技术总结
本实用新型公开了一种C波段高增益GaN微波功率放大器电路，包括集成在封装管壳内的前级放大电路、后级放大电路和供电电路；前级放大电路包括GaN驱动功率放大器；后级放大电路包括GaN芯片、两级匹配电路和偏置电路；GaN驱动功率放大器和GaN芯片的栅极和漏极分别共用同一个电源。在有限的管壳内部加入了两级放大电路，使得输出增益大大提高，针对C波段设计的内部偏置电路的加入有效节省了管壳外围PCB电路的铺设空间。另外，内部分压电路使得前后两级放大电路可以共用同一个栅极电压和同一个漏极电压，节省PCB 空间。
技术研发人员：朱佳浩;李贺;沈美根;陈强
受保护的技术使用者：江苏博普电子科技有限责任公司
文档号码：201720115037
技术研发日：2017.02.08
技术公布日：2017.09.12