1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和
钝化层，设置在顶电极上方，
其中：
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述钝化层邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方设置有至少一个第一断裂结构。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述连接部具有倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述倾斜面处。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述连接部形成桥部结构，桥部结构与压电层之间形成空气隙，所述倾斜面包括所述桥部结构的邻近所述边界的第一倾斜面以及邻近顶电极引线的第二倾斜面，所述第一断裂结构设置在所述第一倾斜面处。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述钝化层还包括设置在所述第二倾斜面处的至少一个第二断裂结构。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述连接部为水平的连接部。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述顶电极在与所述连接部相对的一侧还设置有桥翼结构，所述桥翼结构具有桥翼斜面，所述桥翼结构与压电层之间形成空气隙。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述钝化层还包括设置在所述桥翼斜面上方的至少一个第三断裂结构。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的深度小于所述钝化层的厚度。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的深度为所述钝化层的厚度的5％-30％。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的深度的取值范围为
11.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：
至少部分所述断裂结构的深度等于所述钝化层的厚度。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：
所述钝化层的厚度的取值范围为
13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：
在所述顶电极的下方或者在所述顶电极的横向外侧，邻近所述有效区域的边界在所述压电层中设置有至少一个第四断裂结构。
14.根据权利要求13所述的谐振器，其中：
所述第四断裂结构的宽度为所述有效区域的横向宽度的1-10％。
15.根据权利要求13或14所述的谐振器，其中：
所述第四断裂结构的深度为所述压电层的厚度的1-15％。
16.根据权利要求15所述的谐振器，其中：
所述第四断裂结构的深度的取值范围为
17.根据权利要求1-16中任一项所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的宽度的取值范围为0.1-10um。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的谐振器，其中：
所述断裂结构的截面形状为圆弧状、倾斜状、阶梯状、扇形状中的一种。
19.一种滤波器，包括根据权利要求1-18中任一项所述的体声波谐振器。
20.一种电子设备，包括根据权利要求19所述的滤波器。
21.一种体声波谐振器的制造方法，所述体声波谐振器包括基底；声学镜；底电极，设置在基板上方；顶电极，与所述底电极对置，所述顶电极具有主体部以及与主体部连接的连接部；压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间；和钝化层，设置在顶电极上方，声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域，所述方法包括步骤：
在所述钝化层上，邻近所述有效区域的边界、在所述连接部上方形成至少一个断裂结构。
22.根据权利要求21所述的方法，还包括步骤：
在所述顶电极的下方或者在所述顶电极的横向外侧，邻近所述有效区域的边界在所述压电层中设置有至少一个另外的断裂结构。