自寻拐点式恒温晶体振荡器的制作方法

本实用新型涉及电子元器件技术，特别是涉及一种自寻拐点式恒温晶体振荡器的技术。

背景技术：

晶体是恒温晶体振荡器的重要组成部件，寻找晶体F-T（频率VS温度）特性下的拐点是恒温晶体振荡器温度特性好坏的关键所在。 传统的恒温晶体振荡器的温度稳定度的调节需要借助恒温箱模拟晶振外部环境温度的变化所引起的频率变化大小来寻找晶体的拐点，一致性较差，调试很不方便。

技术实现要素：

针对上述现有技术中存在的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种一致性好，调试方便的自寻拐点式恒温晶体振荡器。

为了解决上述技术问题，本实用新型所提供的一种自寻拐点式恒温晶体振荡器，包括恒温槽，及安装在恒温槽内的晶体振荡电路、加热管，恒温槽内设有用于控制加热管运行的MCU温控电路；其特征在于：

所述恒温槽内设有连接MCU温控电路的温度传感器；恒温槽的外部设有用于采集晶体振荡电路输出频率的频率采集模块，及用于检测频率变化量的频率分析模块；

所述频率采集模块的频率采集端口接到晶体振荡电路的频率输出端口，频率分析模块通过通信线缆与频率采集模块互联，并通过通信线缆与MCU温控电路互联。

本实用新型提供的自寻拐点式恒温晶体振荡器，利用频率采集模块及频率分析模块自动寻找晶体振荡电路，可以在晶体振荡电路工作温度区间的任何一个温度点下能够自动找到晶体振荡电路的拐点且自我保存，具有温度特性一致性好及调试方便的特点。

附图说明

图1是本实用新型实施例的自寻拐点式恒温晶体振荡器的结构示意图。

图2是恒温槽内部温度与晶体振荡电路输出频率的变化曲线图。

具体实施方式

以下结合附图说明对本实用新型的实施例作进一步详细描述，但本实施例并不用于限制本实用新型，凡是采用本实用新型的相似结构及其相似变化，均应列入本实用新型的保护范围，本实用新型中的顿号均表示和的关系。

如图1所示，本实用新型实施例所提供的一种自寻拐点式恒温晶体振荡器，包括恒温槽M1，及安装在恒温槽内的晶体振荡电路U1、加热管U2，恒温槽内设有用于控制加热管运行的MCU温控电路U3；其特征在于：

所述恒温槽内设有连接MCU温控电路U3的温度传感器（图中未示）；恒温槽的外部设有用于采集晶体振荡电路输出频率的频率采集模块U4，及用于检测频率变化量的频率分析模块U5；

所述频率采集模块U4的频率采集端口接到晶体振荡电路U1的频率输出端口，频率分析模块U5通过通信线缆与频率采集模块U4互联，并通过通信线缆与MCU温控电路U3互联。

本实用新型实施例中，所述MCU温控电路、频率采集模块、频率分析模块均为现有技术，MCU温控电路、频率分析模块均采用单片机及其外围电路构成。

本实用新型实施例的工作原理如下：

晶体振荡电路工作时，MCU温控电路通过温度传感器实时检测恒温槽内部温度，并控制加热管进行发热，使恒温槽内部温度逐渐升高，与此同时，频率分析模块持续的采集晶体振荡电路的输出频率，并将采集的数据发送给频率分析模块，频率分析模块对晶体振荡电路的输出频率进行持续的记录，得到恒温槽内部温度与晶体振荡电路输出频率的变化曲线（参见图2），并根据该变化曲线找出晶体振荡电路输出频率变化最小处的温度点，该温度点就是晶体振荡电路对应的拐点，图2所示的恒温槽内部温度与晶体振荡电路输出频率的变化曲线中，晶体振荡电路对应的拐点为110℃；

频率分析模块找出晶体振荡电路对应的拐点后，将该拐点对应的温度值发送给MCU温控电路，MCU温控电路收到该拐点对应的温度值后，即根据该拐点对应的温度值及温度传感器所检测到的恒温槽内部温度值，控制加热管适时的加热或停止加热，使得恒温槽内部温度值能稳定在该拐点对应的温度值。