技术特征：
技术总结
本发明属于电路控制技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET驱动保护电路及其驱动保护方法。该电路包括采样比较模块、信号锁存及逻辑控制模块、外部控制模块和误开通抑制执行模块。该驱动电路能够解决SiC MOSFET工作过程中由于各种原因引起的误开通问题，同时可通过处理器监控误开通抑制信号的频率，判断当前电路工作的环境，实时调节SiC MOSFET的开关频率和工作状态，可以大大增加电路的可靠性，延长器件的寿命。
技术研发人员：任强;赵雪峰;席小鹭
受保护的技术使用者：湖南强军科技有限公司
技术研发日：2018.08.23
技术公布日：2019.02.01