本发明涉及集成电路技术，尤其涉及到振荡器电路。
背景技术：
为了节省芯片面积，设计了一种由pmos管构成的振荡器电路。
技术实现要素：
发明旨在提供一种由pmos管构成的振荡器电路。
一种振荡器电路，包括第一pmos管、第一电阻、第一电容、第二电阻和第二pmos管：
所述第一pmos管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二pmos管的源极，漏极接所述第一电容的一端和所述第二pmos管的基极，源极接电源电压vcc；所述第一电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一电容的一端；所述第一电容的一端接所述第一电阻的一端，另一端接所述第一pmos管的漏极和所述第二pmos管的栅极；所述第二电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一pmos管的栅极和所述第二pmos管的源极并作为振荡器的输出端oscout；所述第二pmos管的栅极接所述第一pmos管的漏极和所述第一电容的一端，漏极接地，源极接所述第二电阻的一端和所述第一pmos管的栅极并作为振荡器的输出端oscout。
上电后，电源电压vcc通过所述第一电阻对所述第一电容进行充电，充电到使得所述第二pmos管导通时，所述第二pnp管的源极电压被拉低，此时振荡器输出端oscout为低电平，这一低电平控制所述第一pmos管开启，所述第一电容通过所述第一pmos管和所述第一电阻进行放电，所述第一电容上的电压低于所述第二pmos管截止，所述第二pmos管的源极电压就被拉高，这样振荡器输出端oscout就会拉高为高电平；如此反复。
附图说明
图1为本发明的振荡器电路的电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明内容进一步说明。
由pmos管构成的振荡器电路，如图1所示，包括第一pmos管10、第一电阻20、第一电容30、第二电阻40和第二pmos管50：
所述第一pmos管10的栅极接所述第二电阻40的一端和所述第二pmos管50的源极，漏极接所述第一电容30的一端和所述第二pmos管50的基极，源极接电源电压vcc；所述第一电阻20的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一电容30的一端；所述第一电容30的一端接所述第一电阻20的一端，另一端接所述第一pmos管10的漏极和所述第二pmos管50的栅极；所述第二电阻40的一端接电源电压vcc，另一端接所述第一pmos管10的栅极和所述第二pmos管50的源极并作为振荡器的输出端oscout；所述第二pmos管50的栅极接所述第一pmos管10的漏极和所述第一电容30的一端，漏极接地，源极接所述第二电阻40的一端和所述第一pmos管10的栅极并作为振荡器的输出端oscout。
上电后，电源电压vcc通过所述第一电阻20对所述第一电容30进行充电，充电到使得所述第二pmos管50导通时，所述第二pnp管50的源极电压被拉低，此时振荡器输出端oscout为低电平，这一低电平控制所述第一pmos管10开启，所述第一电容30通过所述第一pmos管10和所述第一电阻20进行放电，所述第一电容30上的电压低于所述第二pmos管50截止，所述第二pmos管50的源极电压就被拉高，这样振荡器输出端oscout就会拉高为高电平；如此反复。
对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。