振荡器的制作方法

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及到振荡器。

背景技术：

芯片制造成本由管子所需的版图决定，版图有所需的层越多成本越高，在不增加层次的基础上制造出振荡电路所需的电容，可以达到节约成本的目的。

技术实现要素：

本发明旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡器。

振荡器，包括第一电阻、第二电阻、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第三电阻、第四电阻和第四nmos管：

所述第一电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第二电阻的一端和所述第二nmos管的漏极和所述第三nmos管的栅极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第二nmos管的漏极和所述第三nmos管的栅极，另一端接所述第一nmos管的栅极；所述第一nmos管的栅极接所述第二电阻的一端，漏极接地，源极接地；所述第二nmos管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第四nmos管的漏极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第三nmos管的栅极，源极接地；所述第三nmos管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第二nmos管的漏极，漏极接所述第三电阻的一端和所述第四nmos管的栅极，源极接地；所述第三电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第三nmos管的漏极和所述第四nmos管的栅极；所述第四电阻的一端接电源电压vcc，另一端接所述第四nmos管的漏极和所述第二nmos管的栅极并作为振荡器的输出端oscout；所述第四nmos管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第三nmos管的漏极，漏极接所述第四电阻的一端和所述第二nmos管的栅极并作为振荡器的输出端oscout，源极接地。

上电后，电源电压vcc通过所述第一电阻和所述第二电阻对由所述第一nmos管构成的电容进行充电，电压达到所述第三nmos管的阈值电压时，所述第三nmos管导通进而所述第四nmos管截止，振荡器输出端oscout为高电平，此时控制所述第二nmos管进行导通使得由所述第一nmos管构成的电容进行放电；如此反复；所述第二电阻可以调节充放电时间进而调节振荡周期。

附图说明

图1为本发明的振荡器的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明内容进一步说明。

振荡器，如图1所示，包括第一电阻10、第二电阻20、第一nmos管30、第二nmos管40、第三nmos管50、第三电阻60、第四电阻70和第四nmos管80：

所述第一电阻10的一端接电源电压vcc，另一端接所述第二电阻20的一端和所述第二nmos管40的漏极和所述第三nmos管50的栅极；所述第二电阻20的一端接所述第一电阻10的一端和所述第二nmos管40的漏极和所述第三nmos管50的栅极，另一端接所述第一nmos管30的栅极；所述第一nmos管30的栅极接所述第二电阻20的一端，漏极接地，源极接地；所述第二nmos管40的栅极接所述第三电阻70的一端和所述第四nmos管80的漏极，漏极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端和所述第三nmos管50的栅极，源极接地；所述第三nmos管50的栅极接所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端和所述第二nmos管40的漏极，漏极接所述第三电阻60的一端和所述第四nmos管80的栅极，源极接地；所述第三电阻60的一端接电源电压vcc，另一端接所述第三nmos管50的漏极和所述第四nmos管80的栅极；所述第四电阻70的一端接电源电压vcc，另一端接所述第四nmos管80的漏极和所述第二nmos管40的栅极并作为振荡器的输出端oscout；所述第四nmos管80的栅极接所述第三电阻60的一端和所述第三nmos管50的漏极，漏极接所述第四电阻70的一端和所述第二nmos管40的栅极并作为振荡器的输出端oscout，源极接地。

上电后，电源电压vcc通过所述第一电阻10和所述第二电阻20对由所述第一nmos管10构成的电容进行充电，电压达到所述第三nmos管50的阈值电压时，所述第三nmos管50导通进而所述第四nmos管80截止，振荡器输出端oscout为高电平，此时控制所述第二nmos管40进行导通使得由所述第一nmos管30构成的电容进行放电；如此反复；所述第二电阻20可以调节充放电时间进而调节振荡周期。

对上述所提供的实施方式的说明，仅是本发明的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本发明的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种振荡器。振荡器包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三电阻、第四电阻和第四NMOS管。利用本发明提供的振荡器通过减少芯片制造层数来降低芯片成本。

技术研发人员：齐盛
受保护的技术使用者：杭州展虹科技有限公司
技术研发日：2018.09.14
技术公布日：2019.02.19