1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述顶电极的两端中的至少一端处设置有横向模式振动抑制结构。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述抑制结构包括设置在所述顶电极的两端中的至少一端的上下表面非平行结构。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述顶电极的至少一端的上下表面中的至少一个表面的至少一部分为倾斜面。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述倾斜延伸面与基底表面形成的角度为15-75度。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述倾斜延伸面在水平方向上的长度范围为0.02μm-3μm。
6.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述顶电极的至少一端的上下表面中的至少一个表面包括：
竖直延伸面和/或水平延伸面；以及
倾斜面。
7.根据权利要求1或2所述的谐振器，其中：
所述抑制结构包括设置在所述顶电极的至少一端的端面处的、不同于竖直面的非竖直面，其中所述竖直面垂直于所述基底表面。
8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述非竖直面具有凹面或者凸面的形状。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器，还包括：
设置在顶电极之上的钝化层。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
所述钝化层的厚度为0.01μm-0.1μm。
11.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器，还包括：
金属电极材料层以及钝化层，两者依次设置在顶电极之上。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：
金属电极材料层的厚度为0.04μm-0.24μm。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：
所述顶电极的至少一个端部为悬翼结构，所述悬翼结构包括所述抑制结构。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述顶电极的两端彼此为轴对称结构。
15.根据权利要求1所述的体声波谐振器，还包括：
钝化层，所述钝化层覆盖所述顶电极设置，
其中：
所述钝化层的至少一端延伸到所述顶电极的对应一端之外；且
所述钝化层的延伸到所述顶电极的对应一端之外的一端设置有所述抑制结构。
16.根据权利要求15所述的谐振器，其中：
所述抑制结构包括钝化层上下表面非平行结构；和/或
所述抑制结构包括设置在所述钝化层的至少一端的端面处的、不同于竖直面的非竖直面，其中所述竖直面垂直于所述基底表面。
17.根据权利要求15或16所述的谐振器，其中：
所述钝化层的两端均延伸到所述顶电极的对应端部之外且彼此为轴对称结构。
18.根据权利要求15所述的谐振器，其中：
钝化层的端部延伸到所述顶电极之外的距离为0.1μm-3μm。
19.根据权利要求15所述的谐振器，其中：
所述钝化层的厚度为0.04μm-0.24μm。
20.一种滤波器，包括根据权利要求1-19中任一项所述的体声波谐振器。
21.一种电子设备，包括根据权利要求20所述的滤波器。