1.一种高频电源的校正系统，其特征在于，包括高频电源(1)、自动校正模块(2)、高频功率产生源(3)以及除杂转低模块(4)，所述高频电源(1)与所述自动校正模块(2)和所述高频功率产生源(3)分别连接，所述高频功率产生源(3)与所述除杂转低模块(4)连接；所述高频电源(1)、所述自动校正模块(2)、所述高频功率产生源(3)以及所述除杂转低模块(4)均与等离子处理机(10)连接。
2.根据权利要求1所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述高频电源(1)包括：数据输入端(11)、电力输出端(12)、调整单元(13)以及电力值检测单元(14)，其中，
所述数据输入端(11)负责将高频电力的电力设定值和用于校正输出电力的偏移值作为数字数据输入；
所述电力输出端(12)负责输出所述高频电力；
所述调整单元(13)根据所述电力设定值与所述偏移值调整目标电力输出值后，从所述电力输出端(12)输出与所述目标电力输出值相应的高频电力；
所述电力值检测单元(14)安装于同轴电缆(5)与阻抗匹配器的(62)连接位置，所述电力值检测单元(14)对输入所述阻抗匹配器的高频电力的值进行检测。
3.根据权利要求2所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述自动校正模块(2)还包括电力输出控制单元(21)，给所述自动校正模块(2)输入由所述电力值检测单元(14)检测出的电力检测值，所述自动校正模块(2)根据所述电力检测值与所述电力设定值的差值求取实际偏移值，然后所述电力输出控制单元(21)根据所述实际偏移值和所述电力设定值调整目标电力输出值。
4.根据权利要求3所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述高频电源(1)通过所述电力输出控制单元(21)隔着所述同轴电缆(5)连接有负载(6)，所述负载(6)包括处理装置(61)和所述阻抗匹配器(62)，所述阻抗匹配器(62)与通过所述同轴电缆(5)一端与所述电力输出端(12)连接，另一端与所述处理装置(61)连接；其中，
所述高频电源(1)通过所述同轴电缆(5)传送高频电力，通过所述高频电力生成处理气体的等离子体，所述处理装置(61)对被处理基板实施等离子体处理；
所述阻抗匹配器(62)设置在所述同轴电缆(5)与所述处理装置(61)之间，所述阻抗匹配器(62)负责使所述处理装置(62)侧的阻抗与所述同轴电缆(5)侧的阻抗匹配。
5.根据权利要求4所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述高频电源(1)和所述校正模块(2)实施校正过程的具体步骤如下：
第一步，通过所述电力输出控制单元(21)向所述数据输入端(11)输入校正用的所述电力设定值和校正用的所述偏移值，并根据所述电力设定值和所述偏移值调整所述目标电力输出值，从所述电力输出端(12)输出与所述目标电力输出值相应的高频电力；
第二步，所述电力值检测单元(14)检测出所述电力检测值，所述电力输出控制单元(21)根据所述电力检测值与所述电力设定值的差值变更所述校正用的偏移值，并向所述数据输入端(11)供给所述已变更的校正用的偏移值，其中，所述电力值检测单元(14)安装于所述同轴电缆(5)和所述阻抗匹配器(62)的连接位置，且所述电力检测值供向所述负载(6)的高频电力；
第三步，重复第二步，所述直至所述电力检测值达到所述电力设定值，当所述电力检测值达到所述电力设定值时，将此时的校正用的偏移值作为用于校正所述高频电源(1)的输出电力的实际偏移值。
6.根据权利要求5所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述高频功率产生源(3)产生用于在所述等离子体处理机(10)的容器中生成等离子体的高频功率；
所述高频功率产生源(3)产生的高频功率的过程中，所述等离子体生成时会产生高次谐波成分及调制波成分，所述除杂转低模块(4)负责将所述高次谐波成分及调制波成分从中除掉，以此来控制所述高频功率，所述除杂转低模块(4)将由所述高频功率产生源产生的高频功率变换成规定频率的低频功率，并根据所述低频功率进行检波。
7.根据权利要求6所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述除杂转低模块(4)包括：第一高频功率单元(41)，从由所述高频功率产生源(3)产生的高频功率中获取第一高频功率；
第二高频功率单元(42)，通过振荡获取与所述第一高频功率不同频率的第二高频功率；
乘法单元(43)，将所述第一高频功率和所述第二高频功率相乘；
检波单元(44)，检波通过所述乘法单元相乘后的高频功率中所述规定频率的低频功率。
8.根据权利要求7所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述装置还包括高频功率处理单元(7)，所述高频处理单元(7)与所述除杂转低模块(4)和所述等离子体处理机(10)连接，所述高频功率处理单元(7)包括：功率合成组件(71)和合成控制组件(72)，其中，
所述功率合成组件(71)负责合成至少两个高频功率；
所述合成控制组件(72)控制由所述功率合成组件(71)合成的高频功率，并将由所述合成的高频功率作为入射功率供给所述等离子体处理机(10)；
所述功率合成组件(71)包括：分支单元(711)，分支对应于供给所述等离子体处理机(10)的入射功率的反射功率；
消耗单元(712)，消耗由所述分支单元(711)分支后的反射功率，所述分支单元(711)合成大于等于两个高频功率；所述消耗单元(712)由电阻构成。
9.根据权利要求8所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述校正用的偏移值按照所述电力检测值与所述电力设定值的差值的2/3进行变更。
10.根据权利要求9所述的一种高频电源的校正系统，其特征在于，所述规定频率在20hz～600khz的范围内。