的实施例，所述步骤ss3具体包括：将电路板放置在加热平台上加热，使所述电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔内的锡球熔化，直至所述电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔内充满焊锡。

作为一种较佳的实施例，所述加热平台的加热温度为210±5℃。

本发明所达到的有益效果：本发明跟现有工艺比较，增加了逐个向焊盘接地孔中填充锡球，然后放置在加热平台上加热使焊盘接地孔的锡球熔化的工序，使焊盘接地孔中充满焊锡，来实现芯片背面充分接地，并且保证了芯片充分散热，提高了芯片焊接质量。

附图说明

图1是本发明的方法流程图。

图2是本发明的操作实施例的结构示意图。

图中标记的含义：1-电路板上芯片焊盘，2-焊盘接地孔，3-锡球。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

图1是本发明的方法流程图。图2是本发明的操作实施例的结构示意图。

本发明提出一种提高芯片充分接地和散热的焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤ss1：按要求制备锡球3；

步骤ss2：向电路板上芯片焊盘1的焊盘接地孔2中填充所述步骤ss1中的所述锡球3；

步骤ss3：加热使所述步骤ss2中的焊盘接地孔2中的所述锡球3熔化。

作为一种较佳的实施例，所述步骤ss1中具体包括：在显微镜下，将焊锡丝用手术刀切割成多个类似球状物，所述类似球状物的大小小于等于电路板上芯片焊盘1的焊盘接地孔2的孔径。

作为一种较佳的实施例，所述焊锡丝的温度为183℃。

作为一种较佳的实施例，所述步骤ss2具体包括：在显微镜下，用镊子夹取所述锡球3逐个放入到电路板上芯片焊盘1的焊盘接地孔2内，直至所述电路板上芯片焊盘1的焊盘接地孔2内填充满所述锡球。

作为一种较佳的实施例，所述步骤ss3具体包括：将电路板放置在加热平台上加热，使所述电路板上芯片焊盘1的焊盘接地孔2内的锡球3熔化，直至所述电路板上芯片焊盘1的焊盘接地孔2内充满焊锡。

作为一种较佳的实施例，所述加热平台的加热温度为210±5℃。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明公开了提高芯片充分接地和散热的焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤SS1：制备锡球；步骤SS2：向电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔中填充所述步骤SS1中的所述锡球；步骤SS3：加热使所述步骤SS2中的焊盘接地孔中的所述锡球熔化。本发明跟现有工艺比较，增加了逐个向焊盘接地孔中填充锡球，然后放置在加热平台上加热使焊盘接地孔的锡球熔化的工序，使焊盘接地孔中充满焊锡，来实现芯片背面充分接地，并且保证了芯片充分散热，提高了芯片焊接质量。

技术研发人员：汪宁;费文军;陈兴盛;李金晶;孟庆贤;俞昌忠;方航;张庆燕;李小亮
受保护的技术使用者：安徽华东光电技术研究所
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2018.02.16