体声波谐振器的制作方法

以下描述涉及一种体声波谐振器。

背景技术

近来，根据移动通信装置以及化学和生物装置的飞速发展，对在这些装置中使用的小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件以及声谐振质量传感器的需求也已经增加。

膜体声波谐振器(fbar)是实现小且轻的滤波器、振荡器、谐振元件以及声谐振质量传感器的已知的构件。膜体声波谐振器可以以最小的成本大批量生产，并可实现为具有超小型尺寸。此外，fbar可提供作为滤波器的主要特性的高品质因子(q)值，甚至可被使用在微波频带中，并且还可实现个人通信系统(pcs)和数字无线系统(dcs)的特定频带。

通常，fbar包括通过在基板上顺序地堆叠第一电极、压电层和第二电极而实现的谐振部。在操作fbar时，通过将电能施加到第一电极和第二电极而在压电层中诱发出电场，通过诱发的电场在压电层中产生压电现象，使得谐振部在预定方向上振动。结果，在与谐振部振动的方向相同的方向上产生体声波，导致谐振。

技术实现要素：

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思，以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波谐振器包括：支撑构件，设置在气腔之间；谐振部，包括顺序地设置在所述气腔的上方和所述支撑构件上的第一电极、压电层和第二电极；以及布线电极，连接所述第一电极和所述第二电极中的任意一者或两者，并设置在所述气腔中的一个的上方，其中，所述支撑构件的上表面的宽度大于所述支撑构件的下表面的宽度，并且所述支撑构件的将所述上表面和所述下表面彼此连接的侧表面是倾斜的。

所述体声波谐振器还可包括框架，所述框架沿着所述谐振部的边界表面在所述气腔中的每个延伸。

所述支撑构件可由二氧化硅和氮化硅中的任意一者或两者形成。

所述框架可从所述支撑构件突出。

所述框架可与所述支撑构件分开。

所述框架可由包括拉伸应力和压缩应力中的任意一者或两者的材料形成。

所述框架和所述谐振部可具有符号彼此不同的弹性温度系数。

所述体声波谐振器还可包括设置在所述气腔中的所述一个中的辅助支撑构件。

所述辅助支撑构件和所述支撑构件可由相同的材料形成。

所述辅助支撑构件可包括多晶硅。

在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：支撑构件，设置在气腔之间；谐振部，包括顺序地设置在所述气腔的上方和所述支撑构件上的表面上的第一电极、压电层和第二电极；以及布线电极，连接到所述第一电极和所述第二电极中的任意一者或两者，并设置在所述气腔中的一个的上方；辅助支撑构件，设置在所述气腔中的所述一个中；以及连接图案，设置在贯穿所述辅助支撑构件的导通孔中，其中，所述连接图案连接到所述第一电极和所述第二电极，并支撑所述第一电极和所述第二电极中的任意一者或两者。

所述连接图案可形成在所述导通孔的内壁上。

所述体声波谐振器还可包括框架，所述框架沿着所述谐振部的边界表面在所述气腔中的每个延伸。

所述框架可从所述支撑构件突出。

所述框架的厚度可小于所述支撑构件的厚度。

所述框架可与所述支撑构件分开。

所述支撑构件可由二氧化硅和氮化硅中的任意一者或两者形成。

所述框架可由二氧化硅和氮化硅中的任意一者或两者形成。

通过以下具体实施方式、附图以及权利要求，其他特征和方面将显而易见。

附图说明

图1是示出体声波谐振器的示例的截面图。

图2a和图2b是图1的体声波谐振器的局部放大图。

图3至图8是示出根据各种实施例的体声波谐振器的截面图。

图9a至图9e是示出制造图3中示出的体声波谐振器的工艺的示图。

图10是图9c的a部分的放大图。

图11和图12是根据实施例的滤波器的示意性电路图。

在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，为了清楚、说明以及方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可在理解了本申请的公开内容后做出显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的多种可行方式中的一些可行方式。

在整个说明书中，当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件、“结合到”另一元件、“在”另一元件“之上”或“覆盖”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件、“结合到”另一元件、“在”另一元件“之上”或“覆盖”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件、“直接结合到”另一元件、“直接在”另一元件“之上”或“直接覆盖”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。

如在此使用的术语“和/或”包括相关所列项中的任何一个和任何两个或更多个的任何组合。

虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中被称为的第一构件、组件、区域、层或部分还可被称为第二构件、组件、区域、层或部分。

为了方便描述，在此可使用诸如“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”的空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相关术语意在包含除了附图中描绘的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一元件位于“之上”或“上方”的元件将随后相对于另一元件位于“之下”或“下方”。因此，术语“在……之上”根据装置的空间方位包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。装置还可以以其他方式被定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并对在此使用的空间相关术语做出相应的解释。

在此使用的术语仅是为了描述各种示例，而不被用来限制本公开。除非上下文另外清楚地指明，否则单数形式也意在包含复数形式。术语“包含”、“包括”以及“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示出的形状的变化。因此，在此描述的示例并不限于附图中示出的特定的形状，而是包括制造过程中发生的形状上的变化。

在此描述的示例的特征可以以在理解了本申请的公开内容后将显而易见的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的其他构造是可行的。

在下文中，将参照附图详细地描述实施例。

图1是示出体声波谐振器10的示例的截面图。图2a和图2b是体声波谐振器10的局部放大图。

参照图1，体声波谐振器10包括基板11、使基板11电绝缘的绝缘层12a、被构造为保护绝缘层12a不受蚀刻工艺蚀刻的蚀刻停止层12b、形成在蚀刻停止层12b上的气腔13a、覆盖气腔13a的膜13b以及顺序地堆叠在膜13b上的下电极14、压电层15和上电极16。此外，体声波谐振器10包括防止上电极16暴露到外部的保护层17以及连接到下电极14和上电极16的布线电极18。

气腔13a位于包括下电极14、压电层15和上电极16的谐振部的下方，以使谐振部在预定方向上振动。气腔13a可通过如下方法形成：在蚀刻停止层12b上形成牺牲层、在牺牲层上形成膜13b，然后使用蚀刻工艺去除牺牲层。

气腔13a可具有近似梯形形状。参照图2a和图2b，由于图1的区域x和区域y中的气腔13a的高度和气腔13a的侧表面的倾斜角导致会在堆叠于膜13b上的下电极14、压电层15、上电极16以及布线电极18中形成裂纹。此外，堆叠在膜13b上的压电层15的晶体可能异常生长。由于裂纹的形成和异常的晶体生长，导致体声波谐振器10的插入损耗特性和衰减特性可被劣化。

图3至图8是示出根据各种实施例的体声波谐振器的截面图。由于根据图3至图8的实施例的体声波谐振器彼此相似，因此将主要描述根据图3的实施例的体声波谐振器，并且将省略在图4至图8的体声波谐振器中的与图3的体声波谐振器的内容相同或重复的内容的描述，将详细地描述与图3的体声波谐振器的内容不同的内容。

根据在此描述的实施例的体声波谐振器是例如膜体声波谐振器(fbar)。

参照图3，体声波谐振器100包括基板110、绝缘层115、蚀刻停止层123、气腔133、支撑构件134以及包括第一电极140、压电层150和第二电极160的谐振部155。体声波谐振器100还包括保护层170和布线电极180。

基板110可以是硅基板，使谐振部155与基板110电绝缘的绝缘层115设置在基板110的上表面上。绝缘层115可通过执行二氧化硅(sio2)或氧化铝(al2o3)的化学气相沉积、射频(rf)磁控溅射或蒸镀而形成在基板110上。

蚀刻停止层123形成在绝缘层115上。蚀刻停止层123保护基板110和绝缘层115不受蚀刻工艺蚀刻，并可以是用于在蚀刻停止层123上沉积层或膜所需的基底。在图3中，绝缘层115和蚀刻停止层123彼此分离，但绝缘层115和蚀刻停止层123可彼此集成为单层。在绝缘层115和蚀刻停止层123彼此集成为单层的情况下，绝缘层115和蚀刻停止层123可使用氧化物层彼此集成。

气腔133和支撑构件134形成在蚀刻停止层123上。

气腔133例如通过如下方式形成：例如，在蚀刻停止层123形成牺牲层、在牺牲层上形成用于设置支撑构件134的图案、堆叠第一电极140、压电层150和第二电极160，然后通过蚀刻工艺蚀刻并去除牺牲层。作为示例，牺牲层包括多晶硅(poly-si)。

气腔133包括第一气腔133a和第二气腔133b。第一气腔133a位于包括第一电极140、压电层150和第二电极160的谐振部155下方，以使谐振部155在预定方向上振动。第二气腔133b设置在布线电极180下方。第二气腔133b设置在布线电极180下方，以减小由于在形成第二气腔133b之前剩余的牺牲层的固有介电常数而导致的寄生电容分量。在图3中，第二气腔133b设置于连接在体声波谐振器100的相邻的第一电极140之间的布线电极180的下方。根据图4中示出的另一示例性实施例，体声波谐振器100-1包括设置于连接在体声波谐振器100-1的相邻的第二电极160之间的布线电极180-1下方的气腔133b。

返回参照图3，在体声波谐振器100中，支撑构件134设置在第一气腔133a和第二气腔133b之间。

支撑构件134可具有与气腔133的厚度相同的厚度。因此，通过气腔133和支撑构件134设置的上表面可以是近似平坦的。谐振部155设置在去除了台阶的平坦的表面上，导致改善了体声波谐振器100的插入损耗特性和衰减特性。

支撑构件134的截面具有例如近似梯形形状。例如，支撑构件134的上表面的宽度大于支撑构件134的下表面的宽度，支撑构件134的将上表面和下表面彼此连接的侧表面是倾斜的。支撑构件134可由在用于去除牺牲层的蚀刻工艺中不被蚀刻的材料形成。作为示例，支撑构件134由蚀刻停止层123的材料相同的材料形成。例如，支撑构件134由二氧化硅(sio2)和氮化硅(si3n4)中的任意一种或两种形成。

参照图5，在体声波谐振器100-2中，辅助支撑构件135设置在支撑构件134的外侧。作为示例，辅助支撑构件135设置在第二气腔133b的一些区域中。设置辅助支撑构件135的区域可根据取决于布线电极180的长度的寄生电容分量的影响来确定。

辅助支撑构件135可由与支撑构件134的材料相同的材料形成或者由与支撑构件134的材料不同的材料形成。作为示例，当辅助支撑构件135由与支撑构件134的材料不同的材料形成时，辅助支撑构件135对应于形成在蚀刻停止层123上的牺牲层中的在蚀刻工艺之后的剩余的部分。体声波谐振器100-2的辅助支撑构件135的构造可不同地施加到在此公开的其他实施例中。此外，辅助支撑构件135可包括多晶硅。

返回参照图3，在体声波谐振器100中，谐振部155包括第一电极140、压电层150和第二电极160。第一电极140、压电层150和第二电极160在竖直方向上彼此叠置的公共区域位于第一气腔133a的上方。第一电极140和第二电极160可由金(au)、钛(ti)、钽(ta)、钼(mo)、钌(ru)、铂(pt)、钨(w)、铝(al)、铱(ir)和镍(ni)中的任意一种或它们的合金形成。产生将电能转换为具有弹性波形式的机械能的压电效应的压电层150可由氮化铝(aln)、氧化锌(zno)和铅锆钛氧化物(pzt；pbzrtio)中的任意一种形成。此外，压电层150还可包括稀土金属。作为示例，稀土金属包括钪(sc)、铒(er)、钇(y)和镧(la)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。压电层150可包括1at％至20at％的稀土金属。

可在第一电极140的下方另外设置用于改善压电层150的晶体取向的种子层。种子层可由具有与压电层150的结晶度相同的结晶度的氮化铝(aln)、氧化锌(zno)和铅锆钛氧化物(pzt；pbzrtio)中的一种形成。另外，可在第一电极140的下方另外地设置调整体声波谐振器的应力的膜。作为示例，膜包括氮化硅(si3n4)。

保护层170设置在第二电极160上以防止第二电极160向外暴露。保护层170可由硅氧化物基绝缘材料、氮化硅基绝缘材料和氮化铝基绝缘材料中的任意一种形成。布线电极180形成在第一电极140和第二电极160的向外暴露的部分上。

谐振部155包括有效区域和无效区域。谐振部155的有效区域(当诸如射频信号的电能施加到第一电极140和第二电极160时因在压电层150中产生的压电现象而在预定方向上振动和谐振的区域)对应于第一电极140、压电层150和第二电极160在气腔133的上方沿着竖直方向彼此叠置的区域。谐振部155的无效区域(即使当电能施加到第一电极140和第二电极160时也不因压电现象而谐振的区域)对应于有效区域之外的区域。

谐振部155利用压电现象输出具有特定频率的射频信号。例如，谐振部155输出具有与根据压电层150的压电现象的振动对应的谐振频率的射频信号。

当诸如射频信号的电能施加到第一电极140和第二电极160时，通过在压电层150中产生的压电现象而产生声波。在这种情况下，从产生的声波并行产生横向波。当并行产生的横向波未被捕获时，会发生声波损耗，从而使谐振器的品质因子劣化。

参照图6，在体声波谐振器100-3中，沿着谐振部155的有效区域的边缘另外设置辅助电极165。有效区域的边缘指的是有效区域中的与有效区域和无效区域之间的边界相邻的部分。辅助电极165可由与第二电极160的材料不同的材料形成。

可选地，辅助电极165由与第二电极160的材料相同的材料形成。在示例中，辅助电极165和第二电极160具有不同的声阻抗。例如，辅助电极165由具有比第二电极160的声阻抗高的声阻抗的材料形成。例如，当第二电极160由钌(ru)形成时，辅助电极165由具有比钌(ru)的声阻抗高的声阻抗的铱(ir)和钨(w)中的任意一种形成。可选地，辅助电极165由具有比第二电极160的声阻抗低的声阻抗的材料形成。例如，当第二电极160由钌(ru)形成时，辅助电极165由具有比钌(ru)的阻抗低的阻抗的铝(al)、金(au)、镍(ni)、铜(cu)、钛(ti)、铬(cr)、钴(co)、锰(mn)和镁(mg)中的任意一种形成，并且在考虑到电阻率时由铝(al)、金(au)、镍(ni)、铜(cu)、钴(co)、锰(mn)和镁(mg)中的任意一种形成。

辅助电极165沿着谐振部155的有效区域的边缘另外设置，以捕获横向波。因此，改善了体声波谐振器的品质因子，并减小了声波的损耗。辅助电极165的构造可不同地应用到在此公开的其他实施例。

参照图7，在体声波谐振器100-4中，框架136沿着设置在气腔133上方的层的边界表面设置在气腔133中。框架136的厚度可小于支撑构件134的厚度。框架136从支撑构件134的侧表面以台阶形式突出。在图7中，框架136从支撑构件134的背对侧延伸，但框架136可设置为与支撑构件134分开。框架136具有例如近似梯形形状，该梯形形状的上表面的宽度大于下表面的宽度，并且将上表面和下表面彼此连接的侧表面是倾斜的。

框架136可通过与形成支撑构件134的工艺相同的工艺形成，并且可由与支撑构件134的材料相同的材料形成。作为示例，框架136由二氧化硅(sio2)或氮化硅(si3n4)中的任意一者或两者形成。

框架136可由具有压缩应力和拉伸应力的材料形成，因此体声波谐振器100-4可抵抗作用在体声波谐振器100-4的向上的方向和向下的方向上的应力。

作为示例，当框架136由具有压缩应力的材料形成时，防止了设置在气腔133的上方的层向下下垂的现象。在这种情况下，框架136可由二氧化硅(sio2)形成。作为另一示例，当框架136由具有拉伸应力的材料形成，防止了谐振部155向与气腔133背对的部分弯曲的现象。在这种情况下，框架136可由氮化硅(si3n4)形成。

框架136可由具有根据温度变化的弹性系数(在下文中，称为弹性温度系数)的材料形成，以根据温度变化来减小频率的变化。作为示例，框架136的弹性温度系数和包括第一电极140、压电层150和第二电极160的谐振部155的弹性温度系数具有不同的符号。当谐振部155具有对应于-30ppm/k至-80ppm/k的负弹性温度系数时，在谐振部155的温度升高1k的情况下，弹性减小30ppm至80ppm。谐振部155的弹性的减小使体声波谐振器的谐振频率降低，这导致了滤波器的性能的劣化。在这种情况下，当框架136由具有130ppm/k的正弹性温度系数的二氧化硅(sio2)形成时，补偿了因谐振部155的影响而导致的弹性的减小，并且体声波谐振器100-4的弹性根据温度的升高而增大。

以上描述了框架136具有正弹性温度系数和谐振部155具有负弹性温度系数的示例。然而，谐振部155可具有正弹性温度系数。在这种情况下，框架136具有负弹性温度系数。

参照图8，在体声波谐振器100-5中，在厚度方向上贯穿基板110的至少一个导通孔113形成在基板110的下表面中，并且连接图案114可设置在导通孔113中。除了基板110之外，导通孔113还在厚度方向上贯穿绝缘层115、蚀刻停止层123和辅助支撑构件135。

连接图案114可形成在整个内表面(即，导通孔113的整个内壁)的上方。连接图案114可通过在导通孔113的内表面上形成导电层来制造。例如，通过沿着导通孔113的内壁沉积、施加或填充包括金(au)、铜(cu)和钛(ti)-铜(cu)合金中的任意一种的导电金属来形成连接图案114。

连接图案114连接到第一电极140和第二电极160中的任意一者或两者。作为示例，连接图案114贯穿基板110、绝缘层115、蚀刻停止层123和辅助支撑构件135，然后电连接到第一电极140和第二电极160中的任意一者或两者。连接图案114延伸到基板110的下表面以连接到设置在基板110的下表面上的基板连接垫。因此，连接图案114将第一电极140和第二电极160电连接到基板连接垫。

基板连接垫可通过凸块电连接到可设置在体声波谐振器下方的外部基板。体声波谐振器100-5对通过基板连接垫施加到第一电极140和第二电极160的射频信号执行滤波操作。

在体声波谐振器100-5中，通过贯穿辅助支撑构件135并连接到第一电极140和第二电极160的连接图案114以连接图案114支撑第一电极140和/或第二电极160的形式防止了布线电极180向下下垂的现象。

图9a至图9e是示出根据实施例的制造图3中示出的体声波谐振器100的方法的工艺的示图。

参照图9a，首先，形成基板110、绝缘层115、蚀刻停止层123和牺牲层131，然后在牺牲层131上形成图案p。通过与牺牲层131的厚度相同的图案p暴露蚀刻停止层123的部分。

参照图9b，在牺牲层131上形成图案后，形成蚀刻停止材料120以覆盖牺牲层131以及因图案而向外暴露的蚀刻停止层123的部分。图案p由蚀刻停止材料120填充，并且蚀刻停止层123和蚀刻停止材料120可由相同的材料形成。

参照图9c，在形成蚀刻停止材料120后，使蚀刻停止材料120的一个表面平坦化，以使牺牲层131暴露到外部。在使蚀刻停止材料120的一个表面平坦化的工艺中，去除蚀刻停止材料120的部分，并在去除蚀刻停止材料120的部分后通过图案p中剩余的蚀刻停止材料120的部分形成支撑构件134。作为使蚀刻停止材料120的一个表面平坦化的工艺的结果，由牺牲层131、支撑构件134提供的一个表面近似平坦。

图10是图9c的a部分的放大图。参照图10，对于在去除蚀刻停止材料120的部分后剩余的支撑构件134，会出现支撑构件134的上表面因图案p的台阶而缩进地凹入的凹陷现象。更具体地，支撑构件134的上表面的中央距离其下表面的厚度小于支撑构件134的上表面的边缘距离其下表面的厚度。

供设置支撑构件134的图案p的侧表面倾斜，以防止在支撑构件134与牺牲层131之间的边界上形成陡变的台阶，并且使图案p的下表面的宽度小于图案p的上表面的宽度，以防止凹陷现象的发生。例如，由图案p的下表面与侧表面形成的角度为110°至160°。

参照图9d，在去除蚀刻停止材料120的部分后，在由牺牲层131和支撑构件134提供的近似平坦的表面上顺序地堆叠第一电极140、压电层150和第二电极160，在第二电极160上设置保护层170，在第一电极140和第二电极160的暴露到外部的部分上形成布线电极180。然后，如图9e中所示，通过蚀刻工艺去除牺牲层131，使得形成包括第一气腔133a和第二气腔133b的气腔133。

图11和图12是根据实施例的滤波器的示意性电路图。图11和图12的滤波器中使用的体声波谐振器可对应于在此公开的各种实施例的体声波谐振器。

参照图11，滤波器1000形成为梯式的滤波器结构。详细地，滤波器1000包括第一体声波谐振器1100和第二体声波谐振器1200。

第一体声波谐振器1100串联连接在输入信号rfin输入到其的信号输入端子和从其输出输出信号rfout的信号输出端子之间。第二体声波谐振器1200连接在信号输出端子和地之间。

参照图12，滤波器2000可形成为晶格式的滤波器结构。详细地，滤波器2000包括第一体声波谐振器2100、第二体声波谐振器2200、第三体声波谐振器2300和第四体声波谐振器2400，并对平衡的输入信号rfin+和rfin-进行滤波且输出平衡的输出信号rfout+和rfout-。

如上所述，在根据在此公开的实施例的体声波谐振器中，防止了堆叠在基板上的膜或层中的裂纹的形成，并且诱导了晶体的正常生长。

此外，在根据在此公开的实施例的体声波谐振器中，根据温度变化的频率的变化减小，并且体声波谐振器抵抗在向上的方向上和向下的方向上作用的应力。

此外，减小了布线电极下方的寄生电容分量。

虽然本公开包括特定的示例，但是在理解了本申请的公开内容后将显而易见的是，在不脱离权利要求及它们的等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种变化。在此所描述的示例将仅被认为描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或者电路中的组件和/或用其他组件或者它们的等同物进行替换或者补充描述的系统、架构、装置或者电路中的组件，则可获得适当的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及它们的等同物限定，并且在权利要求及它们的等同物的范围内的所有变化将被解释为包含于本公开中。