本发明涉及电子线路领域，特别提供一种光电三极管抗饱和电路。
背景技术：
目前红外接收头模组(irm)是将光电二极管、红外接收处理芯片固封在封装支架上，再通过支架折弯形成内屏蔽，然后由滤光塑封料包封成为独立器件。若用光电三极管代替光电二极管，由于三极管自带放大倍数，可提升接收灵敏度。但光电三级管容易饱和，使得在强光环境下无法使用。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种能抑制环境光的直流分量的光电三极管抗饱和电路。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：一种光电三极管抗饱和电路包括光电三级管q0，电流采样模块、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻r0；所述光电三级管q0的发射极连接电流采样模块，基极连接基极电流调整模块，电流采样模块连接低通滤波模块与电阻r0，低通滤波模块连接基极电流调整模块，所述电流采样模块和基极电流调整模块接电源，所述光电三级管q0、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻r0均接地；所述电流采样模块包括两个mos管m0、m1，所述mos管m0、m1的源极均接电源，两者栅极相连，所述mos管m0的漏极与栅极短接，且连接所述光电三级管q0的发射极，所述mos管m1的漏极连接电阻r0；所述低通滤波模块包括跨导放大器i3和电容i2，所述跨导放大器i3的同相输入端连接在电流采样模块和电阻r0之间，反相输入端与输出端短接后通过电容i2接地；所述基极电路调整模块包括mos管m2、mos管m3、mos管m4和mos管m5，所述mos管m2和mos管m3的源极均接电源，两者栅极相连，所述mos管m2的漏极接光电三级管q0的基极，所述mos管m3的漏极连接栅极和mos管m4的漏极，所述mos管m4的栅极连接mos管m5的栅极，所述mos管m5的漏极连接栅极和跨导放大器i3的输出端，源极与mos管m4的源极均接地。
本发明的有益效果是：光电三极管基极受控，可避免三级管进入饱和区，在强光环境下应用也能保持较高灵敏度。并且由于三极管由较高的内部增益，可以cmos工艺兼容的方法实现，整合到红外接收处理芯片中，简化接收头封装物料成本和工艺流程。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本发明的具体实施方式。
如图所示，一种光电三极管抗饱和电路包括光电三级管q0，电流采样模块、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻r0；所述光电三级管q0的发射极连接电流采样模块，基极连接基极电流调整模块，电流采样模块连接低通滤波模块与电阻r0，低通滤波模块连接基极电流调整模块，所述电流采样模块和基极电流调整模块接电源，所述光电三级管q0、低通滤波模块、基极电流调整模块和电阻r0均接地；所述电流采样模块包括两个mos管m0、m1，所述mos管m0、m1的源极均接电源，两者栅极相连，所述mos管m0的漏极与栅极短接，且连接所述光电三级管q0的发射极，所述mos管m1的漏极连接电阻r0；所述低通滤波模块包括跨导放大器i3和电容i2，所述跨导放大器i3的同相输入端连接在电流采样模块和电阻r0之间，反相输入端与输出端短接后通过电容i2接地；所述基极电路调整模块包括mos管m2、mos管m3、mos管m4和mos管m5，所述mos管m2和mos管m3的源极均接电源，两者栅极相连，所述mos管m2的漏极接光电三级管q0的基极，所述mos管m3的漏极连接栅极和mos管m4的漏极，所述mos管m4的栅极连接mos管m5的栅极，所述mos管m5的漏极连接栅极和跨导放大器i3的输出端，源极与mos管m4的源极均接地。
光电三级管q0用作光敏器件，基极被引出，光电三级管光电流经电流采样模块，采样后把光电三级管q0的光电流转换成电阻r0上的电压信号，由跨导放大器i3和电容i2构成的低通滤波模块对它滤波，低通滤波模块输出给由mos管m2、m3、m4、m5构成的基极电流调整模块，基极电流调整模块输出接光电三极管基极，实现反馈控制。
由于电路对低频信号能形成反馈环路，所以能有效抑制光电三极管对低频信号的响应，从而抑制环境光的直流分量。
以上是对本发明的较佳实施进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在
本技术：
权利要求所限定的范围内。