技术特征：
技术总结
本发明公开了一种双模式高增益、低噪声的宽带低噪声放大器，包括一对共栅级输入NMOS管、一对有源电流源NMOS管、三对交叉耦合电容、一对共漏级NMOS管、一对实现正反馈通路的PMOS管、一对模式切换PMOS管，一对负载电阻以及一对峰化电感。本发明低噪声放大器基于共栅级结构，通过正负反馈技术来增大跨导和输出阻抗从而实现较高增益和较低噪声系数，以有源电流源代替传统的电感形式，节省了芯片面积。通过并联峰化技术拓展带宽，采用可切换负载阻抗的电路结构实现模式的切换来分别获得高增益和高线性度。本发明具有双模式，宽带，较好的增益和噪声性能等优点。
技术研发人员：张长春;吴应坚
受保护的技术使用者：南京邮电大学
技术研发日：2018.09.17
技术公布日：2019.02.22