半导体集成电路的制作方法

文档序号:16362620发布日期:2018-12-22 08:15阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
为了达到仅使用低耐压晶体管来实现电源切换电路,且不需要特别的贯通电流防止控制电路,当第一电源电压(VDD1(=0V/3.3V))处于截止状态且第二电源电压(VDD2(=0V/1.8V))处于导通状态时,切换控制电路(2、3)输出从接地电压电位到第二电源电压电位的信号,当第一电源电压(VDD1)、第二电源电压(VDD2)都处于导通状态时,切换控制电路(2、3)输出从第二电源电压电位到第一电源电压电位的信号,由此将PMOS晶体管(P1)和NMOS晶体管(N1)控制为导通状态或截止状态。

技术研发人员:饭田真久
受保护的技术使用者:株式会社索思未来
技术研发日:2017.02.20
技术公布日:2018.12.21
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