本发明涉及振荡器电路。
背景技术
图1为现有技术，缺点在于参考电压vr是随着电源电压vdd的变化而变化，没有一个固定的参考点，振荡频率稳定性就无法保证。
技术实现要素：
本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡频率稳定性高的振荡器。
一种振荡器电路，包括第一运算放大器、第一nmos管、第一电阻、第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第二nmos管、第一电容、第四pmos管、第五pmos管、第三nmos管、第二电容、第一比较器、第二比较器、第一或非门、第二或非门、第一反相器和第二反相器：
所述第一运算放大器的正输入端接基准电压vref1，负输入端接所述第一nmos管的源极和所述第一电阻的一端，输出端接所述第一nmos管的栅极；所述第一nmos管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第二pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一nmos管的源极，另一端接地；所述第一pmos管的栅极和漏极接在一起再接所述第一nmos管的漏极和所述第二pmos管的栅极和所述第四pmos管的栅极，源极接电源电压vcc；所述第二pmos管的栅极接所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第一nmos管的漏极和所述第四pmos管的栅极，漏极接所述第三pmos管的源极，源极接电源电压vcc；所述第三pmos管的栅极接所述第二nmos管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端，漏极接所述第二nmos管的漏极和所述第一电容的一端和所述第一比较器的正输入端，源极接所述第二pmos管的漏极；所述第二nmos管的栅极接所述第三pmos管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第二反相器的输入端，漏极接所述第三pmos管的漏极和所述第一电容的一端和所述第一比较器的正输入端，源极接地；所述第一电容的一端接所述第三pmos管的漏极和所述第二nmos管的漏极和所述第一比较器的正输入端，另一端接地；所述第四pmos管的栅极接所述第二pmos管的栅极和所述第一pmos管的栅极和漏极和所述第一nmos管的漏极，漏极所述第五pmos管的源极，源极接电源电压vcc；所述第五pmos管的栅极接所述第三nmos管的栅极和所述第二反相器的输出端，漏极接所述第三nmos管的漏极和所述第二电容的一端和所述第二比较器的正输入端，源极接所述第四pmos管的漏极；所述第三nmos管的栅极接所述第五pmos管的栅极和所述第二反相器的输出端，漏极接所述第五pmos管的漏极和所述第二电容的一端和所述第二比较器的正输入端，源极接地；所述第二电容的一端接所述第五pmos管的漏极和所述第三nmos管的漏极和所述第二比较器的正输入端，另一端接地；所述第一比较器的正输入端接所述第三pmos管的漏极和所述第二nmos管的漏极和所述第一电容的一端，负输入端接基准电压vref2，输出端接所述第一或非门的一输入端；所述第二比较器的正输入端接所述第五pmos管的漏极和所述第三nmos管的漏极和所述第二电容的一端，负输入端接基准电压vref2，输出端接所述第二或非门的一输入端；所述第一或非门的一输入端接所述第一比较器的输出端，另一输入端接所述第二或非门的输出端，输出端接所述第二或非门的输入端和所述第一反相器的输入端；所述第二或非门的一输入端接所述第二比较器的输出端，另一输入端接所述第一或非门的输出端和所述第一反相器的输入端，输出端接所述第一或非门的输入端；所述第一反相器的输入端接所述第一或非门的输出端和所述第二或非门的输入端，输出端接所述第二反相器的输入端和所述第三pmos管的栅极和所述第二nmos管的栅极；所述第二反相器的输入端接所述第一反相器的输出端和所述第三pmos管的栅极和所述第二nmos管的栅极，输出端接所述第五pmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极并作为振荡器的输出端oscout。
所述第一运算放大器和所述第一nmos管构成跟随器，所述第一电阻上的电压等于基准电压vref1，所述第一电阻上的电流等于基准电压vref1除以所述第一电阻电阻值，该电流就是i1，再通过镜像给所述第二pmos管电流为i2和所述第五pmos管电流为i3；当所述第三pmos管导通时，电流i2对所述第一电容充电；当所述第二nmos管导通时，所述第一电容放电；当所述第五pmos管导通时，电流i3对所述第二电容充电；当所述第三nmos管导通时，所述第二电容放电；当所述第一电容充电电压到基准电压vref2时，所述第一比较器输出高电平，振荡器输出端oscout为低电平；接着所述第五pmos管导通对所述第二电容进行充电，当所述第二电容充电电压到基准电压vref2时，所述第二比较器输出高电平，同时由于所述第一反相器输出高电平致使所述第一电容进行放电，所述第一比较器的正输入端低于基准电压vref2，这样振荡端输出端oscout为高电平；接着进入下一个周期；由于基准电压vref1和vref2是不随温度和电压变化的带隙基准，这样就保证了所述第一比较器和所述第二比较器的比较点的精度，进而可以提高振荡频率的稳定性；另外有两个比较器的存在，把上升和下降电压的幅度加以限制，也能进一步提高振荡器的频率稳定性。
附图说明
图1为现有技术的电路图。
图2为本发明的振荡器的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明内容进一步说明。
一种振荡器电路，如图1所示，包括第一运算放大器101、第一nmos管102、第一电阻103、第一pmos管104、第二pmos管105、第三pmos管106、第二nmos管107、第一电容108、第四pmos管109、第五pmos管110、第三nmos管111、第二电容112、第一比较器113、第二比较器114、第一或非门115、第二或非门116、第一反相器117和第二反相器118：
所述第一运算放大器101的正输入端接基准电压vref1，负输入端接所述第一nmos管102的源极和所述第一电阻103的一端，输出端接所述第一nmos管102的栅极；所述第一nmos管102的栅极接所述第一运算放大器101的输出端，漏极接所述第一pmos管104的栅极和漏极和所述第二pmos管105的栅极和所述第四pmos管109的栅极，源极接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一电阻103的一端；所述第一电阻103的一端接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一nmos管102的源极，另一端接地；所述第一pmos管104的栅极和漏极接在一起再接所述第一nmos管102的漏极和所述第二pmos管105的栅极和所述第四pmos管109的栅极，源极接电源电压vcc；所述第二pmos管105的栅极接所述第一pmos管104的栅极和漏极和所述第一nmos管102的漏极和所述第四pmos管109的栅极，漏极接所述第三pmos管106的源极，源极接电源电压vcc；所述第三pmos管106的栅极接所述第二nmos管107的栅极和所述第一反相器117的输出端和所述第二反相器118的输入端，漏极接所述第二nmos管107的漏极和所述第一电容108的一端和所述第一比较器113的正输入端，源极接所述第二pmos管105的漏极；所述第二nmos管107的栅极接所述第三pmos管106的栅极和所述第一反相器117的输出端和所述第二反相器118的输入端，漏极接所述第三pmos管106的漏极和所述第一电容108的一端和所述第一比较器113的正输入端，源极接地；所述第一电容108的一端接所述第三pmos管106的漏极和所述第二nmos管107的漏极和所述第一比较器113的正输入端，另一端接地；所述第四pmos管109的栅极接所述第二pmos管105的栅极和所述第一pmos管104的栅极和漏极和所述第一nmos管102的漏极，漏极所述第五pmos管110的源极，源极接电源电压vcc；所述第五pmos管110的栅极接所述第三nmos管111的栅极和所述第二反相器118的输出端，漏极接所述第三nmos管111的漏极和所述第二电容112的一端和所述第二比较器114的正输入端，源极接所述第四pmos管109的漏极；所述第三nmos管111的栅极接所述第五pmos管110的栅极和所述第二反相器118的输出端，漏极接所述第五pmos管110的漏极和所述第二电容112的一端和所述第二比较器114的正输入端，源极接地；所述第二电容112的一端接所述第五pmos管110的漏极和所述第三nmos管111的漏极和所述第二比较器114的正输入端，另一端接地；所述第一比较器113的正输入端接所述第三pmos管106的漏极和所述第二nmos管107的漏极和所述第一电容108的一端，负输入端接基准电压vref2，输出端接所述第一或非门115的一输入端；所述第二比较器114的正输入端接所述第五pmos管110的漏极和所述第三nmos管111的漏极和所述第二电容112的一端，负输入端接基准电压vref2，输出端接所述第二或非门116的一输入端；所述第一或非门115的一输入端接所述第一比较器113的输出端，另一输入端接所述第二或非门116的输出端，输出端接所述第二或非门116的输入端和所述第一反相器117的输入端；所述第二或非门116的一输入端接所述第二比较器114的输出端，另一输入端接所述第一或非门115的输出端和所述第一反相器117的输入端，输出端接所述第一或非门115的输入端；所述第一反相器117的输入端接所述第一或非门115的输出端和所述第二或非门116的输入端，输出端接所述第二反相器118的输入端和所述第三pmos管106的栅极和所述第二nmos管107的栅极；所述第二反相器118的输入端接所述第一反相器117的输出端和所述第三pmos管106的栅极和所述第二nmos管107的栅极，输出端接所述第五pmos管110的栅极和所述第三nmos管111的栅极并作为振荡器的输出端oscout。
所述第一运算放大器101和所述第一nmos管102构成跟随器，所述第一电阻103上的电压等于基准电压vref1，所述第一电阻103上的电流等于基准电压vref1除以所述第一电阻103电阻值，该电流就是i1，再通过镜像给所述第二pmos管105电流为i2和所述第五pmos管109电流为i3；当所述第三pmos管106导通时，电流i2对所述第一电容108充电；当所述第二nmos管107导通时，所述第一电容108放电；当所述第五pmos管110导通时，电流i3对所述第二电容112充电；当所述第三nmos管111导通时，所述第二电容112放电；当所述第一电容108充电电压到基准电压vref2时，所述第一比较器113输出高电平，振荡器输出端oscout为低电平；接着所述第五pmos管110导通对所述第二电容112进行充电，当所述第二电容112充电电压到基准电压vref2时，所述第二比较器114输出高电平，同时由于所述第一反相器117输出高电平致使所述第一电容108进行放电，所述第一比较器113的正输入端低于基准电压vref2，这样振荡端输出端oscout为高电平；接着进入下一个周期；由于基准电压vref1和vref2是不随温度和电压变化的带隙基准，这样就保证了所述第一比较器113和所述第二比较器114的比较点的精度，进而可以提高振荡频率的稳定性；另外有两个比较器的存在，把上升和下降电压的幅度加以限制，也能进一步提高振荡器的频率稳定性。
对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。