1.一种半导体开关控制电路，通过对具备源电极、漏电极以及栅电极的半导体开关中的所述栅电极提供驱动电流来进行所述半导体开关的on/off控制，其特征在于，包括：
脉冲信号生成部，用于生成作为进行所述半导体开关的on/off控制的时间基准的脉冲信号；
驱动电流生成部，在根据所述脉冲信号生成部生成的所述脉冲信号生成所述驱动电流后，将该驱动电流提供至所述半导体开关的所述栅电极；
栅极电压检测部，对所述半导体开关的栅极电压进行检测；以及
驱动电流控制部，根据所述脉冲信号生成部生成的所述脉冲信号以及所述栅极电压检测部检测出的所述栅极电压，对所述驱动电流生成部生成的所述驱动电流进行控制。
2.根据权利要求1所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，当处于关断期中的所述栅极电压的第一平稳期开始后的第一期间内检测到所述栅极电压的自激振荡现象时，所述驱动电流控制部控制所述驱动电流，使所述栅极电压的下降速度低于检测前的该下降速度。
3.根据权利要求2所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，当处于关断期中的所述栅极电压的第一平稳期开始后的第一期间内所述栅极电压超过比所述半导体开关的阈值电压高出规定值的第一设定电压时，所述驱动电流控制部控制所述驱动电流，使所述栅极电压的下降速度低于检测前的该下降速度。
4.根据权利要求3所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，所述驱动电流控制部控制所述驱动电流，使所述栅极电压的下降速度随着多个电压电平可以被设置为所述第一设定电压且所述栅极电压在所述第一期间内超过所述多个电压电平中较高的电压电平，呈阶段性下降。
5.根据权利要求3所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，仅在所述栅极电压在所述第一期间内多次超过所述第一设定电压时，所述驱动电流控制部才控制所述驱动电流，使所述栅极电压的下降速度低于检测前的该下降速度。
6.根据权利要求3所述的半导体开关控制电路，其特征在于，进一步包括：
电流检测部，用于对所述半导体开关的漏极电流或源极电流、亦或是具备所述半导体开关的开关电源装置的负载电流或输入电流中的任意电流进行检测，
仅在所述电流在所述半导体开关的开启期内超过规定的第一设定电流时，所述驱动电流控制部才控制所述驱动电流，使所述栅极电压的下降速度低于检测前的该下降速度。
7.根据权利要求1至6中任意一项述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，当处于开启期中的所述栅极电压的第二平稳期内检测到所述栅极电压的自激振荡现象时，所述驱动电流控制部控制所述驱动电流，使所述栅极电压的上升速度低于检测前的该上升速度。
8.根据权利要求7所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，当处于开启期中的所述栅极电压的第二平稳期内所述栅极电压超过比所述半导体开关的阈值电压高出规定值的第二设定电压时，所述驱动电流控制部控制所述驱动电流，使所述栅极电压的上升速度低于检测前的该上升速度。
9.根据权利要求8所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，所述驱动电流控制部控制所述驱动电流，使所述栅极电压的上升速度随着多个电压电平可以被设置为所述第二设定电压且所述栅极电压在所述第二平稳期内超过所述多个电压电平中较高的电压电平，呈阶段性下降。
10.根据权利要求8所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，仅在所述栅极电压在所述第二平稳期内多次超过所述第二设定电压时，所述驱动电流控制部才控制所述驱动电流，使所述栅极电压的上升速度低于检测前的该上升速度。
11.根据权利要求8所述的半导体开关控制电路，其特征在于，进一步包括：
电流检测部，用于对所述半导体开关的漏极电流或源极电流、亦或是具备所述半导体开关的开关电源装置的负载电流或输入电流中的任意电流进行检测，
仅在所述电流在所述半导体开关的开启期内超过规定的第二设定电流时，所述驱动电流控制部才控制所述驱动电流，使所述栅极电压的上升速度低于检测前的该上升速度。
12.根据权利要求1至11中任意一项所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，所述驱动电流生成部具有充放电电路，所述充放电电路具有用于对所述半导体开关的所述栅电极进行电流充电的充电电流源以及用于从所述半导体开关的所述栅电极进行电流放电后的放电电流源，
所述驱动电流控制部通过控制对所述半导体开关的所述栅电极进行充电的充电电流或是控制从所述半导体开关的所述栅电极放电出的放电电流，从而控制所述驱动电流。
13.根据权利要求1至12中任意一项所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，所述半导体开关由宽带隙半导体形成。
14.根据权利要求13所述的半导体开关控制电路，其特征在于：
其中，所述宽带隙半导体由碳化硅、氮化镓、氧化镓或金钢石构成。
15.一种开关电源装置，包括：具有源电极、漏电极以及栅电极的半导体开关；以及通过对所述半导体开关的所述栅电极提供驱动电流从而对所述半导体开关的on/off进行控制的半导体开关控制电路，其特征在于：
采用权利要求1至14中的任意一项所述的半导体开关控制电路来作为所述半导体开关控制电路。